Читайте также:
|
Зустрічаються транзистори (біполярні), які мають стару, введену до 1964 р. систему позначень. За старою системою в позначення транзистора входить буква П і цифровий номер. За номером транзистора можна визначити, для яких каскадів радіоелектронної конструкції він розроблений. Якщо перед буквою П стоїть буква М, то це означає, що корпус транзистора холодносварочной конструкції. Розшифровка типів транзисторів за номером наступна:
Низькочастотні (до 5 МГц):
- 1 … 100 – германієві малої потужності, до 0,25 Вт;
- 101 … 201 – кремнієві до 0,25 Вт;
- 201 … 300 – германієві великої потужності, більше 0,25 Вт;
- 301 … 400 – кремнієві більше 0,25 Вт
Високочастотні (понад 5 МГц):
- 401 … 500 – германієві до 0,25 Вт;
- 501 … 600 – кремнієві до 0,25 Вт;
- 601 … 700 – германієві більше 0,25 Вт;
- 701 … 800 – кремнієві більше 0,25 Вт
Наприклад, П416 Б – транзистор германієвий, високочастотний, малої потужності, різновиди Б; МП 39 Б – германієвий транзистор, що має холодносварочний корпус, низькочастотний, малої потужності, різновиди Б.
У новій системі позначень використовується буквено-цифровий шифр, який складається з 5 елементів:
1 елемент системи позначає вихідний матеріал, на основі якого виготовлений транзистор і його зміст не відрізняється від системи позначення діодів, тобто Г або 1 – Германій, До або 2 – кремній, А або 3 – арсенід галію, І або 4 – індій.
2 елемент – буква Т (біполярний) або П (польовий).
3 елемент – цифра, що вказує на функціональні можливості транзистора по допустимої потужності, що розсіюється і частотним властивостями.
Транзистори малої потужності, Рmах <0,3 Вт:
1 – малопотужний низькочастотний, Гф <3 МГц;
2 – малопотужний середньочастотний, 3 <="" p="">
3 – малопотужний високочастотний, 30
Дата добавления: 2015-11-30; просмотров: 27 | Нарушение авторских прав