Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АрхитектураБиологияГеографияДругоеИностранные языки
ИнформатикаИсторияКультураЛитератураМатематика
МедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогика
ПолитикаПравоПрограммированиеПсихологияРелигия
СоциологияСпортСтроительствоФизикаФилософия
ФинансыХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника

Обратная ветвь ВАХ

Преподаватель Собчук Н.С. | Fкв(W)—0,5 | Расположение уровня Ферми в п/п. | DP/dX<0 | Условия равновесия | Изменение концентрации зарядов в р-n – переходе | Дырочный ток. | ВАХ p-n-перехода | Несимметричный переход | Контакт металл - п/п |


Читайте также:
  1. Действие НПА во времени. «Обратная сила» и «переживание» закона.
  2. ДИСКУССИЯ, УБЕЖДЕНИЕ, ВЫРАБОТКА КОМПРОМИССА. ОБРАТНАЯ СВЯЗЬ.
  3. Обратная матрица
  4. Обратная связь
  5. Обратная связь
  6. ОЦЕНКА РЕЗУЛЬТАТОВ И ОБРАТНАЯ СВЯЗЬ

При анализе обратной ВАХ p-n-перехода мы считали, что обратный ток обусловлен только дрейфом неосновных носителей, т.е. тепловым током I0.

1. I0 зависит от концентрации неосновных носителей, от интенсивности их генерации вблизи перехода, а также от подвижности, т.е. от типа материала п/п. I0Ge >>I0Si

2. I0 зависит от площади p-n-перехода (чем больше площадь, тем больше ток)

3. Обратный ток может включаться за счёт генерации пар зарядов в самом переходе Iд и за счёт процессов, происходящих на поверхности контакта п/п Iпов. IдGe мал, IдSi обусловлен преобладанием тепловой генерации пар зарядов над процессами рекомбинации, он больше I0

4. Поверхностные явления образуют ток, величина которого сравнима в германиевых диодах с током I0, в кремниевых – с током Iд. Ток растёт пропорционально величине обратного напряжения, зависит от окружающей среды и от длительности работы диода.

I I

U Iпов U

Iпов

I0

I0

Iобр = Iпов + I0

Iобр = Iпов + I0

Ge Si


Дата добавления: 2015-10-02; просмотров: 64 | Нарушение авторских прав


<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Контакт Ме – п/п p-типа| Прямая ветвь ВАХ

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.006 сек.)