Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АрхитектураБиологияГеографияДругоеИностранные языки
ИнформатикаИсторияКультураЛитератураМатематика
МедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогика
ПолитикаПравоПрограммированиеПсихологияРелигия
СоциологияСпортСтроительствоФизикаФилософия
ФинансыХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника

Резонансно-туннельные транзисторы.

Кремниевые МДП транзисторы | High-K технология metal gate. | КНИ МДП транзисторы. | Транзисторы с двойным затвором. | Полевые транзисторы с затвором Шоттки. | Гетеротранзисторы | Транзисторы на основе одноэлектронного туннелирования. | Кремниевый одноэлектронный транзистор с двумя затворами. | Квантово-точечный КНИ транзистор. | Молекулярный одноэлектронный транзистор. |


Читайте также:
  1. КНИ МДП транзисторы.
  2. НЕМТ-транзисторы.
  3. Фототранзисторы. Основные схемы включения.

Когда электроны заключены в области пространства, размеры которого сравнимы с длиной волны электрона и ограниченные потенциальными барьерами, появляются два взаимосвя­занных эффекта. Первый из них — размерное квантование. Другой эффект — резонанс, который наступает при опреде­ленных условиях размерного квантования, в этом случае электронные волны отражают­ся от стенок квантовой потен­циальной ямы.

Если энергетические уров­ни электронов по обе стороны барьеров совпадают по энер­гии, то речь идет о резонансе электронных волн. В этом слу­чае наблюдается резкое возра­стание туннельного тока. Стоит отметить, что размерное квантование и резонанс являются следствием явлении интерференции волн, бегущих в прямом и об­ратном направлениях.

Ка рис. 3.13 приведена N-образная ВАХ арсенид-галлиевого при­бора. В таких приборах в определенном интервале напряжений ток уменьшается с увеличением напряжения. Это объясняется тем, что при определенном напряжении, которое называется резонансным, средняя энергия электронов в материале n-типа смещается и совпа­дает с одним из квантовых уровней в потенциальной яме.

 

Рис. 3.13. Квантование энергетических состояний в потенциальной яме в зависимости от участка ВАХ квантовых приборов.

 

При изменении напряжения некоторые энергетические состоя­ния, занятые электронами в легированном арсениде галлия, ока­зываются между квантовыми уровнями в яме. При резонансном напряжении электроны туннелируют по направлениям указанным стрелкой через энергетический барьер в квантовую яму (рис. 3.13).

При долинном напряжении туннелирования не происходит пото­му, что в потенциальной яме нет совпадающих по энергии уровней. N-образной ВАХ обладают и диодные р+—п+ -структуры с межзонным туннелированием носителей заряда.

На основе эффекта резонансного туннелирования созданы тун­нельно-резонансные структуры (ТРС), которые применяются в по­лупроводниковой электронике и оптоэлектронике.

Основными приборами на туннельно-резонансных структурах, в которых можно создать одну или несколько квантовых ям, стали ди­оды и их различные комбинации. В таких структурах возможно обеспечение механизма резонансного переноса электронов в силь­ном электрическом поле.

Такой механизм переноса позволяет электронам набрать значи­тельную энергию по отношению ко дну зоны проводимости узкозон­ного материала, а также получить на выходе структуры моноэнергетический пучок горячих электронов.

Созданы туннельно-резонансные транзисторы, в том числе с квантовыми ямами.

 

 


Дата добавления: 2015-10-28; просмотров: 558 | Нарушение авторских прав


<== предыдущая страница | следующая страница ==>
НЕМТ-транзисторы.| Гетероструктурный транзистор на квантовых точках.

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.006 сек.)