Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

Практическое занятие №9

Читайте также:
  1. А) Как подготовиться и провести занятие по общественно-государственной подготовке
  2. Абонемент на 12 посещений 2 800 руб. вместо 3 500 руб. - одно занятие 233 руб.
  3. Аудиторное занятие
  4. Всего лишь бесполезное занятие?
  5. Г. Пааше и Э. Ласпейреса, их практическое применение
  6. ГЛАВА 2. ПРАКТИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ СФОРМИРОВАННОСТИ ЛЕСКИКО-ГРАММАТИЧЕСКИХ НАВЫКОВ У ДЕТЕЙ СТАРШЕГО ДОШКОЛЬНОГО ВОЗРАСТА С ОНР III УРОВНЯ
  7. Диаров А.А.Контроллинг. Учебно-практическое пособие. – М.,МГУТУ, 2004

 

Тема: «Анализ и оценка работы Flash памяти»

 

1. Цели работы:

- Закрепить теоретические знания устройства и работы Flash памяти.

- Получить практические навыки по проверке работоспособности Flash памяти, настройке и оценке ее количественных характеристик.

 

2. Перечень используемого оборудования:

- ПК;

- Jet Flash Recovery Tool;

- Flash память.

 

3. Краткие теоретические сведения:

 

Флэш-память - особый вид энергонезависимой перезаписываемой полупроводниковой памяти.

· Энергонезависимая - не требующая дополнительной энергии для хранения данных (энергия требуется только для записи).

· Перезаписываемая - допускающая изменение (перезапись) хранимых в ней данных.

· Полупроводниковая (твердотельная) - не содержащая механически движущихся частей (как обычные жёсткие диски или CD), построенная на основе интегральных микросхем (IC-Chip).

В отличие от многих других типов полупроводниковой памяти, ячейка флэш-памяти не содержит конденсаторов – типичная ячейка флэш-памяти состоит всего-навсего из одного транзистора особой архитектуры. Ячейка флэш-памяти прекрасно масштабируется, что достигается не только благодаря успехам в миниатюризации размеров транзисторов, но и благодаря конструктивным находкам, позволяющим в одной ячейке флэш-памяти хранить несколько бит информации.

Флэш-память исторически происходит от ROM (Read Only Memory) памяти, и функционирует подобно RAM (Random Access Memory). Данные флэш хранит в ячейках памяти, похожих на ячейки в DRAM. В отличие от DRAM, при отключении питания данные из флэш-памяти не пропадают.

Замены памяти SRAM и DRAM флэш-памятью не происходит из-за двух особенностей флэш-памяти: флэш работает существенно медленнее и имеет ограничение по количеству циклов перезаписи (от 10.000 до 1.000.000 для разных типов).

Надёжность/долговечность: информация, записанная на флэш-память, может храниться очень длительное время (от 20 до 100 лет), и способна выдерживать значительные механические нагрузки (в 5-10 раз превышающие предельно допустимые для обычных жёстких дисков).

Основное преимущество флэш-памяти перед жёсткими дисками и носителями CD-ROM состоит в том, что флэш-память потребляет значительно (примерно в 10-20 и более раз) меньше энергии во время работы. В устройствах CD-ROM, жёстких дисках, кассетах и других механических носителях информации, б о льшая часть энергии уходит на приведение в движение механики этих устройств. Кроме того, флэш-память компактнее большинства других механических носителей.

Флэш-карты бывают двух типов: с параллельным (parallel) и с последовательным (serial) интерфейсом.

Параллельный:

· PC-Card (PCMCIA или ATA-Flash)

· CompactFlash (CF)

· SmartMedia (SSFDC)

Последовательный:

· MultiMedia Card (MMC)

· SD-Card (Secure Digital - Card)

· Sony Memory Stick

 

4. Задание:

Изучить устройство и принцип работы Flash памяти.

5. Порядок выполнения работы:

5.1 Запустите программу Jet Flash Recovery Tool;

5.2 Выберите в раскрывающемся списке USB устройство;

5.3 Запишите отображенную информацию в таблицу;

5.4 Перейдите на вкладку “Error Scan”, выберите Read test, нажмите кнопку «Старт», запишите результаты теста в форму №1;

5.5 Перейдите на вкладку “Low-level Benchmark”, выберите Read и нажмите кнопку «Старт»,запишите результаты теста в форму №1.

6. Содержание отчета:

- заполненная форма.

Форма №1:

 

Flash card information      
Card reader information    
Error scan    
Low-level Benchmark Current:   Minimum:   Maximum:  

 

7. Контрольные вопросы:

1. Параметры Flash памяти.

2. Принцип записи считывания информации с Flash памяти.

3. Типы Flash памяти.

 

 

Список литературы

1. Гребенюк Е.И. Гребенюк Н.А. Технические средства информатизации 3-е изд. М: «Академия», 2007г.

2. Мюллер Скотт. Модернизация и ремонт ПК 17 е издание.: Пер. с англ. — М.: ООО “И.Д. Вильямс”, 2007 г.

3. Конспекты лекций по дисциплине «Конструкция и компоновка ПК».

4. Документация к оборудованию.


Дата добавления: 2015-07-20; просмотров: 43 | Нарушение авторских прав


<== предыдущая страница | следующая страница ==>
ТИПЫ CD - ДИСКОВ| Создание шаблона письма

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.007 сек.)