Барьерная емкость возникает при обратном напряжении на переходе и обусловлена изменением в нем объемного заряда.

Барьерная емкость возникает при обратном напряжении на переходе и обусловлена изменением в нем объемного заряда.

Ваpикап - полупроводниковый диод, в которых используется зависимость емкости перехода от величины обратного напряжения.

Вольтамперная характеристика диода(ВАХ) - зависимость тока диода от напряжения на диоде .

Выходной усилитель - для получения на выходе усилительного устройства мощности, обеспечивающей работоспособность нагрузочного устройства, выполняющего определенные функции.

Годограф - амплитудно-фазовая характеристика, построенная в координатах и .

Детерминированным называется закон управления, предполагающий однозначную связь между входным воздействием и соответствующим значением выходного параметра.

Дифференциальное сопротивление определяет изменение тока через диод при изменении напряжения вблизи некоторого значения , заданного рабочей точкой.

Емкость диода - емкость перехода , образованную диффузионной и зарядной (барьерной) емкостями, и емкость корпуса , измеряемая между выводами диода при заданных значениях напряжения и частоты.

Запирающий слой – область объемного заряда, обедненная подвижными носителями зарядов и обладающая малой удельной проводимостью.

Затвор – металлический электрод, припаянный к сильно легированной p -области над поверхностью канала, создающий эффект поля.

Избирательные (резонансные) усилители - обеспечивают усиление в очень узком диапазоне частот.

Инверсный режим работы транзистора - к коллекторному переходу подведено прямое напряжение, а к эмиттерному — обратное.

Исток – электрод, из которого при соответствующей полярности напряжения между истоком и стоком в канал поступают основные носители заряда.

Канал - проводящий слой, в котором создается рабочий ток полевого транзистора.

Квантовая эффективность - число фотогенерированных электронно-дырочных пар, отнесённое к числу падающих фотонов.

Классы усиления – несколько принципиально различных режимов работы транзистора, в зависимости от значения и знака напряжения смещения и напряжения сигнала в схеме транзисторного каскада.

Класс усиления А – Режим работы транзисторного каскада, при котором ток в выходной цепи транзистора протекает в течение всего периода изменения напряжения входного сигнала.

Класс усиления В -Режим работы транзисторного каскада, при котором ток в выходной цепи транзистора протекает только в течение половины периода изменения напряжения входного сигнала.

Класс усиления АВ -Режим работы транзисторного каскада, при котором ток в выходной цепи транзистора протекает больше половины периода изменения напряжения входного сигнала.

Класс усиления С -Режим работы транзисторного каскада, при котором ток в выходной цепи транзистора протекает на интервале меньшем половины периода изменения напряжения входного сигнала.

Класс усиления D -Режим работы транзисторного каскада, при котором в установившемся режиме усилительный элемент (биполярный транзистор) может находиться только в состоянии включено (режим насыщения биполярного транзистора) или выключено (режим отсечки биполярного транзистора).

Комплексная обратная связь – сдвиг фаз между напряжением обратной связи и ЭДС источника сигнала отличается от 0° и от 180°.

Коэффициент усиления - отношение установившихся значений выходного и входного сигналов усилителя.

Запирающий слой – область объемного заряда, обедненная подвижными носителями зарядов и обладающая малой удельной проводимостью.

Затвор – металлический электрод, припаянный к сильно легированной p -области над поверхностью канала, создающий эффект поля.

Лавинный электрический пробой - пробой, вызванный разгоном неосновных носителей электрическим полем и ионизацией атомов, образовавшиеся новые электроны сталкиваются с другими соседними атомами, и процесс лавинообразно нарастает. Свойственен полупроводникам со значительной толщиной p-n- переходов.

Магнитодиод - полупроводниковый прибор с p-n-переходом и невыпрямляющим контактом (омическим или антизапирающим), между которыми находится область высокоомного полупроводника.

Метод параметрической стабилизации базируется на использовании в транзисторных каскадах специальных элементов, характеристики которых зависят от внешних возмущающих воздействий, причем изменения параметров этих элементов должны компенсировать изменения параметров транзисторного каскада.

Метод термокомпенсации базируется на том, что внешними конструктивными и схемотехническими решениями стараются исключить воздействие на транзисторный каскад нежелательных возмущений.

