Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АрхитектураБиологияГеографияДругоеИностранные языки
ИнформатикаИсторияКультураЛитератураМатематика
МедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогика
ПолитикаПравоПрограммированиеПсихологияРелигия
СоциологияСпортСтроительствоФизикаФилософия
ФинансыХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника

Контакт Ме – п/п p-типа

Преподаватель Собчук Н.С. | Fкв(W)—0,5 | Расположение уровня Ферми в п/п. | DP/dX<0 | Условия равновесия | Изменение концентрации зарядов в р-n – переходе | Дырочный ток. | ВАХ p-n-перехода | Несимметричный переход | Прямая ветвь ВАХ |


Читайте также:
  1. Агрессивный контакт
  2. Вербальный контакт
  3. Визуальный контакт и взаимопонимание в команде
  4. ЕСТЬ ЛИ КАКОЙ-ТО УНИКАЛЬНЫЙ СПОСОБ БЫСТРО ВОЙТИ В.. ФИЗИЧЕСКИЙ КОНТАКТ С ДЕВУШКОЙ
  5. Задания на тренировку зрительного контакта.
  6. Закрытость для инноваций: скудная сеть контактов английского футбола
  7. Зрительный контакт

ej0p > ej0.

W Ме p

ej0p ЗП X

ej0 Wс

WА WФ

ЗП WВ

ВЗ

 

W,U X

ejK

ej0p ej0 Wс

WФ

ЗП ВЗ WВ

L

В этом случае электроны переходят из Ме в п/п, создавая ЗС, поскольку в p-п/п уменьшается концентрация дырок. При подключении прямого напряжения сопротивление ЗС уменьшается, при подключении обратного – увеличивается.

Из-за изменения сопротивления ЗС при подключении напряжения данный переход обладает выпрямляющими свойствами.

Если ej0p >> ej0, то может возникнуть инверсный слой в p-п/п, т.е. слой с электронной проводимостью.

Если ej0p < ej0, то электроны из п/п переходят в Ме, в п/п образуется избыточная концентрация дырок, и слой будет иметь более высокую проводимость, чем п/п – контакт антизапирающий (омический).


Пробой p-n-перехода.

 

Пробоем p-n-перехода называется резкий рост обратного тока через переход при приложении обратного напряжения.

Виды пробоя:

· Лавинный пробой ЛП

· Полевой пробой ПП

· Тепловой пробой ТП

ЛП: развивается в p-n-переходе, образованном слаболегированным п/п (ширина ЗС большая).

Если приложить большое обратное напряжение, то суммарная напряжённость в ЗС велика, так что неосновные носители, проходя через p-n-переход, приобретают энергию, достаточную для ионизации атомов п/п.

При этом дырки и электроны по пути через ЗС образуют новые пары подвижных носителей заряда, которые в свою очередь разгоняются в поле и ионизируют новое поле и т.д.

Т.е. в ЗС развивается лавина подвижных носителей и обратный ток резко увеличивается. Характеризует этот процесс коэффициент умножения, который определяется по формуле:

где N1 – количество электронов, поступивших в p-n-переход

N2 – количество электронов, ионизированных электронами

N’2 – количество электронов, ионизированных дырками.

Важной характеристикой пробоя является обратное напряжение.

А, a - коэффициенты, которые зависят от материала и от типа проводимости.

Для ЛП характерен резкий рост обратного тока при незначительном увеличении обратного напряжения.

 
 


I

UЛП U

       
 
 
   


ПП: этот пробой характерен для переходов, образованных п/п с меньшим, чем ранее удельным сопротивлением.

При сильном э.п. = (2-5) 107 В/м возникает условие для ионизации атомов п/п фанонами или др. частицами.

Фанон – это энергия колеблющихся атомов.

Величина пробивного напряжения зависит от r - удельного сопротивления n- и p-п/п Ge:

При значительной величине r напряжение ПП больше, чем напряжение ЛП, и в переходе возникает ЛП.

Характеристика ветви ПП такая же, как и ЛП.

 

ТП: возникает в результате разогрева p-n-перехода обратным током большой величины.

Если количество джоулевого тепла, выделяемого в переход, больше, чем количество тепла, отводимого от перехода, то температура перехода возрастает и возрастает число носителей заряда, переход разогревается.

Напряжение UТП зависит от величины Iобр, сопротивления p-n-перехода, от условий теплоотвода и от температуры окружающей среды.

Зависимость Iобр от Uпр имеет вид:

I

 

U

 
 

 

 


ТП может наступить за счёт увеличения обратного тока при ЛП или ТП.


Ёмкости p-n-перехода

ЗС, образованный в p-n-переходе двумя слоями разноименно зарядов, может быть представлен эквивалентным плоским конденсатором с емкостью С:

S – площадь перехода

2L – ширина ЗС

Из анализа, проведённого ранее для p-n-перехода, видно, что концентрация объёмного заряда в приконтактной области изменяется в зависимости от внешнего напряжения.

При Uобр ширина ЗС увеличивается. Меняется при этом и распределение зарядов. Ёмкость, обусловленная наличием зарядов в ЗС в условиях равновесия и при подаче Uобр , называется барьерной или зарядной ёмкостью.

Изменение объёмных зарядов происходит и при подключении Uпр за счёт инжекции неосновных носителей.

Ёмкость, обусловленная такими изменениями заряда, называется диффузионной.

Барьерную ёмкость рассмотрим на примере несимметричного p-n-перехода (Nа>Nд).

ЗС лежит в основном в n-п/п. Ширина ЗС:

При подключении обратного напряжения ЗС расширяется.

При данном условии 2L=L’’

Диффузионная ёмкость – может быть определена, как отношение изменения величины инжектированных зарядов к изменению напряжения на переходе.

I – Iпр через переход

t - время жизни неосновных носителей.

Полупроводниковые диоды


Дата добавления: 2015-10-02; просмотров: 63 | Нарушение авторских прав


<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Контакт металл - п/п| Обратная ветвь ВАХ

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.01 сек.)