Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

Частотные свойства МДП-транзисторов и модели.

Читайте также:
  1. I. Общие свойства хрящевых тканей
  2. I. СВОЙСТВА АТМОСФЕРЫ.
  3. Аксиомы векторного пространства. Линейная зависимость и независимость системы векторов. Свойства линейной зависимости.
  4. Акцент на функциональные свойства и преимущества
  5. Базовые физические свойства горных пород
  6. В. В. Похлёбкин. Чай, его история, свойства и употребление
  7. ВЕЩЕСТВА С АНАБОЛИЧЕСКИМИ СВОЙСТВАМИ

 

Частотные свойства транзистора определяется временем пролета канала и емкостями различных структур. Путь, проходимый электроном – длина канала + длина зоны перекрытия.

Напряженность поля в канале

В зоне перекрытия электроны движутся со скоростью насыщения.

При малой величине зоны перекрытия вторым членом пренебрегаем. Первое слагаемое преобразуется к виду (если подставить все выражения для С и Ri0)

Таким образом, время пролета равно времени заряда емкости затвор-канал через сопротивление канала (выходное транзистора) при 0 напряжении исток – сток.

Конечность времени пролета выражается в комплексности крутизны.

fS – предельная частота, на которой S уменьшается в раз.

Анализ частотных характеристик можно выполнить, нарисовав эквивалентную схему полевого транзистора.

Рассматриваем упрощенную схему в Упрощенная схема в получается из схемы б при Сзи = Сзканпер. rи<<Ri0, f<<fs

СЗС = Сперекрытия, СЗИ = СЗКанал+ СПерекрытия

Как и ранее Учет этого приводит к простой схеме а.

На рис а показано, как учитывать время пролета. При коротком замыкании по переменному току сток – исток

Отсюда получается выражение для S, т.к. время пролета.

Анализ показывает, что . Граничная частота, на которой коэффициент усиления по напряжению равен 1.

Граничная частота МДП-транзистора меньше БП, т.к. меньше крутизна.

Крутизна БП –

Крутизна МДП – .

При Ik = Ic

Роль емкости затвор – сток.См. схему в.

Составляющая тока, протекающего через конденсатор Сзс, (напряжение на конденсаторе делим на емкостное сопротивление)

Эффективная емкость получается Полная емкость

(эффект Миллера)

Ток, протекающий через конденсатор СЗС, создает дополнительное напряжение на затворе. Возникает обратная связь по напряжению. Она на высоких частотах может быть положительна.


Дата добавления: 2015-07-08; просмотров: 237 | Нарушение авторских прав


<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Механизм образования канала и протекание тока.| Импульсный режим работы транзистора.

mybiblioteka.su - 2015-2018 год. (0.006 сек.)