Исследования физических процессов в биполярном транзисторе

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 7-10

ИССЛЕДОВАНИЯ ФИЗИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ В БИПОЛЯРНОМ ТРАНЗИСТОРЕ

Цель работы: Изучение устройства, принципа действия биполярного транзистора, механизма протекания тока в нем.

Студент………………………………

Группа………………………………..

Подпись преподавателя…………….

Дата…………………………………..

1. Приборы и их характеристики.

Амперметр: пределы измерений 0-2,00 мА, ц.д.=0,05 мА. Класс точности – 1,5

Вольтметр (1): пределы измерений 0-200 мВ, ц.д.=2 мВ. Класс точности – 1,0

Вольтметр (2) пределы измерений 0-15 В, ц.д.=0,2 В. Класс точности – 1,0

2.Исходные данные.

Таблица 1. Входная характеристика и характеристика передачи тока транзистора при U_кб=9B. R_v1 = 2 кОм

№ п/п	I1, мА	Uэб, мВ	Iэ, мА	IК, мА	ln Iэ	qUэб/kT
				0,0001		0,928
	0,1		0,058	0,0875	-2,847	3,246
	0,5		0,436	0,46	-0,830	4,947
	0,75		0,75	0,72	-0,288	5,333
				0,95	0,000	5,565
	1,25		1,25	1,21	0,223	5,874
	1,35		1,35	1,31	0,300	5,952
	1,5		1,5	1,48	0,405	6,145
	1,6		1,6	1,59	0,470	6,222
	1,75		1,75	1,74	0,560	6,338

Таблица 2. Выходные характеристики транзистора

№ п/п	Uкб, В	Iэ1= 0,5 мА	Iэ2=1,5 мА
Iк, мА	Iк, мА
		0,42	1,17
		0,44	1,19
		0,445	1,20
		0,45	1,20
		0,451	1,20
		0,452	1,205
		0,455	1,21

I_э=f(U_эб)

I_К=f(U_кб)

I_К=f(I_э)

ln I_э=f(qU_эб/kT)

tgj = 1 — преобладает инжекционная составляющая

Дата добавления: 2015-11-04