Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

Экспериментальная часть. 2.1 Создать модель транзистора в соответствии с вариантом задания табл.1

Читайте также:
  1. C) В легком, потому что наибольшая часть тени расположена в легочном поле
  2. DO Часть I. Моделирование образовательной среды
  3. II Основная часть
  4. II часть.
  5. Анализ как часть процесса управления
  6. Аналитическая часть.
  7. Апрель. Часть 2

 

2.1 Создать модель транзистора в соответствии с вариантом задания табл.1. Для этого щелкнуть два раза клавишей указания мыши на изобра-жении транзистора и выбрать в появившемся окне NPN Transistor Proper-ties в разделе Library библиотеку default, а затем в разделе Model – тип транзистора ideal. Выбрать последовательно клавишей указания мыши кнопки Copy и Paste, записать латинскими буквами в появившемся окне тип транзистора в соответствии с вариантом задания и нажать кнопку ОК. В результате в разделе Model добавится новый тип транзистора. Для корректировки его параметров нажать кнопку Edit и установить значения параметров Forward current gain coefficient [BF] (коэффициент усиления β), Base ohmic resistance [RB] (сопротивление базы Rб), Emiter ohmic resis-tance [RE] (сопротивление эмиттера Rэ), Collector ohmic resistance [RC] (сопротивление коллектора Rк) в соответствии с таблицей 1. Значения других параметров оставить без изменения.

Таблица 1

№ варианта Обозначе-ние транзи-стора Тип транзи-стора β (BF) Rб, Ом (RB) Rэ, Ом (RЕ) Rк, Ом (RС)
             
  VТ1 КТ815A   2,1 0,9 0,4
VТ2 КТ315Б        
  VТ1 КТ815Б     0,9 0,4
VТ2 КТ3102Ж       0,6
  VТ1 КТ815В     0,9 0,4
VТ2 КТ315Г        
  VТ1 КТ815Г   2,1 0,9 0,4
VТ2 КТ3102А       0,6
  VТ1 КТ817А   1,5 0,7 0,3
VТ2 КТ3102Д       0,6
  VТ1 КТ817Б   1,5 0,7 0,3
VТ2 КТ315Е        
  VТ1 КТ817В   1,5 0,7 0,3
VТ2 КТ3102А       0,6
  VТ1 КТ817Г   1,5 0,7 0,3
VТ2 КТ503Б   2,5 1,2 0,5
  VТ1 КТ831А   1,8 0,6 0,3
VТ2 КТ3102В       0,6
  VТ1 КТ831Б   1,5 0,7 0,3
VТ2 КТ503Г   2,5 1,2 0,5
  VТ1 КТ698А     0,5 0,2
VТ2 КТ503Д   2,5 1,2 0,5
  VТ1 КТ698Б     0,5 0,2
VТ2 КТ503Е   2,5 1,2 0,5
  VТ1 КТ698В     0,5 0,2
VТ2 КТ3102А       0,6
  VТ1 КТ698Г     0,5 0,2
VТ2 КТ3102Б       0,6
  VТ1 КТ6117А   1,9 0,8 0,5
VТ2 КТ3102В       0,6
  VТ1 КТ6114А   1,5 0,8 0,4
VТ2 КТ503Б   2,5 1,2 0,5
  VТ1 КТ6110В   1,8 0,9 0,5
VТ2 КТ3102А       0,6

 

 

Таблица 1 (продолжение)

             
  VТ1 КТ639А   2,4 1,5 0,7
VТ2 КТ3102В       0,6
  VТ1 КТ815Б     0,9 0,4
VТ2 КТ503Г   2,5 1,2 0,5
  VТ1 КТ6117А   1,5 0,7 0,3
VТ2 КТ315А        
  VТ1 КТ6117А   1,9 0,8 0,5
VТ2 КТ503Б   2,5 1,2 0,5
  VТ1 КТ639А   2,4 1,5 0,7
VТ2 КТ315А        
  VТ1 КТ6110В   1,8 0,9 0,5
VТ2 КТ503Е   2,5 1,2 0,5
  VТ1 КТ698Б     0,5 0,2
VТ2 КТ3102В       0,6

