Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АрхитектураБиологияГеографияДругоеИностранные языки
ИнформатикаИсторияКультураЛитератураМатематика
МедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогика
ПолитикаПравоПрограммированиеПсихологияРелигия
СоциологияСпортСтроительствоФизикаФилософия
ФинансыХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника

Статические характеристики в схеме с общей базой

Последовательное включение диодов | Особенности германиевых и кремниевых ВД | Импульсные диоды | Температура шумов | Добротность | Прямое смещение на диод. | P-i-n диоды | Температурный коэффициент напряжения | Температурный коэффициент ёмкости | Принцип действия биполярных транзисторов |


Читайте также:
  1. II. Характеристики Божьего остатка
  2. В философии этого древнегреческого мыслителя главной является мысль о всеобщей изменчивости и развитии через борьбу противоположностей
  3. Вина и ее основные характеристики
  4. Возможности характеристики крупности
  5. Воспринимаемые и объективные характеристики работы
  6. Выяснение общей ориентации детей в окружающем мире и имеющегося у них запаса бытовых знаний
  7. ДОКАЗАТЕЛЬСТВО ХАРАКТЕРИСТИКИ СЕКУНДЫ КАК УНИВЕРСАЛЬНОГО КВАНТА ВРЕМЕНИ

 

 

 

 


1. Зависимость при представляет собой ВАХ диода смещенного в прямом направлении. При увеличении начальный участок несколько спрямляется, но в транзисторе база очень узкая. Объемное сопротивление базы меньше, чем у диодов и падение напряжения становится заметным только при больших токах .

При подаче входная характеристика смещается в сторону меньших значений . В результате резкого уменьшения ширины базы градиент неосновных носителей в базе увеличивается и при неизменном напряжении ток эмиттера несколько увеличивается.

При даже если , поскольку в базе существуют некоторый градиент концентраций неосновных носителей.

2. Зависимость

Ряд почти прямых параллельных линий, идущих в область напряжения почти параллельно оси абсцисс. Увеличение тока Э вызывает пропорциональный рост . При характеристика представляет собой ВАХ диода, смещенного в обратном направлении, при этом равна . Незначительный наклон всех характеристик по отношению к оси абсцисс объясняется уменьшением ширины Б при увеличении .

При значительном увеличении может развиться лавинный пробой, переходящий затем в тепловой. При ток резко уменьшается, так как коллекторный переход открывается, транзистор начинает работать в режиме насыщения и поток дырок из Б в К компенсируется встречным диффузионным потоком дырок из К в Б.

 

 

3.

Характеристики представляют собой прямые линии с углом наклона к оси абсцисс меньше 45 градусов, т.к. . При характеристика несколько отклонена к биссектрисе угла, т.е. к 45 градусам. Причина –уменьшение ширины Б и следовательно при =const несколько увеличивается. Характеристики имеют вид прямых, значит не зависит от .

4.

Эти характеристики отображают сравнения и на величину тока . Из этих характеристик видно, что оказывает незначительное влияние на этот ток. Влияние осуществляется только за счет изменения ширины Б и отображается незначительным наклоном характеристики к оси абсцисс, т.к. при увеличении модуля и при напряжения уменьшается. оказывает значительное влияние на ток, поскольку оно изменяет величину потенциального барьера в эмиттерном переходе. Увеличение расстояния между линиями при одинаковом возрастании происходит в соответствии с законом роста от (по экспоненте).

 


Дата добавления: 2015-10-02; просмотров: 53 | Нарушение авторских прав


<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Статические характеристики БТ| Статические характеристики в схеме с общим эмиттером.

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.006 сек.)