Читайте также:
|
1.Химическая обработка подложки
|
2. После очистки на поверхности пластин термическим окислением в
атмосфере водяного пара или влажного О2 при Т = 10000 С выращивается слой окисла толщиной 0,3 мкм.
При окислении в парах воды источником окислителя служит вода высокой чистоты (10 – 20 МОм*см), которая нагревается до температуры, достаточной для образования потока водяных паров. Окисление в парах воды используется редко, т. к. образующаяся при этом плёнка отличается рыхлостью.
Окисление во влажном О2 представляет комбинацию двух процессов: окисления в парах воды и в сухом О2. При этом может быть выбран режим, при котором скорость окисления будет как при окислении в парах воды, а качество оксида не намного хуже, чем при окислении в сухом О2.
3. ЖХТ окисла на 0.3 мкм для создания кармана.
4. Окисление кремния: Т = 11500 С в атмосфере влажного кислорода, толщина окисла 0,6 мкм. Он служит маской для проведения диффузии, для получения более плотной структуры и снижения плотности поверхностных состояний на границе разделе кремний – диэлектрик в том же объеме, проводится высокотемпературная обработка в инертной среде.
 |
p
5. Фотолитография 1 для формирования n-кармана.
6. ЖХТ окисла в окнах: х = 0.6 мкм.
 |
p
7. Удаление фоторезиста, химическая обработка.
8. Окисление: Т = 8500 С, 23 мин, в парах О2, x = 0,03 мкм.
9. Ионное легирование фосфором: N= 1017см
10.Отжиг примеси в кармане: Т = 10000 С, сухой О2 300 мин.
11.Травление окисла на всю толщину.
12.Окисление: Т = 11000С, в сухом О2, хN = 0,033 мкм, 30 мин.
13.Осаждение нитрида кремния: Т = 750 0С, хN = 0.15-0,2 мкм.
3SiH4+4NH3=Si3N4+12H2
(Недостатки SiO2: малая подвижность ионов щелочных металлов в них, сравнительно высокая пористость тонких плёнок, низкая диэлектрическая проницаемость 3,9, недостаточные свойства от воздействия влаги, кислорода, радиации. Поэтому двухслойные покрытия сочетают свойства двух диэлектриков. В качестве нижнего слоя используется термически выращенная двуокись Si, обеспечивающая наилучшие свойства границы раздела полупроводник – диэлектрик, а материал верхнего слоя выбирается исходя из требований по улучшению технологических или других свойств структуры. Для стабилизации заряда в системе полупроводник – диэлектрик, плёнки Si3N4 обладают высокой плотностью ловушек для электронов. Существуют условия для перезарядки ловушек (прямое туннелирование) носителей из полупроводника на границу раздела SiO2 – Si3N4 через тонкий слой окисла, поэтому толщина окисла должна быть 30 – 50 нм, это исключает возможность тунеллирования.)
14. Фотолитография 2, формирование изолирующих областей.
15. Плазмохимическое травление нитрида кремния, окисла и подложки на1 мкм.
Ионное легирование Бором.
16. Удаление фоторезиста, химическая обработка.
17. Окисление кремния до 1.7мкм
18. ПХТ нитрида и слоя окисла.
Формирование подзатворного диэлектрика.
19. Химическая очистка поверхности.
20. Плазмохимическая очистка поверхности
21. Термическое окисление для создания подзатворного диэлектрика.
Создание затворов.
22. Осаждение поликремния: Т = 600 0С, из газовой фазы
SiH4=Si+2 H2
23. Фотолитография по поликремнию.
24. ПХТ поликремния(в атмосфере Cl2)
25. Удаление фоторезиста.
Формирование областей n и p типа
26. Фотолитография.
27. Ионное легирование мышьяком.
28. Удаление фоторезиста.
29. Фотолитография.
30. Ионное легирование Бором.
31. Удаление фоторезиста.
32. Отжиг для активации примеси.
Формирование омических контактов.
33. Нанесение SiO2
34. Фотолитография по окислу.
35. ПХТ по SiO2.
36. Нанесение металла Ti методом магнетронного распыления.
37. Отжиг для создания силицида титана.
38. ПХТ не прореагиравшего титана.
Формирование металлизации и создание пассивирующего слоя.
39. Нанесение алюминия d=0.6мкм.
40. Фотолитография по алюминию.
41. ПХТ алюминия.
42. Отжиг для создания контакта алюминия с силицидом.
43. Удаление фоторезиста.
44. Нанесение SiO2.
3 Глава:
Эпитаксия.
Процесс ориентированного наращивания, в результате которого новая фаза продолжает кристаллическую решетку подложки с образованием переходного эпитаксиального слоя. Этот слой способствует когерентному срастанию двух решеток по плоскостям и направлениям со сходной плотностью упаковки атомов. Эпитаксию можно разделить на три вида:
автоэпитаксия – это процесс ориентированного наращивания кристаллического вещества, очень незначительно отличающегося по составу от вещества подложки;
гетероэпитаксия – это процесс ориентированного наращивания одного вещества, отличающегося по составу от другого вещества;
хемоэпитаксия – это процесс ориентированного наращивания, в результате которого образование новой фазы происходит при химическом взаимодействии вещества подложки с веществом, поступающим из внешней среды.
Эпитаксиальные слои можно получить из газообразной фазы или из конденсированной фазы (жидкой и твердой).
Дата добавления: 2015-12-08; просмотров: 111 | Нарушение авторских прав