Е.О.Федосеева, Г П. Федосеева 6 страница

Сопротивления эмиттерного и коллекторного переходов за­висят от режима транзистора и могут быть определены как дифференциальные сопротивления для данной рабочей точки по статическим характеристикам транзистора в схеме ОБ; сопротив­ление эмиттерного перехода — по входной характеристике как от­ношение малого приращения напряжения эмиттера к вызванному им приращению тока эмиттера при постоянном напряжении коллектора:

^hl>3 при U_K = const;

г_э =

д/_э

сопротивление коллекторного перехода — по выходной характе­ристике как отношение приращения напряжения коллектора к вызванному им малому приращению тока коллектора при по­стоянном токе эмиттера:

Д^к

при /_э = const.

Д/к

К неудобству использования первичных параметров транзис­тора г_э, г_б и г_к следует отнести то, что их невозможно непосред­ственно измерить с помощью измерительных приборов, поскольку точки для подключения прибора находятся внутри структуры транзистора.

К параметрам транзистора относят также дифференциаль­ные коэффициенты усиления тока в трех схемах включения. Учитывая их зависимость от режима, коэффициенты усиления тока определяют как отношение приращения выходного тока к вызвавшему его малому приращению входного тока при данном неизменном выходном напряжении.

Для схемы ОБ коэффициент усиления тока а:

а= при U_K6 = const; а= 0,95—0,99.

Для схемы ОЭ коэффициент усиления тока 0:

Р = ^ПР^И ^кэ = const; р = 20—200.

А/б

Для схемы О К коэффициент усиления тока у: у = 4г" ^ПР^И — const; у — 20—200.

А/б

Коэффициенты усиления тока, называемые также коэффици­ентами передачи тока, в разных схемах включения транзистора связаны соотношениями:

е = т^г- P = v-1;

Y=l+P; Y = _T^-

Коэффициенты усиления тока аир могут быть определены по выходным характеристикам транзистора в схемах включения ОБ и ОЭ.

Сущность вторичных параметров можно объяснить, представив транзистор в виде активного четырехполюсника, имеющего два входных и два выходных вывода и усиливающего сигнал (рис. 1.35,6). Входные величины обозначают индексом «1», а выходные — индексом «2»: 1\ и U\ — входные ток и напряжение, h и Ui — выходные. Все рассуждения справедливы при условии, что сигналы, т. е. приращения Д/_ь AUi, Д/г и MJ2, малы.

Эти четыре величины взаимно связаны и влияют друг на дру­га. Для расчетов выбирают две из них в качестве независимых переменных, а две другие величины будут зависимыми перемен­ными. Для них составляется система из двух уравнений, свя­зывающих их с независимыми величинами через коэффициенты, которыми могут быть либо только сопротивления, либо только проводимости, либо разные по размерности коэффициенты. Эти коэффициенты и являются вторичными параметрами. В выборе пары независимых переменных есть несколько вариантов. Соот­ветственными будут и варианты выбора системы уравнений, а значит, и совокупности параметров для этой системы, назы­ваемой системой параметров. Существуют разные системы пара­метров: система Z-параметров (Z имеет размерность сопротив­ления), ^-параметров (у имеет размерность проводимости), /i-параметров и другие.

Наибольшее распространение при расчете транзисторных низ­кочастотных схем получили Н-параметры. Их преимущество пе­ред собственными параметрами состоит в том, что их удобно определять с помощью измерений в схеме включения транзисто­ра, причем для этого легко создать требуемые режимы по пере­менному току: короткое замыкание на выходе, соответствующее условию ДС/₂ = 0 (или U₂= const), и холостой ход на входе, соответственно, ДЛ = 0 (или /\ = const).

Для определения /i-параметров составляется система уравне­ний, в которой независимыми переменными являются Д/1 и Д£/₂:

Д U1 = Л11Д/1 -j- Л,₂Д£У₂;

Д/₂ = Л₂|Д/1 -f- Л₂₂Д(/₂.

