Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АрхитектураБиологияГеографияДругоеИностранные языки
ИнформатикаИсторияКультураЛитератураМатематика
МедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогика
ПолитикаПравоПрограммированиеПсихологияРелигия
СоциологияСпортСтроительствоФизикаФилософия
ФинансыХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника

Несимметричный переход

Преподаватель Собчук Н.С. | Fкв(W)—0,5 | Расположение уровня Ферми в п/п. | DP/dX<0 | Условия равновесия | Изменение концентрации зарядов в р-n – переходе | Дырочный ток. | Контакт Ме – п/п p-типа | Обратная ветвь ВАХ | Прямая ветвь ВАХ |


Читайте также:
  1. I. ПЕРЕХОД К ВОПЛОЩЕНИЮ
  2. ВАХ p-n-перехода
  3. Взаимные переходы в родственных системах счисления
  4. Вопрос 2. Роль английской буржуазной революции середины 17 века в подготовке перехода Европейской цивилизации на путь развития капитализма.
  5. Группа 35 Укладка переходных плит
  6. Для завершения выполнения программы и перехода в режим проектирования необходимо закрыть окно главной формы.
  7. Изменение концентрации зарядов в р-n – переходе

 

Это переход, который образуется в p- и n-п/п с различной концентрацией примесей, т.е. с различной концентрацией основных и неосновных носителей.

Рассмотрим случай, когда концентрация акцепторов больше концентрации доноров.

 

 

N, P

Pp

N p N n

P n x

+φ x

EК x


x

Lp Ln

На границе контакта возникает концентрация и , но поскольку , то диффузионное движение дырок из п/п p-типа в п/п n-типа более интенсивное, чем движение электронов обратно. Следовательно, диффузионная составляющая тока через переход определяется диффузионным потоком дырок. Поскольку Pn>Np, то дрейфовая составляющая тока в основном определяется потоком дырок из n-п/п.

Условия равновесия для п/п:

Область, обеднённая дырками, значительно уже, чем область, обеднённая электронами. Следовательно, запирающий слой лежит в основном в высокоомной n-области. Поскольку Nа>Nд, то

При подключении внешнего напряжения равновесие нарушается. При прямом включении высота потенциального барьера уменьшается и течёт диффузионный ток. Величина этого тока определяется в основном движением дырок.

Такое преимущественное введение зарядов в п/п, в котором эти заряды будут неосновными носителями, называется инжекцией неосновных носителей.

При подключении обратного напряжения через несимметричный p-n-переход потечёт ток, обусловленный в основном движением дырок из n-области в p-область (ток насыщения). Форма p-n-перехода не изменяется.

В несимметричном переходе п/п с высокой концентрацией основных носителей называется эмиттером, второй п/п называется базой.

Переходы типа p-i, n-i, p-p+, n-n+.

W, U p i

K x

Wс0p0i

WФ

ВЗ WВ

N, P

Pp Np Ni

x

 

При контакте p-i в результате разности концентраций Pp>Ni и Ni>Np, возникает диффузия дырок в собственный п/п и электронов в п/п p-типа.

Разность потенциалов на переходе образуется за счёт ионов акцепторов в p-п/п и дырок в собственном

Запирающий слой в большей части находится в области собственного п/п, поскольку его удельное сопротивление больше.

Аналогичная картина получается при контакте высоколегированного п/п p+ с низколегированным p. Высота потенциального барьера меньше, поскольку меньше разность концентраций дырок.

Аналогично для n-n+.


Дата добавления: 2015-10-02; просмотров: 85 | Нарушение авторских прав


<== предыдущая страница | следующая страница ==>
ВАХ p-n-перехода| Контакт металл - п/п

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.007 сек.)