Вопрос 6(раздедение на пластины)

· резка пластин на кристаллы диском с наружной режущей кромкой или с применением абразива;

· резка пластин на Кристаллы стальными полотнами и проволокой с применением абразива;

· разделение пластин на кристаллы скрайбированием с последующей ломкой;

· ультразвуковая резка пластин;

· разделение пластин на кристаллы травлением.

Из перечисленных способов наибольшее распространение нашли: резка алмазным режущим диском, скрайбирование алмазным резцом и ла зерное скрайбирование с последующей ломкой.

На рисунке 1 показана схема резки полупроводниковой пластины диском с наружной алмазной режущей кромкой. Диск 1 устанавливается на шпинделе станка и зажимается с двух сторон фланцами 2. В процессе резания алмазный режущий диск вращается с большой скоростью и охлаждается жидкостью 3. Разрезаемую полупроводниковую пластину 4 закрепляют клеящей мастикой 5 на основание 6.

Скрайбирование является одним из методов разделения пластин на кристаллы, заключающееся в том, что на поверхность Полупроводниковой пластины резцом, лазерным лучом или другими способами наносят неглубокую риску, вокруг которой концентрируются механические напряжения, ослабляющие материалы. Основным достоинством метода скрайбирования наряду с высокой производительностью и культурой производства является: малая ширина прорези, а, следовательно, и отсутствие потерь полупроводникового, материала, которых невозможно избежать при использовании других методов разделения пластины на кристаллы. Наиболее широко скрайбирование используют в планарной технологии изготовления ИС, когда на пластине уже сформированы полупроводниковые структуры.

Разделение осуществляется в две стадии: вначале пластины скрайбируют, для чего риски наносят между готовыми структурами по свободному полю в двух взаимно перпендикулярных направлениях, а затем разламывают по рискам на прямоугольные или квадратные кристаллы.

Вопрос(ис)

ИС-совокупность мако- микро- и нанообъемов твердых тел, имеющих различный состав, структуру и свойства и расположенных внутри, на поверхности, внутри и на поверхности полупроводниковой подложки, и распределенных таким образом, чтобы выполнять определенную схемную функцию, а именно. Преобразовывать электрические сигналы, накапливать их и передавать по электрическим цепям.

Дата добавления: 2015-11-14