В этой системе имеется четыре параметра с разной размер­ностью: h\\_y /i₂₂, Л₂1, h\2-

Индекс параметра представляет сочетание двух цифр, обозна­чающих соответствующую цепь: «11» (один-один) относится ко входной цепи; «22» (два-два)—к выходной, «21» (два-один) отражает зависимость выходной величины от входной, а «12» (один-два) — зависимость входной величины от выходной. Зна­чение этих параметров следующее:

hw — входное сопротивление транзистора при неизменном вы­ходном напряжении

hw = при U2 = const;

Л₂₂ — выходная проводимость транзистора при неизменном вход­ном токе

h₂₂ — ттг~ ^ПР^И!\ — const;

А с/-2

/i2i — коэффициент усиления тока при неизменном выходном напряжении:

Л21 — 4т~ при U₂ = const;

Л/1

h\2 — коэффициент внутренней обратной связи по напряжению при неизменном входном токе

h\2 = “77~ При I\ = Const.

Л(У₂

Рис. 1.36. Определение Л-параметров по статическим характеристикам транзистора в схеме ОЭ: а —Лц_а;

б — /1₂2-«в — /1_2)э; г — h_v>₃

Поскольку в систему /z-параметров входят сопротивление, проводимость и безразмерные величины, их иногда называют смешанными, или гибридными, параметрами. Эти параметры зависят от схемы включения транзистора и в разных схемах имеют разные значения. Поэтому к индексу добавляют букву, обозначающую схему включения: для схемы ОБ параметры /1ц_б, Л226, /*21б, /ii26; для схемы ОЭ — Лц_э, Л₂2э, /*21э, /*12_Э; для схемы ОК добавляется буква «к».

Определение Л-параметров по статическим характеристикам транзистора для схемы ОЭ показано на рис. 1.36, где h\\ опре­деляется по одной входной характеристике, Л₂2 — по одной вы­ходной, h1₂ — по двум ВХОДНЫМ, /121 — по двум выходным. Учи­тывая, что характеристики транзистора нелинейны и параметры зависят от режима работы, их определяют для рабочей точки по малым приращениям токов и напряжений:

/inэ = ^A.^U,⁶ при и_ю = const (рис. 1.36, а);

Д/п

^^22э~~ПГ~ ^ПР^И ^^б== const (рис. 1.36, б);

Л21э = хр при Ц«= cons* (рис. 1.36, в);

Д/б

/zi2э = -туг- при /_б = const (рис. 1.36, г).

Дс/_кэ

Значения /i-параметров для разных схем включения связаны соотношениями, из которых по /i-параметрам одной схемы можно найти /г-параметры другой. Например:

h\\ э = Ли к =; -----; /^22э = /*22к = ^Лг26

1 — Л216 1 — Л216

Кроме того, /i-параметры можно выразить через первичные параметры транзистора:

h\\f) = г_ъ-\- r₆(\ a); h\\-_t — h\\_K = Гб Н~ (1 Н~ Р) i

Л226 = ——; ^22э = /122к ^: = —^;

г к

I,. ___ ^г<5. I, _______ 1. L. ______ ^э(1 + Р).

«12б — —, «12к = 1, «12э — ----,

г к Г к

Л216 = а; /*21 к = V = 1 —Р ⁼ ------------------- i /121 э = р.

1 — а

В справочниках приводится коэффициент усиления тока в схеме ОЭ: Л21, = Р.

Как видно из приведенных соотношений, аир соответствен­но равны /1216 и Лги; определение их по коллекторным характе­ристикам для схем ОЭ и ОБ производится аналогично показан­

ному на рис. 1.36, в.

Кроме рассмотренных параметров свойства транзистора ха­рактеризуются величинами, определяющими номинальный и пре­дельный режимы работы и возможности использования транзис­торов в различных устройствах. К ним относятся обратный ток коллектора, обратный ток эмиттера, граничная частота усиления тока, емкость коллекторного перехода.

Предельные режимы определяются максимально допустимыми значениями токов, напряжений и рассеиваемой мощности, кото­рые нельзя превышать ни при каких условиях эксплуатации. К ним относятся максимально допустимые постоянные токи кол­лектора /_кмакс, эмиттера /_эмакс и базы /бмакс, максимально допусти­мые постоянные напряжения £/_Эбмакс, ^Лемане Ц«макс, максимально допустимая постоянная мощность Р_КМакс, которая выделяется на коллекторном переходе.

Частотные свойства транзистора зависят от влияния емкостей С_э и С_к. Несмотря на то, что емкость эмиттерного перехода на порядок больше, чем коллекторного, влияние С_к в области высо­ких частот сильнее. Это объясняется тем, что емкость С_э шунти­рует очень малое сопротивление эмиттерного перехода г_э, а ем­кость С_к — очень большое сопротивление г_к. Параметром тран­зистора, характеризующим его частотные свойства, является граничная частота, при которой коэффициент усиления тока уменьшается в раз. Для схемы ОБ это частота /_а, при кото­рой а уменьшается в -\[2~раз, а — то же для р в схеме ОЭ.

