Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

Дефекты кристаллической решетки

Читайте также:
  1. Антенные решетки
  2. Болезни, дефекты и недостатки вин.
  3. Влияние дефектов решетки на механические
  4. Графические дефекты
  5. Дефекты (болезни).
  6. ДЕФЕКТЫ АРТИКУЛЯЦИИ
  7. Дефекты бумаги

(реальное строение кристаллов)

В реальных кристаллах всегда имеются отклонения от идеального порядка в расположении атомов, называемые несовершенствами или дефектами решетки. По геометрии вызываемых ими нарушений решетки дефектыподразделяют на точечные, линейные и поверхностные.

Точечные дефекты

На рис. 1.2.5 показаны различные виды точечных дефектов. Это вакансии – пустые узлы решетки, «свои» атомы в междоузлии и атомы примесей в узлах решетки и междоузлиях. Основная причина образования первых двух видов дефектов – движение атомов, интенсивность которого возрастает с повышением температуры.

 

Рис. 1.2.5. Типы точечных дефектов кристаллической решетки:

1 – вакансия,

2 – атом в междоузлии,

3 и 4 – атомы примесей в узле и междоузлии соответственно

 

 

Вокруг любого точечного дефекта возникает местное искажение решетки радиусом R в 1…2 периода решетки (см. рис. 1.2.6), поэтому, если таких дефектов много, они влияют на характер распределения межатомных сил связи и, соответственно, на свойства кристаллов.

 

 

Рис. 1.2.6. Локальное искажение кристаллической решетки вокруг

вакансии (а) и примесного атома в узле решетки (б)

Линейные дефекты

G
Линейные дефекты называются дислокациями. Их появление вызвано наличием в отдельных частях кристалла «лишних» атомных полуплоскостей (экстраплоскости). Они возникают в процессе кристаллизации металлов (из-за нарушения порядка заполнения атомных слоев) или в результате их пластического деформирования, как показано на рис. 1.2.7.

 

 

Рис. 1.2.7. Образование краевой дислокации (^) в результате частичного сдвига верхней части кристалла под действием усилия : АВСD - плоскость скольжения; EFGН – экстраплоскость;

EН – линия краевой дислокации

Видно, что под влиянием сдвигающего усилия произошел частичный сдвиг верхней части кристалла вдоль некоторой плоскости скольжения («легкого сдвига») АВСD. В результате образовалась экстраплоскость EFGH. Поскольку она не имеет продолжения вниз, вокруг ее края EH возникает упругое искажение решетки радиусом в несколько межатомных расстояний (т.е.» 10-7см – см. тема 1.2.1), протяженность же этого искажения во много раз больше (может доходить до» 0,1…1 см).

Такое несовершенство кристалла вокруг края экстраплоскости является линейным дефектом решетки и называется краевой дислокацией.

Важнейшие механические свойства металлов – прочность и пластичность (см. тема 1.1) – определяются наличием дислокаций и их поведением при нагружении тела.


Дата добавления: 2015-11-28; просмотров: 81 | Нарушение авторских прав



mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.007 сек.)