Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АрхитектураБиологияГеографияДругоеИностранные языки
ИнформатикаИсторияКультураЛитератураМатематика
МедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогика
ПолитикаПравоПрограммированиеПсихологияРелигия
СоциологияСпортСтроительствоФизикаФилософия
ФинансыХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника

II.3.2. Эффекты взаимного влияния элементов



Читайте также:
  1. I. Гашение дуги с помощью полупроводниковых элементов
  2. II этап Развитие грудобрюшного типа дыхания с включением элементов дыхательной гимнастики А.Н. Стрельниковой
  3. А) Главный урок взаимного повиновения
  4. Автограф, резко поднимающийся вверх. Много преувеличенно-демонстративных элементов. Если их «снять» - остается довольно мелкий, округлый, петляющий, неприметный почерк.
  5. Алгоритмы обработки элементов каждого столбца матрицы
  6. Алгоритмы обработки элементов каждой строки матрицы

Рассматривая факторы, влияющие на интенсивность спектральной линии, нельзя не остановиться на эффекте взаимного влияния элементов, известном под названием влияния третьих компонентов. Если этот эффект вызван основным компонентом пробы, то его называют матричным эффектом. Суть влияния третьих компонентов сводится к тому, что величина интенсивности спектральной линии определяемого элемента подвержена влиянию со стороны других элементов (соединений), присутствующих в пробе. Это влияние может проявляться двояко. Во-первых, компоненты пробы могут оказывать влияние на процесс поступления определяемого элемента в плазму (например, за счет снижения температуры кратера дуги в электрических источниках). Во-вторых, они могут изменять условия возбуждения в плазме. На процесс образования свободных атомов элементов в значительной степени влияют компоненты пробы, образующие труднодиссоциирующие соединения с определяемыми элементами (например, оксиды, карбиды, сульфаты, фосфаты и ряд других).

Одним из основных способов снижения влияния третьих компонентов является увеличение эффективности источника спектра. Другим способом борьбы с взаимными влияниями элементов пробы является использование спектроскопического буфера. Этот метод заключается в добавлении к анализируемым пробам соответствующего количества буфера, состоящего из подходящих веществ. Буферное вещество как третий элемент должно оказывать большее влияние, чем все мешающие элементы. При этом эффекты взаимного влияния со стороны вещества пробы становятся пренебрежимо малыми по сравнению с действием буферного вещества.

Исходя из механизма взаимного влияния элементов легко определить требования к буферным веществам.

1. Низкая температура кипения, что обеспечивает постоянство температуры разрядного кратера электрических источников спектра, несмотря на присутствие в системе мешающих веществ с относительно высокой температурой кипения.

2. Низкий потенциал ионизации, что способствует постоянству температуры плазмы.

К буферным веществам такого типа относятся галогениды щелочных элементов и серебра, хлорид аммония, оксид меди и другие.

Буферное вещество, добавленное к пробе в избытке, сильно ее разбавляет. Поэтому может показаться, что использование буфера должно уменьшать чувствительность определения. Однако в большинстве случаев этого не происходит. Обычно для определения следов элементов используют резонансную линию их атомного спектра. Степень ионизации элементов и, следовательно, концентрация ионов в плазме уменьшается с понижением температуры плазмы. Это сопровождается увеличением интенсивности атомного спектра и повышением чувствительности определения.

 


Дата добавления: 2015-07-11; просмотров: 275 | Нарушение авторских прав






mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.007 сек.)