Поскольку ток базы в (1 -j- Р) раз меньше тока эмиттера, то

/р = ₁ ^. Отсюда следует, что граничная частота в схеме ОЭ

меньше, чем в схеме ОБ, и частотные свойства транзистора хуже.

Из рассмотрения принципа действия транзистора и его харак­теристик в схемах ОБ и ОЭ видно, что в схеме ОБ выходной ток /_к практически повторяет по величине входной ток /_э (схема не дает усиления тока); в схеме ОЭ выходной ток /_к во много раз больше входного тока /_б (происходит усиление тока). Следует добавить, что в схеме ОК ток усиливается практически так же, как в схеме ОЭ, но она не дает усиления по напряжению. Очевидно, что наибольшее усиление мощности электрических колебаний дает схема ОЭ.

1.4.4. Типы транзисторов и система их обозначений

Транзисторы разделяют на типы в зависимости от их назна­чения по граничной частоте усиливаемого сигнала и по мощно­сти, рассеиваемой на коллекторе.

По частотным свойствам транзисторы делят на низкочастот­ные (f_a ^ 3 МГц), средней частоты (3</а^30 МГц), высоко­частотные (30 </„<300 МГц) и СВЧ (f_a >300 МГц).

По максимально допустимой мощности, рассеиваемой коллек­тором, различают транзисторы малой мощности (Р_кмакс ^ 0,3 Вт), средней мощности (0,3 < Я_кмакс ^ 1,5 Вт) и большой мощности (Ркмакс > 1,5 Вт). Для улучшения теплоотвода транзисторов средней и большой мощности используют радиаторы охлажде­ния; иногда роль радиатора охлаждения может играть корпус устройства, на котором укрепляется транзистор. Внешний вид транзисторов разной мощности показан на рис. 1.37.

Система буквенно-цифровых обозначений транзисторов такая же, как для диодов. В качестве второго элемента ставится буква Т. Третий элемент — трех­значное число, определяющее группу по электрическим свойствам и порядковому

номеру разработки; устанавливается в -соответствии со следующим распределе­нием по сотням. Малой мощности

НТ807А

ГТ905А

НТ805А

Рис. 1.37. Внешний вид транзисторов разных типов (а), со снятой крышкой корпуса (б) и с радиатором охлаждения (в)

Примеры обозначения транзисторов: ГТ108Б — германиевый транзистор малой мощности, низкой частоты, поряд­ковый номер разработки 08, группа по параметрам Б; КТ315Г — кремниевый транзистор малой мощности, высокой частоты, поряд­ковый номер разработки 15, группа Г; КТ808А — кремниевый транзистор большой мощности, средней частоты, порядковый номер разработки 08, группа А. В эксплуатации еще находятся транзисторы прежних выпусков со старыми обозначениями. Например, МП39Б, МП41, П28 (германиевые, малой мощности, низкой частоты), П210А (германиевый транзистор большой мощности, низкой частоты).

Контрольные вопросы 1. Что представляет собой биполярный транзистор? 2. По схеме включения транзистора объясните его принцип действия как управ­ляемого прибора. 3. Объясните процесс усиления электрических колебаний с помощью транзи­стора.

4. Какие возможны схемы включения транзистора и какими свойствами они отличаются?

5. Нарисуйте входные и выходные характеристики транзистора в' схеме с общим эмиттером.

6. Перечислите первичные и Л-параметры транзистора и покажите, как опреде­ляются коэффициенты усиления тока а и р по характеристикам.

Глава 1.5.

ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

1.5.1. Устройство и принцип действия полевого транзистора

с р-п переходом

Полевым транзистором называют полупроводниковый прибор, обладающий усилительными свойствами, которые обусловлены потоком основных носителей заряда, протекающим через прово­дящий канал и управляемым поперечным электрическим полем.

Рис. 1.38. Полевой транзис­тор с управляющим р-п пе­реходом: а, б — упрощенные структуры; в, г — условные графические обозначения с каналом n-типа и р-типа; д — схема включения, пояс­няющая принцип действия

В отличие от биполярного транзистора действие полевого транзистора обусловлено носителями заряда одной полярности — либо только электронами в канале п-типа, либо только дырками в канале p-типа. Поэтому их называют униполярными.

