Основные свойства Ge, Si, GaAs
при комнатной температуре (Т = 300 К)
Свойства | Ge | Si | GaAs | ||||||
Число атомов в 1 см3 | 4,42´1022 | 5,0´1022 | 4,42´1022 | ||||||
Атомный вес | 72,60 | 28,09 | 144,63 | ||||||
Кристаллическая структура | структура алмаза | структура алмаза | структура цинковой обманки | ||||||
Период кристаллической решетки, нм | 0,564613 | 0,54905 | 0,56533 | ||||||
Плотность, г×см–3 | 5,3267 | 2,328 | 5,32 | ||||||
Температура плавления, °С | |||||||||
Теплопроводность, Вт·см–1×с–1 | 0,6 | 1,5 | 0,46 | ||||||
Критическая напряженность электрического поля, В/см | 1´105 | 3´105 | 4´105 | ||||||
Относительная диэлектрическая проницаемость | 16,0 | 11,9 | 13,1 | ||||||
Ширина запрещнной зоны, эВ | 0,68 | 1,12 | 1,424 | ||||||
Энергия сродства к электрону, эВ | 4,0 | 4,05 | 4,07 | ||||||
Эффективная плотность состояний в зоне проводимости Nc, см–3 | 1,04´1019 | 2,8´1019 | 4,7´1017 | ||||||
Эффективная плотность состояний в валентной зоне Nv, см–3 | 6,1´1018 | 1,02´1019 | 7,0´1017 | ||||||
Эффективная масса (m*/m0): |
|
|
| ||||||
Продольная эффективная масса электронов | 1,64 | 0,98 | 0,067 | ||||||
Поперечная эффективная масса электронов | 0,082 | 0,19 |
| ||||||
Эффективная масса тяжелых дырок | 0,28 | 0,49 | 0,45 | ||||||
Эффективная масса легких дырок | 0,044 | 0,16 | 0,082 | ||||||
Собственная концентрация носителей, см–3 | 2,4´1013 | 1,45´1010 | 1,76´106 | ||||||
Собственное удельное сопротивление, Ом×см | 2,3´105 | 108 | |||||||
Дрейфовая подвижность электронов, см2×В–1×с–1 | |||||||||
Дрейфовая подвижность дырок, см2×В–1×с–1 | |||||||||
Время жизни носителей, с | 1´10–3 | 2,5´10–3 | 1´10–8 | ||||||
Собственная дебаевская длина, мкм | 0,68 | ||||||||
Энергия оптического фонона, эВ | 0,037 | 0,063 | 0,035 | ||||||
Средняя длина свободного пробега носителя до испускания оптического фонона, нм | 10,5 | 7,6 (для e –) | 5,8 Дата добавления: 2015-09-30; просмотров: 35 | Нарушение авторских прав
|