 

2.2 Создать модель стабилитрона в соответствии с вариантом задания табл.2. Для этого щелкнуть два раза клавишей указания мыши на изображении стабилитрона и выбрать в появившемся окне Zener Diode Prop-erties в разделе Library библиотеку default, а затем в разделе Model – тип стабилитрона ideal. Выбрать последовательно клавишей указания мыши кнопки Copy и Paste, записать латинскими буквами в появившемся окне тип стабилитрона в соответствии с вариантом задания и нажать кнопку ОК. В результате в разделе Model добавится новый тип стабилитрона. Для корректировки его параметров нажать кнопку Edit и установить значения параметров Zener test voltage at IZT [VZT] (напряжение стабилизации Uст), Zener test current [IZT] (максимальный ток стабилизации Iст max), Ohmic resistance [RS] (дифференциальное сопротивление rд) в соответствии с таблицей 2. Значения других параметров оставить без изменения.

 

Таблица 2

№ варианта Тип стабили-трона Uст, В (VZT) Iст max, А (IZT) rд, Ом (RS)
         
  КС133А 3,3 0,081  
  КС139А 3,9 0,07  
  КС147А 4,7 0,058  
  КС156А 5,6 0,055  
  КС162А 6,2 0,022  
  КС168А 6,8 0,02  

 

 

Таблица 2 (продолжение)

         
  КС170А 7,0 0,018  
  КС175А 7,5 0,018  
  КС182А 8,2 0,017  
  КС191А 9,1 0,015  
  КС210Б 10,0 0,014  
  КС211И 11,0 0,013  
  КС212В 12,0 0,012  
  КС213Б 13,0 0,01  
  КС215Ж 15,0 0,01  
  КС216Ж 16,0 0,0094  
  КС218Ж 18,0 0,0083  
  КС220Ж 20,0 0,0075  
  КС222Ж 22,0 0,0068  
  КС224Ж 24,0 0,0062  
  КС210Б 10,0 0,014  
  КС211И 11,0 0,013  
  КС212В 12,0 0,012  
  КС213Б 13,0 0,01  

 

2.3 Для исследования транзисторного компенсационного стабилизатора напряжения собрать схему в соответствии с рисунком 1.

 

 

 

Рисунок 1 – Схема исследования

 

2.4 Установить напряжение на входе стабилизатора (Uвх) и сопротивление нагрузки (Rн) в соответствии с вариантом таблицы 3.

Таблица 3

№ варианта Uвх, В Uвых, В Rн, Ом
       
       
       
       
       
       
       
       
       
       
       
       
       
       
       
       
       
       
       
       
       
       
       
       

 

2.5 Установить значения резисторов R1 – R4 в соответствии с предварительным расчетом.

2.6 Экспериментально уточнить значение сопротивления резистора R3, при котором значение выходного напряжения стабилизатора Uвых будет соответствовать таблице 3.

2.7 Для исследования коэффициента стабилизации компенсационного стабилизатора напряжения величину входного напряжения Uвх последовательно задавать равным (0,9Uвх, 0,94Uвх, 0,97Uвх, Uвх, 1,05Uвх, 1,1Uвх, 1,15Uвх, 1,2Uвх). Результат занести в таблицу 4.

Таблица 4

Uвх, В 0,9Uвх 0,94Uвх 0,97Uвх Uвх 1,05Uвх 1,1Uвх 1,15Uвх 1,2Uвх
Uвых, В                

 

2.8 Для исследования нагрузочной характеристики стабилизатора величину сопротивления нагрузки Rн последовательно задавать равным (0,4Rн, 0,6Rн, 0,8Rн, Rн, 1,2Rн, 1,4Rн, 1,6Rн, 2Rн). Результат занести в таблицу 5.

Таблица 5


Дата добавления: 2015-08-09; просмотров: 82 | Нарушение авторских прав


<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Тема. Исследование компенсационных стабилизаторов напряжения| Но все перечисленные повороты темы рассмотрены глазами невропатолога, преломляются сквозь призму современных нейрофизиологических и психофизиологических представлений.

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.008 сек.)