Различают два основных вида полевых транзисторов: с уп­равляющим р-п переходом и с изолированным затвором.

Рассмотрим устройство и принцип действия полевого транзи­стора с р-п переходом (рис. 1.38). Он представляет собой полу­проводниковую пластину п-типа, от торцов которой с помощью невыпрямляющих металлических контактов сделаны выводы
электродов. Слой полупроводника между этими контактами, в котором регулируется поток носителей заряда, называют проводящим каналом (в данном случае — п-типа). Электрод полевого транзистора, через который в проводящий канал вте­кают носители заряда, называют истоком И, а электрод, через который из канала вытекают носители заряда, — стоком С.

На грань пластины в ее центральной части наплавляют ак­цепторное вещество, создающее область p-типа; в результате образуется р-п переход. От p-области сделан вывод третьего электрода для подачи на р-п переход обратного напряжения. В таком режиме слой, обедненный носителями заряда имеет про­водимость, близкую к нулю. Электрод, на который подается на­пряжение, создающее электрическое поле для управления проте­кающим через канал током, называют затвором 3.

При создании р-п перехода только с одной стороны пластины (рис. 1.38, а) канал п-типа образуется между областью р-п пере­хода и непроводящей подложкой, на которой укреплена пласти­на. Чаще всего создают р-п переходы с двух сторон пластины — на противоположных гранях — и электрически соединяют обе p-области в один вывод затвора (рис. 1.38,6). В этом случае проводящий канал образуется в пластине между областями двух р-п переходов.

На рис. 1.38, в, г показаны условные графические обозначе­ния полевых транзисторов с каналами п-типа и р-типа.

В схеме включения полевого транзистора (рис. 1.38, д) между истоком и стоком подается напряжение U_c„ такой поляр­ности, чтобы основные носители заряда (электроны в канале п-типа) двигались по каналу в направлении от истока к стоку. При этом через канал и по внешней цепи протекает ток стока /_с. Цепь между стоком и истоком является главной.

На затвор относительно истока подается напряжение U_M, обратное для р-п перехода. Оно создает поперечное по отноше­нию к каналу электрическое поле, напряженность которого за­висит от величины приложенного напряжения. Чем больше это напряжение, а следовательно, сильнее электрическое поле, тем шире запирающий слой и уже канал (пунктир на рис. 1.38, д). С уменьшением поперечного сечения канала уменьшается его проводимость, что приводит к уменьшению тока /_с в цепи. Цепь между затвором и истоком является управляющей. Таким обра­зом, принцип действия полевого транзистора с р-п переходом основан на изменении проводимости канала за счет изменения ширины области р-п перехода под действием поперечного элек­трического поля, которое создается напряжением затвор — исток.

Если в цепь затвор — исток последовательно с источником постоянного напряжения Е₃ включить источник усиливаемого

сигнала, а в главную цепь между стоком и истоком последо­вательно с источником питания Е_с — нагрузку /?_н (рис. 1.39), то будет происходить процесс усиления сигнала. Слабый сигнал вызывает изменения поперечного электрического поля; оно пуль­сирует с частотой сигнала, что в свою очередь приводит к перио­дическим расширениям и сужениям канала. Это вызывает пуль­сации тока /_с и напряжения на нагрузке R_H. Переменная состав­ляющая этого напряжения представляет собой усиленный сигнал на выходе, значительно больший по мощности, чем сигнал в цепи управления на входе.

		вых
	Рис. 1.39. Схема включения левого транзистора с обш истоком для усиления элект ческих колебаний

Из принципа действия полевого транзистора следует, что, в отличие от биполярного транзистора, он управляется не током, а напряжением 1!_ш.

Поскольку это напряжение обратное, то в цепи затвора ток не протекает, входное сопротивление остается очень большим, на управление потоком носителей заряда, а значит, и выходным током /_с не затрачивается мощность. В этом преимущество поле­вого транзистора по сравнению с биполярным.

Такое же устройство и принцип действия имеют полевые тран­зисторы с р-п переходом и каналом p-типа; по сравнению с тран­зисторами с каналом п-типа они требуют противоположной по­лярности источников питания. Основные носители заряда в них — дырки.

