Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АрхитектураБиологияГеографияДругоеИностранные языки
ИнформатикаИсторияКультураЛитератураМатематика
МедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогика
ПолитикаПравоПрограммированиеПсихологияРелигия
СоциологияСпортСтроительствоФизикаФилософия
ФинансыХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника

для курсовой работе по дисциплине «Радиотехнические цепи и сигналы»



ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ

для курсовой работе по дисциплине «Радиотехнические цепи и сигналы»

весенний семестр 2014 года

 

Характеристики радиотехнического сигнала:

 

Номер варианта

Амплитуда несущей, В

Длительность радиоимпульса, мс

Частота несущей, МГц

Тип модуляции

Коэффициент (индекс) модуляции

Форма модулирующего сигнала

Частота модулирующего сигнала, Гц

 

0,5

3,2

1,9

ОБП

0,2

   
 

0,6

5,5

10,0

АМ

0,3

   
 

0,7

4,0

15,0

БАМ

0,4

   
 

0,8

12,0

2,0

ОБП

0,5

   
 

0,9

5,0

4,0

АМ

0,6

   
 

1,0

1,0

6,0

БАМ

0,7

   
 

1,1

2,0

3,6

АМ

0,8

   
 

1,2

3,0

1,6

АМ

0,9

   
 

1,3

52,0

12,0

ОБП

0,2

   
 

1,4

15,0

24,0

БАМ

0,3

   
 

1,5

1,1

12,5

ОБП

0,4

   
 

0,5

2,3

2,2

АМ

0,5

   
 

0,6

4,4

1,8

БАМ

0,6

   
 

0,7

5,6

30,0

ОБП

0,7

   
 

0,8

1,5

22,0

АМ

0,8

   
 

0,9

6,5

4,8

БАМ

0,9

   
 

1,0

8,0

5,5

АМ

0,2

   
 

1,1

18,0

7,8

АМ

0,3

   
 

1,2

13,0

13,0

ОБП

0,4

   
 

1,3

7,0

9,6

БАМ

0,5

   
 

1,4

65,0

0,8

АМ

0,6

   
 

1,5

87,0

0,6

АМ

0,2

   

 

 

1. Литература: Баскаков С.И. Радиотехнические цепи и сигналы. 2 -5 е изд. – М.: Высшая школа, 1988-2006. – 448 с.

2. Гоноровский И.С. Радиотехнические цепи и сигналы. 4-5 е изд. – М.: Радио и связь, 1986-2002. – 512 с.

 

 

Блохин Михаил Александрович

 

Брюховских Павел Сергеевич

 

Векшин Андрей Николаевич

 

Говоров Михаил Геннадьевич

 

Гудименко Евгений Александрович

 

Давыдов Марат Ризаевич

 

Козлов Дмитрий Сергеевич

 

Коптев Александр Алексеевич

 

Кузнецов Михаил Олегович

 

Лахов Олег Игоревич

 

Миляев Дмитрий Васильевич

 

Оськин Никита Владимирович

 

Павлов Алексей Владимирович

 

Поярков Дмитрий Геннадьевич

 

Прищепа Максим Валерьевич

 

Савенков Антон Юрьевич

 

Слонов Максим Сергеевич

 

Собепанек Дмитрий Валерьевич

 

Столяров Денис Игоревич

 

Ткачев Владислав Евгениевич

 

Холодкова Василиса Юрьевна

 

Черников Сергей Олегович


 

№ варианта

Вольт-амперная характеристика нелинейного элемента

Тип устройства

Параметры устройства

 

Преобразователь частоты

1. Напряжение гетеродина 1 В

2. Промежуточная частота 465 кГц

3. Добротность контура Q=80

4. Коэффициент усиления по току β =25



5. Коэффициент включения контура К=0,55

6. Амплитуда напряжения входного сигнала 0,05 В

7. Смещение рабочей точки транзистора 0,8 В

 

 

 

