Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

Основные характеристики полевых транзисторов.

Читайте также:
  1. I. ОСНОВНЫЕ БОГОСЛОВСКИЕ ПОЛОЖЕНИЯ
  2. I. ОСНОВНЫЕ ЗНАЧЕНИЯ
  3. I. ОСНОВНЫЕ ПОЛОЖЕНИЯ
  4. I. Основные приемы (способы выполнения).
  5. I. ОСНОВНЫЕ ПРИНЦИПЫ ПОЛИТИКИ ПЕРЕМЕН
  6. I. Основные элементы текстового документа
  7. II. ОБЩИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

1). Крутизна характеристики 2). Крутизна характеристики по подложке

 

 

3). Начальный ток стока Ic нач – ток стока при нулевом напряжении UЗИ; у транзисторов с управляющим p-n-переходом Iс нач = 0,2 – 600 мА; с технологически встроенным каналом Iс нач = 0,1 – 100 мА; с индуцированным каналом Iс нач = 0,01 – 0,5 мкА.

4). Напряжение отсечки UЗИ отс (UЗИ отс = 0,2 – 10 В).

5). Пороговое напряжение UЗИ пор (UЗИ пор = 1 – 6 В).

6). Сопротивление сток – исток в открытом состоянии Rси отк (Rси отк = 2 – 300 Ом).

7). Постоянный ток стока Ic max Ic max от 10 мА до 0,7 А).

8). Остаточный ток стока Ic ост – ток стока при напряжении UЗИ отс Ic ост = 0,001 – 10 мА).

 

9). Максимальная частота усиления fp – частота, на которой коэффициент усиления по мощности Кур равен единице (fp – десятки - сотни МГц).


 

17. ИМС: маркировка, обозначение. Полупроводниковые, гибридные, аналоговые, цифровые ИМС

Интегральная микросхема (ИМС) —микроэлектронное изделие,выполняющее определенныефункции преобразования, имеющая высокую плотность упаковки электрически соединенных между собой элементов и компонентов и представляющая единое целое с точки зрения требований к испытаниям, приемке и эксплуатации.

Обозначение интегральных микросхем состоит из следующих элементов:первый элемент—цифра, указывающая группу микросхемы; второй элемент — две цифры — порядковый номер разработки серии (0 до 99); третий элемент — две буквы — подгруппа и вид микросхемы; четвертый элемент — порядковый номер разработки микросхемы в данной серии. Для микросхем широкого применения в начале обозначения ставится буква К.

После обозначения порядкового номера разработки серии микросхемы может стоять буква русского алфавита или цветная точка, указывающая на различие электрических параметров. Конкретные значения электрических параметров и цвет маркировочной точки даются в технической документации на микросхемы.

В полупроводниковых ИМС все элементы схемы(диоды,транзисторы,резисторы и т.д.)выполнены на основе одного кристалла полупроводникового материала, так называемой активной подложки (обычно монокристалл кремния).

 

В гибридных ИМС пассивные элементы выполнены в виде пленок,нанесенных надиэлектрическую подложку, а активные элементы (диоды, транзисторы и т. д.) являются навесными.

 

Аналоговые микросхемы применяют для усиления,генерирования и преобразования сигналов,изменяющихся по закону непрерывной функции. Они используются в качестве усилителей низкой и высокой частоты, смесителей, детекторов, генераторов и т. д.

 

Цифровые микросхемы предназначены,для обработки электрических сигналов,изменяющихся позакону дискретной функции. Такие микросхемы используются в системах автоматики и электронно-вычислительных машинах.

 


Дата добавления: 2015-10-16; просмотров: 113 | Нарушение авторских прав


Читайте в этой же книге: Электронно-дырочный переход и его свойства. Переход металл-полупроводник. | Полупроводниковые резисторы. Назначение, характеристики, параметры. | Классификация полупроводниковых диодов. Условные графические и буквенные обозначения. | Однополупериодный выпрямитель. | Трехфазная мостовая схема выпрямителя | Управляемые выпрямители. Временные диаграммы управляемых выпрямителей. Тиристорные преобразователи, как источники регулируемого напряжения. Схема управления ДПТ | Принципиальные схемы, принцип работы. Коэффициент стабилизации. | Схемы включения с ОБ, ОЭ, ОК , их сравнительный анализ | Основные характеристики, h-параметры биполярных транзисторов (для схемы с ОЭ) | Полевые транзисторы с управляющим р-n-переходом. Структура, принцип работы. Основные параметры, стокозатворные и выходные характеристики |
<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Характеристики полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом.| Амплитудная, амплитудно-частотная и фазочастотная характеристики усилителей.

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.007 сек.)