ФКС кремнієвих силових транзисторів

Схема такого ФКС (рис. 101, а) забезпечує узгодження за трьома параметрами: допустимим вихідним струмом СП на операційних підсилювачах; струмом керування силових кремнієвих транзисторів і коефіцієнтом підсилення транзисторів. Така схема увімкнення транзисторів називається складеним транзистором Дарлінгтона.

Вихідний струм ФКС — це струм керування силового ЕК, тобто I_кер=I_Бнас, який визначений для стану насичення транзистора ЕК, і за значенням якого розраховується напруга керування

U_кер= I_керR_Б + U_{БЕнас ,}

де R_Б — опір резистора в колі бази силового транзисторного ЕК; U_БЕнас — напруга насичення база-емітер транзистора силового ЕК.

Струм колектора формуючого транзистора VT2 визначають за виразом

За значеннями /к_нас та U_KЕ = U_ж вибирають тип формуючого транзистора VT2. Опір струмообмежуючого резистора R розраховують за виразом

Колекторний струм транзистора попереднього підсилення при інженерних розрахунках приймається таким, що дорівнює струму бази VT2 (І_КнасVT1≈I_E.VT1=I_Б.VT1) - За значенням цього струму та напруги U_KE.VTI = U_ж вибирається тип транзистора VT1.

Необхідне значення вихідного струму схеми порівняння

де I_{вих.допСП} — допустиме значення вихідного струму операційного підсилювача чи компаратора, які використані для реалізації СП. В паспортних даних подається зна­чення I_{вих.допСП} чи R_н.мін, тоді

Опір струмообмежуючого резистора в колі бази VT\ обчислюють так:

При використанні операційних підсилювачів для СП необхідно захистити перехід база-емітер транзистора VT\ від напруги від'ємної полярності. З цією метою використовують імпульсний діод VD, тип якого вибирають за значенняманодного струму

і за значення зворотної напруги

Дата добавления: 2015-07-18