Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АрхитектураБиологияГеографияДругоеИностранные языки
ИнформатикаИсторияКультураЛитератураМатематика
МедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогика
ПолитикаПравоПрограммированиеПсихологияРелигия
СоциологияСпортСтроительствоФизикаФилософия
ФинансыХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника

Где ơп0 — коэффициент, слабо зависящий от температуры. Логарифмируя , находим

Умножая (6.5) на (6.8) и извлекая корень, получим выражения для вычисления концентраций носителей заряда для собственного полупроводника | В области низких температур | Однако, в результате межзонной тепловой генерации появляются в донорном полупроводнике — дырки, (в акцепторном полупроводнике — электроны), это неосновные носители,. | Вместе возникновением носителей заряда происходит процесс рекомбинации. Динамическое равновесие приводит к установлению равновесной концентрации носителей. | Процесс генерации носителей характеризуют скоростью генерации g , g– число носителей, возникающих в единицу времени в единице объема. | ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ТВЕРДЫХ ТЕЛ | Рассмотрение зависимости подвижности носителей заряда от температуры проведем отдельно для области высоких и низких температур. | Для невырожденного газа | В области высоких температур u и ơ электронов обратно пропорциональны Т. | СОБСТВЕННАЯ И ПРИМЕСНАЯ ПРОВОДИМОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ |


Читайте также:
  1. II. Другие причины слабости и периодических нарушений сознания
  2. Бесконтактные методы измерения температуры.
  3. Бог все это дает, да вроде бы как не всем. Иной слабомыслящий вовсе не способен обдумывать свои поступки. Он просто как то животное, не понимает, что творит зло...
  4. В марксизме всегда самой слабой стороной была психология, а в ленинизме, вследствие преобладания демагогии, психология еще слабее, грубее и элементарнее.
  5. ГЛАВА 17. МИАЛГИИ,СПАЗМЫ, СУДОРОГИ И ЭПИЗОДИЧЕСКАЯ СЛАБОСТЬ
  6. ГЛАВА XXVII Смерть Маши. Дневники. Обмороки. Слабость

Из рисунка видно, что можно определить энергии активации примеси Ед. От температуры истощения примеси Тs до температуры перехода к собственной проводимости Тi. В этой области концентрация носителей постояннa и равнa концентрации примеси: п = Nпр.; температурная зависимость проводимости определяется температурной зависимостью подвижности.

Из рис. 7.9, б видно, что с увеличением концентрации примеси угол наклона участка примесной проводимости уменьшается. У вырожденных полупроводников концентрация почти не зависит от температуры.

От точки Тs (участок истощения примеси) проявляется зависимость подвижности от температуры. Основным механизмом рассеяния является рассеяние на тепловых колебаниях решетки, для которого характерно уменьшение подвижности с ростом температуры; проводимость на этом участке будет падать (рис. 7.9, а). В областисобственной проводимости для ơ имеет место формула


Дата добавления: 2015-07-25; просмотров: 87 | Нарушение авторских прав


<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Германия и кремния| В полулогарифмическом масштабе график – прямая линия По наклону этой прямой можно определить ширину запрещенной зоны Еg.

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.005 сек.)