Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

Транзистор как четырёхполюсник.

Читайте также:
  1. IC.4. Схемы резонансных усилителей на транзисторах.
  2. Анализ динамического режима работы биполярного транзистора по схеме включения с общим эмиттером
  3. Биполярлы транзистордың жұмыс істеу режимдері. Транзисторлардың жіктемесі. Транзистордың негізгі параметрлері.
  4. Биполярные транзисторы
  5. БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР В РЕЖИМЕ УСИЛЕНИЯ
  6. БІПОЛЯРНІ ТРАНЗИСТОРИ
  7. Вибір принципових схем каскадів попереднього посилення, транзисторів для них і способу їх включення

В режиме малого синусоидального сигнала транзистор можно представить активным линейным четырехполюсником. Для описания свойств транзистора, как четырёхполюсника, наибольшее распространение получили уравнения с Z,Y и h – параметрами.

U1=Z11I1+Z12I2, U2=Z21I1+Z22I2

I1=Y11U1+Y12U2, I2=Y21U1+Y22U2

U1=h11I1+h12U2, I2= h21I1+h22U2

Напомним, что Z-параметры измеряются в режимах ХХ и называются сопротивлениями холостого хода; Y-параметры измеряются в режимах КЗ и называются проводимостями короткого замыкания, система h-параметров является гибридной: одни h-параметры измеряются в режиме ХХ на входных зажимах, другие – в режиме КЗ на выходных.

Параметр транзистора, как четырёхполюсника зависит от выбора рабочей точки (по постоянному току), t°, ν и схемы включения. Точность измерения параметров транзистора как четырёхполюсника, кроме того, зависит от выбранной системы параметров. Транзистор является усилительным прибором с малым входным и большим выходным параметрами. Для него труднее создать режим XX на выходных зажимах и режим К3 на входных. Поэтому точность измерения Z-параметров невысока, и эти параметры применяются, например, для пересчёта параметров Т-образной эквивалентной схемы транзистора в h или y-параметры, и наоборот. На НЧ параметры транзистора наиболее удобно измерять в режиме XX на входе и К3 - на выходе, т.е. h-параметры. Однако, в диапазоне ВЧ, когда из-за паразитных ёмкостей трудно обеспечить условия XX на входе, точность измерения параметров h22 и h12 также падает. В связи с этим на ВЧ часто используют систему Y-параметров.

Очевидно, что параметры транзистора как четырёхполюсника легко пересчитываются из одной системы в другую.

Необходимые для расчётов h-параметры можно определить графо-аналитическим способом по статическим выходным и входным характеристикам. Для определения всех h-параметров необходимо не менее двух характеристик каждого семейства. Параметры рассчитывают по конечным приращениям токов и напряжений вблизи рабочей точки.

Покажем расчёт h-параметров при включении транзистора по схеме с общим эмиттером. По выходным характе-ристикам транзистора с общим эмиттером можно определить параметры h22э и h12э. Проведя из рабочей точки А вертикальную прямую со следующей характеристикой, находят приращения тока коллектора ΔIk при Uэк=const, вызванное приращением тока базы ΔIб= Iб’’-Iб’. Тогда h21э= Iк/Iб=AD/(Iб’’-Iб’). Для определения параметра h22э из рабочей точки А проводят прямую, параллельную оси абсцисс, такой длины, чтобы можно было определить достаточное, для измерений приращение тока Iк’=ВС. Под точками А и В находят приращение коллектора ΔUкэ. Тогда: h22э=1/rкэ= Iк’/ΔUкэ=ВС/АВ.

Для определения параметров h11э и h12э и на семействе входных характеристик строим характеристический треугольник, проводя из рабочей точки А прямые, параллельные оси абсцисс и оси ординат до пересечения со второй характеристикой в точках B’ и C’.

Отрезок A’B’ соответствует приращению напряжения базы ΔUбэ, а A’С’ – приращение тока базы ΔIб. Приращение напряжения коллектора определяется как разность напряжений, при которых снимались характеристики ΔU’кэ=U’’кэ- U’кэ. Тогда

h11э=ΔUбэ/ΔI’б=A’B’/A’C’;

h12э=ΔUбэ/ΔU’кэ=A’B’/U’’кэ- U’кэ.

При усилении переменных сигналов малой амплитуды транзистор можно рассматривать как активный линейный четырёхполюсник. Такой четырёхполюсник удобно описывать системой h-параметров и представить в виде следующей эквивалентной схемы.

- входное сопротивление при КЗ на выходе;

 

 

- выходная проводимость при ХХ на входе

 

 

- коэффициент ОС по напряжению при ХХ на входе

 

 

- коэффициент ОС по току при КЗ на выходе.

 


Дата добавления: 2015-07-15; просмотров: 133 | Нарушение авторских прав


Читайте в этой же книге: Электропроводность полупроводников. | Электронно-дырочный переход. | Полупроводниковый диод. | Полупроводниковый стабилитрон. | Устройство и принцип действия биполярного (бездрейфового) транзистора. | При включении с общим эмиттером. | Полупроводниковый усилительный каскад на биполярном транзисторе. | Схема усилительного каскада с общим эммитером. | Выпрямители. | Двухполупериодные выпрямители переменного тока. |
<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Фиксация и температурная стабилизация положения рабочей точки.| Характеристики транзисторных усилителей.

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.007 сек.)