Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АрхитектураБиологияГеографияДругоеИностранные языки
ИнформатикаИсторияКультураЛитератураМатематика
МедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогика
ПолитикаПравоПрограммированиеПсихологияРелигия
СоциологияСпортСтроительствоФизикаФилософия
ФинансыХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника

Влияние на работу выхода адсорбционных слоев

Поведение сверхпроводников во внешних электрическом и магнитном поле | Критические параметры сверхпроводников | Сверхпроводники I-го и II-го рода. | Эффекты Джозефсона в сверхпроводниках и их теоретическое описание. | Практическое использование эффектов Джозефсона. | Гальваномагнитные явления. | Эффект Холла | Связь постоянной Холла с концентрацией и знаком носителей заряда | Эффекты Эттингсгаузена и Нернста |


Читайте также:
  1. II. Задание на выпускную квалификационную работу.
  2. Аналитическое определение точки выхода из плоскости
  3. Баллы присуждаемые за работу
  4. Биосинтез, локализация, влияние факторов на накопление производных антрацена в растениях
  5. В этой зоне на человека оказывают постоянное влияние эгрегоры. Человек неосознанно мыслит и выражается определенными низменными шаблонами. Так называемый - темный эгрегор.
  6. В этой зоне на человека оказывают постоянное влияние эгрегоры. Человек неосознанно мыслит и выражается определенными низменными шаблонами. Так называемый-темный эгрегор.
  7. Включение мышления в работу

(ответ на этот вопрос в и-нете не нашел, скатал вывод из чужой лабы)

Расчеты показывают, что с увеличением концентрации атомов меди в пленке работа выхода адсорбционной системы приближается к значению работы выхода электрона с чистой поверхности.

1. Проведенные в рамках метода функционала плотности расчеты энергии адсорбции атомов щелочных металлов на металлических подложках показали, что активированная адсорбция атомов щелочных металлов является энергетически более выгодной по сравнению с монослойным покрытием для всех значений параметра Θ. Получена зависимость энергии адсорбции от состава пленки адсорбата и приповерхностного слоя в предположении об образующихся в них бинарных твердых растворов.

2. Процессы перемешивания атомов переходных металлов с приповерхностными атомами подложки являются энергетически более выгодными по сравнению с монослойным покрытием и с увеличением температуры энергетически более выгодной становится адсорбционная структура типа "сандвича", что подтверждается экспериментом.

3. Проведенные в рамках метода функционала плотности расчеты работы выхода электрона с поверхности подложки с адсорбированной металлической пленкой показали, что для всех типов покрытий адсорбаты из атомов щелочных металлов понижают величину работы выхода, в то время как адсорбция атомов переходных металлов может как повышать работу выхода электрона (валентность атомов адсорбата больше валентности атомов подложки), так и понижать ее (валентность атомов адсорбата меньше валентности атомов подложки).

4. Получена зависимость изменения величины работы выхода электрона от состава пленки адсорбата и приповерхностного слоя в предположении об образующихся в них бинарных твердых растворов. Предсказываемые изменения величин работы выхода для структур, образующихся при адсорбции щелочных металлов на плотноупакованной грани подложки из алюминия, находятся в хорошем согласии с экспериментально измеренными значениями работы выхода

Термоэлектронная эмиссия.

Термоэлектронная эмиссия - испускание эл-нов нагретыми телами (эмиттерами) в вакуум или др. среду. Выйти из тела могут только те эл-ны, энергия к-рых больше энергии эл-на, покоящегося вне тела. Число таких эл-нов в условиях термодинамич. равновесия, в соответствии с Ферми — Дирака распределением, ничтожно мало при темп-рах Т=300 К и экспоненциально возрастает с темп-рой. Поэтому ток Т. э. заметен только для нагретых тел. При отсутствии «отсасывающего» электрич. поля (или при малой его величине) вылетевшие эл-ны образуют вблизи поверхности эмиттера отрицательный пространственный заряд, ограничивающий ток Т. э. При V=V0 пространственный заряд рассасывается, и ток достигает насыщения j0, а при дальнейшем увеличении V — слабо растёт в соответствии с Шоттки эффектом. В сильных электрич. полях (E>106 В/см) к Т. э. добавляется автоэлектронная эмиссия.

 

 


Дата добавления: 2015-10-02; просмотров: 88 | Нарушение авторских прав


<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Изменение электро­проводности проводников в магнитном поле| Молитвенный щит

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.005 сек.)