Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АрхитектураБиологияГеографияДругоеИностранные языки
ИнформатикаИсторияКультураЛитератураМатематика
МедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогика
ПолитикаПравоПрограммированиеПсихологияРелигия
СоциологияСпортСтроительствоФизикаФилософия
ФинансыХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника

Электронно-дырочный переход при обратном напряжении

Электротехнические материалы (проводники, полупроводники, диэлектрики). | Ферромагнитные материалы. Свойства и их применение. | Основные законы электрических цепей. Закон Ома. | Фотодиоды. Основные характеристики. | Собственная электронная и дырочная электропроводность | Электрические цепи с несколькими источниками. Метод контурных токов | Общие сведения о биполярных транзисторах | Основные типы диодов и их назначений | Векторные диаграммы. Цепь, содержащая активное сопротивление | Усиление с помощью транзистора |


Читайте также:
  1. XVII век – век перехода от средневековой литературы к литературе Нового времени (на любых конкретных литературных примерах).
  2. А почему Вы думаете, что у христиан такая педагика не переходит в догматику?
  3. Анализ переходных процессов в цепях первого порядка классическим методом
  4. В которой идет речь о том, как Дэн Ай совершил переход через горы, и о том, как в битве при Мяньчжу погиб Чжугэ Чжань
  5. Ведущий 2:Ну а мы переходим к следующему конкурсу «Творческий конкурс».
  6. Видение Стыда Как Ритуала Перехода
  7. Вторая инициация. Переход в стадию продуктивности

 

Обратным напряжением (Uобр) называют внешнее напряжение, полярность которого совпадает с полярностью контактной разности потенциалов; оно приложено плюсом к n-области, а минусом – к р-области (рис. 2.3, а). При этом потенциальный барьер возрастает; он численно равен сумме внутреннего и внешнего напряжений (рис. 2.3, б):

Повышение потенциального барьера препятствует диффузии основных носителей заряда через p-n-переход, и она уменьшается, а при некотором значении Uобр совсем прекращается. Одновременно под действием электрического поля, созданного внешним напряжением, основные носители заряда будут отходить от p-n-перехода. Соответственно расширяется слой, обедненный носителями заряда, и расширяется p-n-переход, причем его сопротивление возрастает.

 

Внутреннее электрическое поле в p-n-переходе, соответствующее возросшему потенциальному барьеру, способствует движению через переход неосновных носителей заряда. При приближении их к p-n-переходу электрическое поле захватывает их и переносит через p-n переход в область с противоположным типом электропроводности: электроны из р-области в n-область, а дырки – из n-области в р-область. Поскольку количество неосновных носителей заряда очень мало и не зависит от величины приложенного напряжения, то создаваемый их движением ток через p-n-переход очень мал.

 

Ток, протекающий через p-n-переход при обратном напряжении, называют обратным током (Iобр)..Обратный ток по характеру является дрейфовым тепловым током

(Iобр = Iт), который не зависит от обратного напряжения.

 

Процесс захватывания электрическим полем p-n-перехода неосновных носителей заряда и переноса их при обратном напряжении через p-n-переход в область с противоположным типом электропроводности называют экстракцией.

 

Уход неосновных носителей заряда в результате экстракции приводит к снижению их концентраций в данной области около границы p-n-перехода практически до нуля. Это вызывает диффузию неосновных носителей заряда из глубины области в направлении к p-n-переходу, что компенсирует убыль неосновных носителей, ушедших в другую область. Движение неосновных носителей заряда к p-n-переходу создает электрический ток в объеме полупроводника. Компенсация убыли электронов в объеме полупроводника p-типа происходит за счет пополнения их из внешней цепи от минуса источника питания. Это вызывает прохождение электрического тока во внешней цепи.

 


Дата добавления: 2015-11-04; просмотров: 50 | Нарушение авторских прав


<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Электронно-дырочный переход при прямом напряжении| Фоторезисторы. Основные физические характеристики.

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.005 сек.)