Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АрхитектураБиологияГеографияДругоеИностранные языки
ИнформатикаИсторияКультураЛитератураМатематика
МедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогика
ПолитикаПравоПрограммированиеПсихологияРелигия
СоциологияСпортСтроительствоФизикаФилософия
ФинансыХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника

Искусственные переменные гармонические электромагнитные поля.

Общие магнитные съемки Земли. | Палеомагнитные исследования. | Решение задач региональной геологии. | Применение магниторазведки при геологическом картировании разных масштабов. | Применение магниторазведки для поисков полезных ископаемых. | Изучение геолого-петрографических особенностей и трещиноватости пород. | Изучение геологической среды. | Глава 3. Электроразведка | Естественные переменные электромагнитные поля. | Естественные постоянные электрические поля. |


Читайте также:
  1. Аномальные геомагнитные поля.
  2. Биогеофизические поля.
  3. Внутренние переменные
  4. Внутренние переменные
  5. Внутренние переменные
  6. Внутренние переменные
  7. Внутренние переменные

Искусственные переменные гармонические электромагнитные поля создаются с помощью разного рода генераторов синусоидального напряжения звуковой и радиоволновой частоты, подключаемых к гальваническим (заземленные линии) или индуктивным (незаземленные контуры) датчикам (источникам) поля. С помощью других заземленных (приемных) линий или незаземленных контуров измеряются соответственно электрические () или магнитные () составляющие напряженности поля. Они определяются прежде всего удельным электрическим сопротивлением вмещающей среды. Чем выше сопротивление, тем меньше скин-эффект и больше глубина проникновения поля. С другой стороны, чем ниже сопротивление, тем больше интенсивность вторичных вихревых электромагнитных полей, индуцированных в среде.

Вывод аналитических формул для связи между измеряемыми параметрами (), силой тока в датчике поля (), расстоянием между генераторными и измерительными линиями (), их размерами и электромагнитными свойствами однородного полупространства очень сложен.

На низких частотах ( кГц) расчет сопротивления однородного полупространства ведется по формуле, похожей на полученную в 3.1, , где - коэффициент установки, разный для различных способов создания и измерения поля, расстояний между источником и приемником, круговых частот (); - разность потенциалов, пропорциональная составляющим или . Над неоднородной средой по этой же формуле рассчитывается кажущееся сопротивление ().

На высоких частотах ( кГц) формулы для параметров нормального поля более громоздки, так как они зависят от трех электромагнитных свойств среды: .


Дата добавления: 2015-08-26; просмотров: 59 | Нарушение авторских прав


<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Искусственные постоянные электрические поля.| Искусственные импульсные (неустановившиеся) электромагнитные поля.

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.005 сек.)