Следует отметить, что при подаче на канал напряжения U_CH потенциалы точек канала относительно истока неодинаковы по его длине: они возрастают по мере приближения к стоку от нуля до полного напряжения U_m. В связи с этим увеличивается и об­ратное напряжение на р-п переходе в направлении от истока к стоку от значения, равного U_3tt около истока, до суммы

+ Ос» у стока. Это вызывает постепенное расширение обла­сти р-п перехода по мере приближения к стоку и соответствую­щее сужение канала: его сечение уменьшается в направлении от истокового конца к стоковому. С увеличением возрастает влияние этого напряжения на сужение канала у стокового конца.

1.5.2. Статические вольт-амперные характеристики полевых транзисторов с р-п переходом

Основные характеристики полевых транзисторов — выходные (стоковые) и передаточные (стоко-затворные).

Стоковая характеристика отражает зависимость тока стока от напряжения сток — исток при постоянном напряжении за­твор — исток:

/с = /(t/си) при (Ли = const.

Характеристики, снятые при разных значениях неизменной величины (Ли, составляют семейство статических стоковых ха­рактеристик. На рис. 1.40, а, приведено семейство характеристик для полевого транзистора с р-п переходом и каналом п-типа.

Рассмотрим стоковую характеристику, снятую при 1/_ЗИ = 0, когда канал имеет максимальное исходное рабочее сечение. В ней можно выделить три участка.

Рис. 1.40. Семейство стоковых характеристик (а) и стоко-зат­ворная характеристика (б) полевого транзистора с управляю­щим р-п переходом и каналом п-типа

Начальный участок выходит из начала координат (при и_ы = 0 ток /_с тоже равен нулю) и соответствует малым значе­ниям напряжения £/_си, изменение которого почти не влияет на проводимость канала; канал полностью открыт. Поэтому ток /_с на этом участке растет прямо пропорционально напряжению и_с«\ характеристика идет круто вверх.

По мере дальнейшего увеличения U_CH начинает сказываться его влияние на проводимость канала. Причиной этого служит возрастание потенциала точек канала в направлении к стоку и, соответственно, рост обратного напряжения на р-п переходе, которое при 0_ЗИ = 0, у стокового конца равно величине £/_си. По мере увеличения U_cyi происходит сужение канала, уменьша­ется его проводимость и замедляется рост тока /_с. Это соответ­ствует криволинейной переходной области характеристики.

Дальнейшее увеличение U_CH практически не вызывает роста тока, так как непосредственное влияние U_CH на величину тока компенсируется одновременным повышением сопротивления ка­нала из-за его сужения. Максимальное сужение канала назы- выют перекрытием канала. Этот режим называют режимом насы­щения. Ему соответствует пологий, почти горизонтальный, учас­ток характеристики. Напряжение, при котором начинается режим насыщения, называют напряжением насыщения Uchнас, а ток при этом — током насыщения /_сиас.. Участок характеристики, соответ­ствующий режиму насыщения, используется в усилителях как рабочий.

При дальнейшем увеличении U_CH, когда оно достигает опре­деленного значения, ток резко возрастает; это соответствует лавинному пробою р-п перехода вблизи стока, где канал имеет наименьшее сечение, а обратное напряжение на р-п переходе — наибольшую величину. Пробой транзистора недопустим, поэтому в рабочем режиме повышение (У_си ограничивается максимально допустимым значением, указываемым в справочниках.

Характеристики, снимаемые при значениях (Ли Ф 0, распола­гаются ниже рассмотренной характеристики при U₃„ = 0, причем тем ниже, чем больше по абсолютной величине напряжение затвор — исток. С увеличением напряжения при котором

снимается стоковая характеристика, исходное сечение канала становится меньше, его сопротивление — больше, менее круто идет начальный участок характеристики, а также при меньшем напряжении U_c„ и токе /_с наступает режим насыщения. Пробой транзистора в этом случае наступает при меньшем напряжении

и_СИ.

Полевой транзистор может быть использован не только в схемах усиления, но и в качестве управляемого омического со­противления; в этом случае он работает в режиме, соответст­вующем начальному крутому участку стоковой характеристики.

Стоко-затворная характеристика — это зависимость тока сто­ка от напряжения затвор — исток при неизменной величине на­пряжения сток — исток (рис. 1.40,6):

/с = f(U_3H) при Uch = const.

Эта зависимость характеризует управляющее действие вход­ного напряжения на величину выходного тока.

