Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

Расчет инвертора

Читайте также:
  1. II. Отнесение опасных отходов к классу опасности для ОКРУЖАЮЩЕЙ ПРИРОДНОЙ СРЕДЫ расчетным методом
  2. II. Порядок расчета платы за коммунальные услуги
  3. II. СПОСОБЫ РАСЧЕТА ТОЧКИ ОТДЕЛЕНИЯ ПАРАШЮТИСТОВ ОТ ВОЗДУШНОГО СУДНА.
  4. VI. Порядок расчета и внесения платы за коммунальные услуги
  5. А) расчеты с работниками банка по подотчетным суммам
  6. А). Расчет электроснабжения
  7. Алгоритм расчета передачи

Максимальный ток через ключи инвертора определяется из выражения

, (П7.3)

где Рном – номинальная мощность двигателя, Вт; k1 = 1,2–1,5 – коэффициент допустимой кратковременной перегрузки по току, необходимой для обеспечения динамики ЭП; k2= 1,1 –1,2 – коэффициент допустимой мгновенной пульсации тока; ηном – номинальный КПД двигателя; Uл – линейное напряжение двигателя, В.

Ключи IGBT выбираются с постоянным (номинальным) током коллектора IcIc max.

Продолжение прил. 7

 

Расчет потерь в инверторе при ШИМ формировании синусоидального тока на выходе заключается в определении составляющих потерь IGBT в проводящем состоянии и при коммутации, а также потерь обратного диода.

Потери в IGBT в проводящем состоянии

, (П7.4)

где Icр = Ic max /k1 – максимальная амплитуда тока на входе инвертора, A; D = tр/T ≈ 0,95 – максимальная скважность; cosθ ≈ cosφ – коэффициент мощности; Uce(sat) – прямое падение напряжения на IGBT в насыщенном состоянии при Icр и Тj = 125°С (типовое значение Uce(sat ) = 2,1–2,2 В).

Потери IGBT при коммутации

, (П7.5)

где tс(on), tс(off) – продолжительность переходных процессов по цепи коллектора IGBT на открывание tс(on) и закрывание tс(off) транзистора, с (типовое значение tс(on) = 0,3–0,4 мкс; tс(off) = 0,6–0,7 мкс); Uсс – напряжение на коллекторе IGBT, В (коммутируемое напряжение, равное напряжению звена постоянного тока для системы АИН–ШИМ); fsw – частота коммутаций ключей, Гц (частота ШИМ), обычно от 5000 до 15 000 Гц.

Суммарные потери IGBT

PQ = PSS + PSW. (П7.6)

Потери диода в проводящем состоянии

. (П7.7)

где IерIcр – максимальная амплитуда тока через обратный диод, А; Uе – прямое падение напряжения на диоде (в проводящем состоянии) при Iер, В.

Потери при восстановлении запирающих свойств диода

PDR =(Irr Ucc trr fsw)/8, (П7.8)

где Irr – амплитуда обратного тока через диод, А (IrrIср); trr – продолжительность импульса обратного тока, с (типовое значение 0,2 мкc). Суммарные потери диода

PD = PDS + PDR. (П7.9)

Результирующие потери в IGBT с обратным диодом

PT = PQ + PD = PSS + PSW + PDS + PDR . (П7.10)

Продолжение прил. 7

 

Найденные результирующие потери являются основой для теплового расчета инвертора, в ходе которого определяются тип и геометрические размеры необходимого охладителя, а также проверяется тепловой режим работы кристаллов IGBT и обратного диода.

Максимально допустимое переходное сопротивление охладитель–окружающая среда Rth(f-a), °С/Вт, в расчете на пару IGBT/FWD (транзистор/обратный диод)

, (П7.11)

где Та = 45–50°С – температура охлаждающего воздуха; Тс = 90–110°С – температура теплопроводящей пластины; РT – суммарная мощность, Вт, рассеиваемая одной парой IGBT/FWD; Rth(c-f) – термическое переходное сопротивление корпус–поверхность теплопроводящей пластины модуля в расчете на одну пару IGBT/FWD, °С/Вт.

Температура кристалла IGBT, °С, определяется по формуле

Tja = Tc + PQ Rth(j-c)q, (П7.12)

где Rth(j-c)q – термическое переходное сопротивление кристалл–корпус для IGBT части модуля, °С/Вт. При этом должно выполняться условие Tja < 125°С.

Температура кристалла обратного диода FWD, °С,

Tjd = Tc + PDRth(j-c)d , (П7.13)

где Rth(j-c)d – термическое переходное сопротивление кристалл–корпус для FWD части модуля, °С/Вт.

Должно выполняться условие Тjd < 125°С.

Если Тjd ≥ 125°С или опасно приближается к этой максимально допустимой температуре кристалла, то нужно улучшить теплоотдачу за счет использования охладителя с меньшим значением сопротивления Rth(f-a), т.е. задавшись меньшей температурой корпуса Тс.


Дата добавления: 2015-07-08; просмотров: 202 | Нарушение авторских прав


Читайте в этой же книге: Выбор тепловых реле | Выбор плавких предохранителей | Выбор тепловых реле | Расчет и выбор аппаратов защиты системы ПЧ-АД | Выбор тиристорного преобразователя | Приложение 1 | УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ АППАРАТОВ | Типы преобразователей частоты | Электромеханические преобразователи частоты. | Статические преобразователи частоты |
<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Пример реализации частотно-управляемого ЭП с использованием ПЧ с АИН| Расчет выпрямителя

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.007 сек.)