Коллекторный детектор

1. Смещение рабочей точки транзистора 0,5 В

2. Сопротивление нагрузки 33 кОм

3. Ёмкость нагрузки 3300 пФ

4. Коэффициент усиления по току β =25

5. Амплитуда напряжения входного сигнала 2 В

 

 

АМ модулятор

1. Смещение рабочей точки транзистора 1,0 В

2. Добротность контура Q=75

3. Коэффициент включения контура К =0,8

4. Коэффициент усиления по току β =10

5. Амплитуда несущей 0,7 В, амплитуда модулирующего сигнала 0,3 В

 

Резонансный нелинейный усилитель

1. Смещение рабочей точки U0= 0,25 В

2. Коэффициент усиления по току β=40

3. Добротность контура Q=60

4. Коэффициент включения контура К=0,7

5. Амплитуда напряжения входного сигнала 1 В

 

Резонансный умножитель частоты

1. Смещение рабочей точки U0= 1 В

2. Коэффициент усиления по току β=20

3. Добротность контура Q=30

4. Коэффициент включения контура К=0,5

5. Номер гармоники N=3

6. Амплитуда напряжения входного сигнала 1 В

 

Синхронный детектор

1. Напряжение гетеродина 1 В

2. Сопротивление нагрузки 8,2 кОм

3. Ёмкость нагрузки 1000 пФ

4. Коэффициент усиления по току β =25

5. Амплитуда напряжения входного сигнала 1,5 В

6. Смещение рабочей точки транзистора 0,4 В

 

 

 

Резонансный нелинейный усилитель

1. Смещение рабочей точки U0= - 0,8 В

2. Коэффициент усиления по току β=30

3. Добротность контура Q=50

4. Коэффициент включения контура К=0,5

5. Амплитуда напряжения входного сигнала 2,3 В

 

Преобразователь частоты

1. Напряжение гетеродина 1 В

2. Промежуточная частота 465 кГц

3. Добротность контура Q=40

4. Коэффициент усиления по току β =35

5. Коэффициент включения контура К=0, 5

6. Амплитуда напряжения входного сигнала 0,01 В

7. Смещение рабочей точки транзистора 0,6 В

 

 

 

Коллекторный детектор

1. Смещение рабочей точки транзистора 0,4 В

2. Сопротивление нагрузки 15 кОм

3. Ёмкость нагрузки 5100 пФ

4. Коэффициент усиления по току β =45

5. Амплитуда напряжения входного сигнала 2 В

 

АМ модулятор

1. Смещение рабочей точки транзистора 0,5 В

2. Добротность контура Q=85

3. Коэффициент включения контура К =0,9

4. Коэффициент усиления по току β =30

5. Амплитуда несущей 0,9 В, амплитуда модулирующего сигнала 0,3 В

 

 

Резонансный нелинейный усилитель

1. Смещение рабочей точки U0= 0,5 В

2. Коэффициент усиления по току β=50

3. Добротность контура Q=60

4. Коэффициент включения контура К=0,3

5. Амплитуда напряжения входного сигнала 1,5 В

 

Резонансный умножитель частоты

1. Смещение рабочей точки оптимальное

2. Коэффициент усиления по току β=30

3. Добротность контура Q=40

4. Коэффициент включения контура К=0,4

5. Номер гармоники N=5

6. Амплитуда напряжения входного сигнала 2 В

 

Синхронный детектор

1. Напряжение гетеродина 1 В

2. Сопротивление нагрузки 2 кОм

3. Ёмкость нагрузки 1200 пФ

4. Коэффициент усиления по току β =40

5. Смещение рабочей точки транзистора 1,0 В

6. Амплитуда напряжения входного сигнала 0,1 В

 

 

Преобразователь частоты

1. Напряжение гетеродина 1,5 В

2. Промежуточная частота 465 кГц

3. Добротность контура Q=75

4. Коэффициент усиления по току β =30

5. Коэффициент включения контура К=0,85

6. Смещение рабочей точки транзистора 0,5 В

7. Амплитуда напряжения входного сигнала 0,05 В

 

