Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

Устройство и принцип действия биполярного (бездрейфового) транзистора.

Читайте также:
  1. DПринципы dреализации dгосударственных dгарантий dгражданских dслужащих
  2. DПринципыdреализацииdгосударственныхdгарантийdгражданскихdслужащих
  3. I. Понятие кредитного договора. Принципы кредитования.
  4. I.10. Изучение комбинированного действия поликомпонентных лекарственных препаратов
  5. II этап. Реализация проекта модели взаимодействия семьи и школы
  6. II этап. Реализация проекта модели взаимодействия семьи и школы
  7. II-A. Диагностика особенностей взаимодействия источника зажигания с горючим веществом, самовозгорания веществ и материалов

С общей базой.

Если сделаем разрыв на эмиттере:

.

Концентрация основных носителей в области эмиттера больше концентрации носителей в базе, поэтому рекомбинация дырок из эмиттера с электронами базы происходит в области базы.

Коллекторный переход закрыт для основных носителей базы и открыт для не основных носителей. Образовавшаяся составляющая тока называется током коллекторного перехода . Эту составляющую можно измерить при разорванной эмиттерной цепи. Учитывая, что дырок больше чем электронов и то, что ширина базы очень мала, можно сделать вывод, что большинство дырок, не успевшие рекомбинировать с электронами базы, втягиваются его мощным полем в коллектор, увеличивая ток коллектора. Коэффициент называется коэффициентом передачи тока в схеме с общей базой: | Uбк=const. показывает какая часть эмиттерного тока проходит в коллектор. можно изменить, усиливая или ослабляя p>n, изменяя ширину базы и, изменяя площадь коллекторного перехода по сравнению с площадью эмиттера.

 


Дата добавления: 2015-07-15; просмотров: 120 | Нарушение авторских прав


Читайте в этой же книге: Электропроводность полупроводников. | Электронно-дырочный переход. | Полупроводниковый диод. | Полупроводниковый усилительный каскад на биполярном транзисторе. | Схема усилительного каскада с общим эммитером. | Фиксация и температурная стабилизация положения рабочей точки. | Транзистор как четырёхполюсник. | Характеристики транзисторных усилителей. | Выпрямители. | Двухполупериодные выпрямители переменного тока. |
<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Полупроводниковый стабилитрон.| При включении с общим эмиттером.

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.007 сек.)