Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

Цель работы: изучение свойств полевого транзистора, исследование его характеристик и параметров в пентодном режиме.

Читайте также:
  1. I. Общая характеристика
  2. I. Общие свойства хрящевых тканей
  3. I. СВОЙСТВА АТМОСФЕРЫ.
  4. II. ИССЛЕДОВАНИЕ ДЕФОРМАЦИЙ И ПЕРЕМЕЩЕНИЙ В ОБРАЗЦАХ
  5. III Построить графики амплитудных характеристик усилителя для четырех различных нагрузок и режима холостого хода, и определить динамический диапазон усилителя для каждого случая.
  6. III.3.5. ХАРАКТЕРИСТИКА ИММУНГЛОБУЛИНОВ - АНТИТЕЛ
  7. IV Исследовать амплитудную характеристику усилителя.

Лабораторная работа № 2

"Исследование полевого транзистора с затвором на основе p-n – перехода и каналом __-типа"

Цель работы: изучение свойств полевого транзистора, исследование его характеристик и параметров в "пентодном" режиме.

 

2. Задание:

2.1 Ознакомиться с паспортными данными транзистора _____. Записать предельно допустимые эксплутационные данные, которые нельзя превышать при проведении измерений.

2.2. Собрать схему для снятия "пентодных" характеристик транзистора ______.

2.3. Снять стоковые характеристики транзистора: IС=f(UС) при напряжении на затворе UЗ=0В; =1В; =2В; =3В. Напряжение на стоке изменять от 0 до 3В через 0,5В и далее до 15В через 2В. Показания приборов занести в таблицу.

2.4 Снять стоко-затворные характеристики транзистора: IС=f(UЗ) при напряжении на стоке UС=-5В; -7,5В; -10В. Напряжение на затворе изменять от 0 до 5В через 0,5В. Показания приборов занести в таблицу.

 

3. Обработка результатов измерений:

3.1. Построить стоковые характеристики триода IС=f(UС) для заданных напряжений затвора UЗ.

3.2. По стоковым характеристикам определить:

а) напряжение насыщения стока UС.Н.

б) ток насыщения транзистора IС.Н. при UЗ=0В и UС=UС.И.О.

в) выходное сопротивление транзистора при UЗ=0В и UС>UС.Н. по формуле RВЫХ = UС/dIС

г) сопротивление полностью открытого канала RК.О.

3.3. Построить стоко-затворные характеристики IС = f(UЗ) для заданных значениях напряжений на стоке UС.

3.4. По стоко-затворным характеристикам определить:

а) напряжение отсечки UЗ.О.

б) максимальную крутизну транзистора SMAX =dIС/dUЗ при UС=UС.Н.

 

 
 

 

 


Рис. 1. Схема измерения характеристик полевого транзистора в «пентодном» режиме.

 

 

Таблица 1.

Стоковые характеристики транзистора: IС = f(UС)

 

UЗ   Uс
  0,5   1,5   2,5              
  Iс,мА                            
  Iс,мА                            
  Iс,мА                            
  Iс,мА                            

 

Таблица 2.

Стоко-затворные характеристики транзистора: IС=f(UЗ)

 

UС   UЗ
  0,5   1,5   2,5   3,5   4,5  
-5 Iс,мА                        
-7,5 Iс,мА                        
-10 Iс,мА                        

 

 

Рис. 2. Стоковые характеристики транзистора.

Рис. 3. Стоко-затворные характеристики транзистора.

 

Напряжение насыщения стока UС.Н.  
Ток насыщения транзистора IС.Н.  
при UЗ=0В  
при UС=UС.И.О.  
Выходное сопротивление транзистора  
при UЗ=0В  
при UС>UС.Н.  
Сопротивление полностью открытого канала RК.О  
Напряжение отсечки UЗ.О.  
Максимальная крутизна транзистора SMAX при UС=UС.Н.  

 

Выводы:

 

Указания к работе: Полярность напряжений и пределы изменения должны соответствовать типу транзистору.


Дата добавления: 2015-07-08; просмотров: 168 | Нарушение авторских прав


<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Составление эквивалентной схемы замещения транзистора.| Тема: Почтовый клиент

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.007 сек.)