Емкость идеального p-n перехода

Как отмечено ранее, приграничные зоны p-n перехода характеризуются пониженной концентрацией носителей заряда, т. е. граница p-n перехода обладает высоким удельным сопротивлением и переход можно рассматривать как конденсатор. На обкладках этого конденсатора имеются равные по величине, но противоположные по знаку заряды . Емкость, обусловленная перераспределением зарядов в p-n переходе, называется барьерной. В общем случае емкость определяется выражением . Суммарный заряд на одной из обкладок конденсатора можно найти из следующего выражения: , где S — площадь p-n перехода. Подставив зависимость (3) в последнюю формулу и продифференцировав по напряжению, получим следующее выражение для барьерной емкости:

.

Ф4 (4)

Первый сомножитель в (4) определяет емкость обычного плоского конденсатора, второй — характеризует зависимость барьерной емкости от приложенного обратного напряжения.

Дата добавления: 2015-07-14