Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АрхитектураБиологияГеографияДругоеИностранные языки
ИнформатикаИсторияКультураЛитератураМатематика
МедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогика
ПолитикаПравоПрограммированиеПсихологияРелигия
СоциологияСпортСтроительствоФизикаФилософия
ФинансыХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника

Моделирование процесса пробоя в тонкопленочном материале

Читайте также:
  1. D-моделирование) автобусной остановки
  2. I. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ. ОСОБЕННОСТИ ОРГАНИЗАЦИИ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОГО ПРОЦЕССА
  3. IV. Участники образовательного процесса
  4. IV. Участники образовательного процесса
  5. V. ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕ НАРУШЕНИЙ ПРОЦЕССА СОЦИАЛИЗАЦИИ НЕСОВЕРШЕННОЛЕТНИХ В СЕМЬЯХ ГРУППЫ РИСКА
  6. Автоматизация процесса ректификации
  7. Акторы политического процесса. Виды их действий и способы взаимодействий.

 

Проще всего пробой в диэлектрических тонкопленочных материалах изучать, помещая их между двумя металлическими обкладками цветных размеров, создавая своего рода тонкопленочный конденсатор. Исследуемый конденсатор (рис. 1) включается в качестве нагрузки в электрическую цепь. На нагрузке с помощью, например, потенциостата, повышается напряжение по линейному закону с наперед заданной скоростью. Последовательно с исследуемым конденсатором включают высокоомный резистор R1.

Резистор R1 необходим для того, чтобы гасить микроразряды в диэлектрической пленке, которые не являются причиной пробоя, а, напротив, могут увеличивать электрическую прочность образца. Кроме того, наличие в нагрузке резистора R1 облегчает режим работы потенциостата после пробоя конденсатора. В электрической схеме испытательного стенда предусмотрено прекращение роста напряжения в момент пробоя. Следовательно, напряжение пробоя может быть зафиксировано оператором. Момент пробоя регистрируется по скачку напряжения на R1 с помощью высоковольтного вольтметра. Более подробная информация о протекании пробоя, необходимая для выяснения его механизма, может быть получена с помощью осциллографа, включенного параллельно R1 и регистрирующего микропробои, а также с помощью самописца.

 

 

Рис. 1. Схема исследуемого конденсатора

 

Испытания на пробой относятся к разрушающим испытаниям. Поэтому партия испытуемых конденсаторов является выборкой из партии изготовленных конденсаторов. Результаты испытаний обрабатываются с помощью статистических методов.

Конечной целью испытаний является определение величины максимального рабочего напряжения партии конденсаторов, соответствующего заданной надежности.

В настоящей лабораторной работе моделируется процесс измерения напряжения пробоя в четырех партиях пленочных конденсаторов на основе монооксида кремния.

Каждая партия отличается от остальных площадью рабочей поверхности S и/или толщиной пленки диэлектрика h, как следует из таблицы:

Таблица

Характеристики структур

N партии S, мм кв h, нм
  0.8x0.8  
  2x2  
  0.8x0.8  
  2x2  

 

Каждая партия содержит 25 конденсаторов. Напряжение на конденсаторах поднимается со скоростью 0,5 В/с.

 


Дата добавления: 2015-11-14; просмотров: 28 | Нарушение авторских прав


<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Теоретические сведения| Построение гистограмм пробивного напряжения

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.005 сек.)