 

 

Коллекторный детектор

1. Смещение рабочей точки транзистора 1 В

2. Сопротивление нагрузки 7,8 кОм

3. Ёмкость нагрузки 5100 пФ

4. Коэффициент усиления по току β =25

5. Амплитуда напряжения входного сигнала 1,5 В

 

АМ модулятор

1. Смещение рабочей точки транзистора 0,6 В

2. Добротность контура Q=55

3. Коэффициент включения контура К =0,45

4. Коэффициент усиления по току β =150

5. Амплитуда несущей 1 В, амплитуда модулирующего сигнала 0,4 В

 

Резонансный нелинейный усилитель

1. Смещение рабочей точки U0= -0,5 В

2. Коэффициент усиления по току β=20

3. Добротность контура Q=30

4. Коэффициент включения контура К=0,3

5. Амплитуда напряжения входного сигнала 2,5 В

 

Резонансный умножитель частоты

1. Смещение рабочей точки оптимальное

2. Коэффициент усиления по току β=40

3. Добротность контура Q=35

4. Коэффициент включения контура К=0,4

5. Номер гармоники N=2

6. Амплитуда напряжения входного сигнала 1,5 В

 

Синхронный детектор

1. Напряжение гетеродина 1,2 В

2. Сопротивление нагрузки 7,5 кОм

3. Ёмкость нагрузки 6800 пФ

4. Коэффициент усиления по току β =25

5. Смещение рабочей точки транзистора 0,6 В

6. Амплитуда напряжения входного сигнала 0,2 В

 

 

 

Преобразователь частоты

1. Напряжение гетеродина 1 В

2. Промежуточная частота 465 кГц

3. Добротность контура Q=30

4. Коэффициент усиления по току β =55

5. Коэффициент включения контура К=0,75

6. Амплитуда напряжения входного сигнала 0,01 В

7. Смещение рабочей точки транзистора 0,6 В

 

 

 

Коллекторный детектор

1. Смещение рабочей точки транзистора 1,0 В

2. Сопротивление нагрузки 11 кОм

3. Ёмкость нагрузки 1200 пФ

4. Коэффициент усиления по току β =25

5. Амплитуда напряжения входного сигнала 1,2 В

 

АМ модулятор

1. Смещение рабочей точки транзистора 1 В

2. Добротность контура Q=75

3. Коэффициент включения контура К =0,75

4. Коэффициент усиления по току β =30

5. Амплитуда несущей 1,0 В, амплитуда модулирующего сигнала 0,5 В


 


 

График выполнения КР РТЦС

 

№ п/п

Этап

Срок

 

Определение спектра модулирующего и модулированного сигналов

03.03.2014

 

Аппроксимация ВАХ нелинейного элемента

10.03.2014

 

Анализ назначения, принципа действия и характеристик радиотехнического устройтсва

17.03.2014

 

Определение временной формы сигнала тока на выходе нелинейного элемента

31.03.2014

 

Определение спектра тока на выходе нелинейного элемента

14.04.2014

 

Определение частотной характеристики фильтра

21.04.2014

 

Определение спектра сигнала на выходе устройства

28.04.2104

 

Определение временной формы сигнала на выходе устройства

05.05.2014

 

Анализ искажений сигнала

12.05.2014

 

Оформление пояснительной записки

19.05.2014

 

Защита 1 КР (100)

22.05.2014

 

Защита КР (80)

26.05.2014

 

Защита КР (60)

29.06.2014

 


Дата добавления: 2015-10-21; просмотров: 28 | Нарушение авторских прав




<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Сергей Васильевич Рахманинов родился 20 марта (1 апреля по новому стилю) 1873 года. Длительное время местом рождения считалось имение его родителей Онег, недалеко от Новгорода. По новым сведениям | 210602.65 – Наноматериалы (II вариант)

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.045 сек.)