Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

Основные параметры биполярных транзисторов.

Читайте также:
  1. I. ОСНОВНЫЕ ИТОГИ БЮДЖЕТНОЙ ПОЛИТИКИ В 2009 ГОДУ И В НАЧАЛЕ 2010 ГОДА
  2. I. ОСНОВНЫЕ ПОЛОЖЕНИЯ
  3. I. ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ БЮДЖЕТНОЙ ПОЛИТИКИ В 2010 ГОДУ И В НАЧАЛЕ 2011 ГОДА
  4. I. Основные результаты и проблемы бюджетной политики
  5. I. Основные результаты и проблемы бюджетной политики
  6. I.1. Основные определения.
  7. I.3. Основные технические показатели усилителей.

Коэффициент усиления по току – соотношение тока коллектора IС к току базы IB. Обозначается β, hfe или h21e, в зависимости от специфики расчетов, проводимых с транзисторов.

Входное сопротивление – сопротивление в транзисторе, которое «встречает» ток базы. Обозначается Rin (Rвх). Чем оно больше - тем лучше для усилительных характеристик прибора, поскольку со стороны базы обычно находиться источник слабого сигнала, у которого нужно потреблять как можно меньше тока. Идеальный вариант – это когда входное сопротивление равняется бесконечность.

Выходная проводимость - проводимость транзистора между коллектором и эмиттером. Чем больше выходная проводимость, тем больше тока коллектор-эмиттер сможет проходить через транзистор при меньшей мощности.

Частотная характеристика – зависимость коэффициента усиления транзистора от частоты входящего сигнала. С повышением частоты, способность транзистора усиливать сигнал постепенно падает. Причиной тому являются паразитные емкости, образовавшиеся в PN-переходах. На изменения входного сигнала в базе транзистор реагирует не мгновенно, а с определенным замедлением, обусловленным затратой времени на наполнение зарядом этих емкостей. Поэтому, при очень высоких частотах, транзистор просто не успевает среагировать и полностью усилить сигнал.

 

 

26. Основные схемы включения биполярных транзисторов.

Рис. 1 - Схема включения транзистора с общим эмиттером

Рис. 2 - Схема включения транзистора с общей базой

Рис. 3 - Схема включения транзистора с общим коллектором

 


Дата добавления: 2015-07-15; просмотров: 101 | Нарушение авторских прав


Читайте в этой же книге: Полупроводниковые диоды. Классификация, основные параметры | Выпрямительные диоды. Классификация, основные параметры | Специальные типы полупроводниковых диодов | Стабилитроны. Классификация, основные параметры. | Применение выпрямительных диодов. | Однополупериодный выпрямитель. | Мостовой выпрямитель. | Параметрический стабилизатор напряжения. | Устройство биполярного транзистора. | Статические характеристики биполярного транзистора. |
<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Малосигнальные параметры (h-параметры).| Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом.

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.006 сек.)