При данном постоянном значении U_CK, взятом в рабочем ре­жиме, т. е. на участке насыщения, и при £/_зи = 0 точка характе­ристики лежит на оси тока и соответствует величине, равной току насыщения /_снас. С увеличением напряжения LЛ_и по абсо­лютной величине проводимость канала уменьшается, что приво­дит к уменьшению тока. Увеличение напряжения и_зи вызывает уменьшение сечения проводящего канала до тех пор, пока он не оказывается перекрытым; ток через канал прекращается, транзистор закрывается, так как сток и исток изолированы друг от друга. Напряжение затвор — исток, при котором ток через канал прекращается, называют напряжением отсечки U₃„отс •

На рис. 1.40,6 приведена одна стоко-затворная характери­стика, поскольку изменение и_си в режиме насыщения очень мало влияет на ток /_с и характеристики, снятые при разных значениях неизменной величины и_си, располагаются очень близко друг к другу.

Между напряжением насыщения и напряжением отсечки су­ществует зависимость:

^синас ⁼⁼⁼ ^зиотс ^/зи •

ОтСЮДа ПрИ £/зи 0 i/си нас ⁼⁼ ^/энотс*

Изменение температуры мало сказывается на работе полевого транзистора, что является еще одним его преимуществом перед биполярным. Это объясняется противоположным влиянием на сопротивление канала и величину выходного тока /_с двух факто­ров. С одной стороны, повышение температуры снижает потен­циальный барьер р-п перехода, что ведет к уменьшению его ширины и расширению канала, сопротивление канала уменьша­ется, ток /_с возрастает. С другой стороны, при повышении тем­пературы уменьшается подвижность основных носителей заряда, что вызывает рост сопротивления канала и уменьшает ток /_с. В результате ток /_с изменяется мало. Причем в области больших токов преобладает влияние второго фактора, и /_с с ростом тем­пературы уменьшается, что очень благоприятно, а в области малых токов преобладает первый фактор, и ток немного возрас­тает (пунктирная кривая на рис. 1.40,6). Повышение темпера­туры снижает U_BX из-за увеличения обратного тока р-п перехода.

1.5.3. Параметры полевых транзисторов с р-п переходом

Основные параметры полевого транзистора следующие: кру­тизна стоко-затворной характеристики, коэффициент усиления, внутреннее сопротивление, входное сопротивление, ток и напря­жение насыщения при нулевом напряжении на затворе, напря­жение отсечки, а также параметры предельных режимов: мак­симально допустимый ток стока /_смакс при U₃„ = 0, максимально допустимое напряжение сток — исток и_симакс, максимально до­пустимое напряжение затвор — исток U_3HMaKC, максимально до­пустимая рассеиваемая мощность Р_макс, диапазон рабочей темпе­ратуры.

Статическая крутизна характеристики S показывает влияние напряжения затвора на выходной ток транзистора и определя­ется как отношение приращения тока стока к вызвавшему его малому приращению напряжения затвор — исток при постоянном напряжении сток — исток:

S = ■_А^Д/^С— при £/_си = const.

Крутизна определяет наклон стоко-затворной характеристики; по величине крутизны оценивают управляющее действие затвора. Численное значение крутизны можно найти по стоко-затворной характеристике, взяв для данной точки малое приращение напря* жения Л£/зи и соответствующее ему приращение тока Д/_с (см. рис. 1.40,6). Наибольшее значение имеет крутизна харак­теристики в точке на оси тока при U_3H = 0. С увеличением U₃„ крутизна уменьшается. Примерная величина этого параметра S = 0,1 — 8 мА/В.

Внутреннее (дифференциальное) сопротивление /?, показы­вает влияние напряжения сток — исток на выходной ток тран­зистора. Оно определяется по наклону стоковой характеристики на участке насыщения как отношение приращения напряжения сток — исток к вызываемому им малому приращению тока стока при постоянном напряжении затвор — исток (см. рис. 1.40, а):

_R. _{= при} и_{зи = const}

А/_с

Чем больше Ri, тем более полого идет характеристика в об­ласти насыщения. Внутреннее сопротивление полевых транзисто­ров составляет десятки и сотни килоом и более. Оно определяет выходное сопротивление /?_вых.

Входное сопротивление R_BX полевого транзистора очень ве­лико; оно определяется обратным сопротивлением р-п перехода и составляет 10⁸—10⁹ Ом. Большое входное сопротивление явля­ется преимуществом полевых транзисторов перед биполярными. Преимуществом является также малый собственный шум.

Дата добавления: 2015-10-21