Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АрхитектураБиологияГеографияДругоеИностранные языки
ИнформатикаИсторияКультураЛитератураМатематика
МедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогика
ПолитикаПравоПрограммированиеПсихологияРелигия
СоциологияСпортСтроительствоФизикаФилософия
ФинансыХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника

Элементы релейного действия на негатронах

Однополярное реле ПЛ | Комбинированное реле | Временная диаграмма работы поляризованного реле | Реле с выпрямителями | Реле непосредственного действия | Индукционные двухэлементные реле | Общие сведения | Реле постоянного тока | Сравнительная характеристика контактных и бесконтактных реле | Бесконтактное магнитное реле |


Читайте также:
  1. C) начала и прекращения действия нормы о приостановлении действия акта (нормы).
  2. D)графическая среда, на которой отображаются объекты и элементы управления Windows.
  3. D. Последующие действия и оценка
  4. I.3. Равновесные и неравновесные взаимодействия. Статические и нестатические процессы.
  5. II. ДЕЙСТВИЯ ПО ТУШЕНИЮ ПОЖАРОВ
  6. II. Организация взаимодействия должностных лиц территориального органа МВД России по Вологодской области
  7. III. Действия с оружием по подаваемым командам

 

Негатроном называется элемент, имеющий нелинейную вольт-амперную характеристику с областью отрицательного сопротивле­ния. Таким элементом является тиристор — четырехслойный по­лупроводниковый прибор типа рп — р — п (рис. 9.7, а). Его вольт-амперная характеристика (рис. 9.8, а) имеет три области А, В и С.

Область А соответствует закрытому состоянию тиристора. При этом анодный ток i а мал, так как п — р-переход J 2 смещен в обрат­ном (непроводящем) направлении. Область B соответствует отрица­тельному сопротивлению. При u а = u вкл происходит обратимый ла­винный пробой тиристора, и напряжение на нем резко уменьшается. Область С соответствует открытому состоянию тиристора. В триодом тиристоре имеется дополнительный отвод от одной из баз (рис. 9.7, б). Наличие тока базы i б позволяет уменьшить или увели­чить пробивное напряжение u вкл (см. рис. 9.8, а) в зависимости от полярности напряжения U б и направления тока i б -

Построим релейную характеристику триодного тиристора. Вы­берем величины Е аи R нтакими, чтобы нагрузочная прямая пересе­кала характеристику тиристора в трех точках (рис. 9.8, б). Напряже­ние Е а < u вкл Поэтому, если i б = 0, тиристор выключен, что соответ­ствует точке А на нагрузочной прямой. В нагрузке протекает ток І 1, определяемый ординатой точки А. Увеличение тока i б приводит к уменьшению u вкл. При некотором значении i бвкл, когда окажется, что Е а > u вкл, тиристор открывается, и ток в нагрузке скачком возрастает до І 2 (рис. 9.8, в), определяемого ординатой точки В (см. рис. 9.8, б). Время включения тиристора измеряется десятками микросекунд. Дальнейшее увеличение базового тока не влияет на ток нагрузки.

 

 

При выключении базового тока тиристор остается открытым. Для его выключения подается отрицательный потенциал на базу и изменяется направление базового тока. Увеличение i б приводит к увеличению І выкл. При некотором значении тока i бвыкл, когда І выкл > І 2, тиристор выключается, и ток в нагрузке скачком падает до І 1, (см. рис. 9.8, в).

Таким образом, релейная характеристика тиристора с управле­нием по базе аналогична характеристике поляризованного реле. В отличие от транзисторов тиристоры являются одновременно и уси­лителями и элементами памяти. Они имеют более высокие рабочие напряжения (до 2000 В) и токи (сотни и тысячи ампер) и большие коэффициенты усиления i н / i э (до 103). Тиристоры целесообразно использовать как выходные элементы управляющих систем для включения объектов большой мощности.

Другим примером негатрона является туннельный диод (рис. 9.9, а), который аналогичен обычному полупроводниковому дио­ду. Отличие его в том, что для изготовления используют полупровод­никовые материалы с большой электропроводностью (германий, арсенид галия), и содержание примеси в материалах примерно в 100 раз больше, чем в обычных диодах. В этих условиях при очень малой тол­щине р — n-перехода в нем возникает так называемый "туннельный" эффект, когда при небольших напряжениях (доли вольта) ток диода сильно возрастает. Это связано с наличием туннельного механизма перехода электронов через р — n-переход, при котором электрон не затрачивает энергии на преодоление потенциального барьера.

 

 

Вольт-амперная характеристика туннельного диода (рис. 9.9, б) имеет три области. Область А соответствует протеканию туннельного тока. Область В — это область отрицательного сопротивления. При увеличении напряжения и > и max уменьшается число электро­нов, способных совершать туннельный переход, и ток резко убывает. При и = и minтуннельный ток исчезает. В области С возрастает обычный диффузионный ток диода.

Схема реле на туннельном диоде (рис. 9.10, а) имеет два устойчивых состояния, определяемых точками А и В нагрузочной характеристики (рис. 9.10, б). Релейная характеристика показана на рис. 9.10, а. В исходном состоянии (i вх = 0) туннельный диод открыт (точка 1), и по нагрузке протекает ток І 1 (реле включено). При подаче на вход схемы импульса положительной полярности возрастает напряжение на дио­де до значения u max, и диод закрывается. Ток в нагрузке скачком уменьшается до І 2 (точка В). Реле выключается. Для включения диода на вход схемы подается импульс отрицательной полярности. Это вы­зывает уменьшение напряжения на диоде до и min, и ток в нагрузке скачком увеличивается до значения І 1 (точка А).

 

Достоинством туннельных диодов является высокая рабочая ча­стота (десятки мегагерц), поскольку туннельный переход электро­нов происходит практически мгновенно за время примерно 10-13 с. Недостатком их с точки зрения построения схем является отсутст­вие входного электрода, что вызывает трудности при соединении в схемах диодов друг с другом. Поэтому часто используют транзи­сторно-диодные элементы. В них туннельный диод служит для запо­минания информации, а транзистор — для согласования входных и выходных цепей и для усиления сигналов (рис. 9.10, г).

 


Дата добавления: 2015-09-02; просмотров: 175 | Нарушение авторских прав


<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Магнитные элементы с прямоугольной петлей гистерезиса| Элементы релейного действия на оптронах

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.006 сек.)