Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

Материал из Википедии

Читайте также:
  1. II. Материалистическая философия К. Маркса.
  2. POS материалы
  3. S6.14 Сопроводительные материалы
  4. АЗ в Материальном Мире
  5. Активный раздаточный материал
  6. Активный раздаточный материал
  7. Активный раздаточный материал

Зако́н Му́ра — эмпирическое наблюдение, сделанное в 1965 году (через шесть лет после изобретения интегральной схемы), в процессе подготовки выступления Гордоном Муром (одним из основателей Intel). Он высказал предположение, что число транзисторов на кристалле будет удваиваться каждые 24 месяца. Представив в виде графика рост производительности запоминающих микросхем, он обнаружил закономерность: новые модели микросхем разрабатывались спустя более или менее одинаковые периоды (18—24 мес.) после появления их предшественников, а ёмкость их при этом возрастала каждый раз примерно вдвое. Если такая тенденция продолжится, заключил Мур, то мощность вычислительных устройств экспоненциально возрастёт на протяжении относительно короткого промежутка времени.

Это наблюдение получило название «закон Мура». Существует масса схожих утверждений, которые характеризуют процессы экспоненциального роста, также именуемых «законами Мура». К примеру, менее известный «второй закон Мура», введённый в 1998 году Юджином Мейераном, который гласит, что стоимость фабрик по производству микросхем экспоненциально возрастает с усложнением производимых микросхем. Так, стоимость фабрики, на которой корпорация Intel производила микросхемы динамической памяти ёмкостью 1 Кбит, составляла 4 млн. $, а оборудование по производству микропроцессора Pentium по 0,6-микронной технологии c 5,5 млн. транзисторов обошлось в 2 млрд. $. Стоимость же Fab32, завода по производству процессоров на базе 45-нм техпроцесса, составила 3 млрд. $[1].

В книге «Искусство схемотехники» Хилла и Хоровица (1980 годы) приводится образное сравнение — если бы Боинг 747 прогрессировал с такой же скоростью, с какой прогрессирует твердотельная электроника, то он умещался бы в спичечном коробке и облетал бы без дозаправки земной шар 40 раз.

 

«Закон Мура» скоро умрет?

-- По словам официальных представителей Intel, в 2012 г. полупроводниковая индустрия перейдет на технологический процесс с топологическим уровнем 10 и менее нанометров. При этом сделать это смогут только крупные производители в связи с дорогостоящей модернизацией оборудования. Как прогнозируют в Intel, после перехода на 10-нм топологию перестанет работать «закон Мура» об удвоении числа транзисторов в микросхеме каждые 2 года.
-- По рассчетам специалистов iSuppli, уже к 2014 году закон Мура перестанет определять развитие полупроводниковой отрасли.

-- Это не первые попытки различных специалистов предсказать будущее самого известного в индустрии высказывания, однако до сих пор ни один из прогнозов не выполнился. На данный момент наиболее достоверным является мнение автора закона – Гордона Мура, одного из основателей Intel. В 2007 году он предположил, что его гипотеза будет верна еще как минимум 10 лет, а затем производство транзисторов зайдет в тупик в силу атомарной природы вещества и ограничения скорости света.

 


 

 


Дата добавления: 2015-10-23; просмотров: 135 | Нарушение авторских прав


Читайте в этой же книге: Типы связей в кристаллах (конспективно) | Кристаллические решетки. Операции симметрии. | Положение и ориентация плоскостей и направлений в кристалле | Тепловые колебания атомов решетки | Поликристаллические и аморфные материалы | Фазовые диаграммы и твердые растворы | Метод Чохральского | Метод зонной плавки (безтигельный метод). | Электропроводность собственного полупроводника в рамках модели ковалентной связи | Электропроводность примесных полупроводников в рамках модели ковалентной связи |
<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Дискретная электроника на электровакуумных приборах.| В.3. Классификация веществ по удельной электрической проводимости. Основные представления о свойствах полупроводников.

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.006 сек.)