Напряжение стабилизации - значение напряжения на стабилитроне при протекании заданного тока стабилизации.

Непрерывной называется система, в которой все сигналы ее устройств и объектов регулирования являются непрерывными функциями времени.

Нормальный или активный режим работы транзистора – на эмиттерный переход подано прямое напряжение, а на коллекторный - обратное.

Обратная связь - связь между цепями усилителя, посредством которой усиливаемый сигнал передается в направлении, обратном нормальному (от конца усилителя к его началу).

Обратный ток диода - экстракция неосновных носителей из области эмиттера в область базы.

Отрицательная обратная связь - напряжение обратной связи находится точно в противофазе с ЭДС источника сигнала, уменьшая сигнал на входе.

Переходные характеристики - зависимость мгновенного значения выходного напряжения или тока от перепада значений соответствующего электрического параметра с нулевой длительностью фронта на входе усилительного устройства.

ПЗС - полупроводниковый прибор, имеющий большое число близко расположенных и изолированных от подложки затворов (МДП-структур), под которыми может происходить перенос к стоку информационных пакетов неосновных носителей заряда, либо инжектированных из истока, либо возникших в подложке при воздействии оптического излучения.

Положительная обратная связь – напряжение обратной связи находится точно в фазе с ЭДС источника сигнала, подводимой ко входу устройства, и складывается с последней, увеличивая таким образом напряжение сигнала на входе.

Полоса пропускания усилителя - диапазон рабочих частот в пределах которого коэффициент усиления не снижается ниже значения от своего максимального значения .

Полупроводниковые диоды - электропреобразовательные полупроводниковые приборы с одним электрическим переходом, имеющие два вывода.

Предварительный усилитель - обеспечивает непосредственную связь источника сигнала и усилительного устройства.

Промежуточный усилитель – согласует выход предварительного усилителя со входом выходного усилителя.

Режим двойной инжекции или насыщения транзистора - оба перехода (эмиттер-ный и коллекторный) находятся под прямым напряжением.

Режим отсечки -к обоим переходам подведены обратные напряжения.

Сток – электрод, через который при соответствующей полярности напряжения между истоком и стоком из канала уходят носители заряда.

Тепловой пробой – пробой p-n- перехода, обусловленный ростом количества носителей заряда при повышении температуры кристалла.

Тиристор - трехэлектродный прибор с четырехслойной полупроводниковой структурой.

Ток утечки – ток, возникающий в результате рекомбинационно-генерационных процессов на поверхности p-n- перехода из-за нарушений кристаллической решетки и различных загрязнений поверхности полупроводникового кристалла.

Туннельный электрический пробой – пробой, возникающий в очень тонких p-n- переходах при обратных напряжениях до 10В, при которых возникает высокая напряженность электрического поля.

Усилители высокой частоты (УВЧ) - устройства с диапазоном усиливаемых частот от сотен килогерц до сотен мегагерц.

Усилители гармонических (непрерывных) или квазигармонических (почти гармонических) сигналов предназначены для усиления сигналов, изменение которых происходит много медленнее длительностей переходных процессов в самих усилителях.

Усилители импульсных сигналов предназначены для усиления импульсных периодических или непериодических сигналов. При этом длительность собственных переходных процессов в усилителе не должна вызывать искажения исходной формы усиливаемых сигналов.

Усилитель переменного тока усиливает входной сигнал, лежащий в диапазоне от некоторой нижней (f_н) до некоторой верхней (f_в) частот . Сигналы постоянного тока данным типом усилителя не усиливаются.

Усилитель постоянного тока (УПТ) усиливает входной сигнал в диапазоне от нулевой до некоторой верхней частоты .

Усилители низкой частоты (УНЧ) - устройства с диапазоном усиливаемых частот от единиц герц до сотен килогерц.

Усилители с гальванической (непосредственной) связью - предусматривают передачу между каскадами сигнала как переменного, так и постоянного токов.

Усилители с RC-связями - между выходом предыдущего и входом последующего каскадов включена резистивно-емкостную цепь, исключающая передачу сигналов постоянного тока.

Усилители с индуктивной (трансформаторной) связью - между каскадами включается трансформатор.

Усилитель - устройство, предназначенное для усиления входного электрического сигнала по напряжению, току или мощности за счет преобразования энергии источника питания в энергию выходного сигнала.

Фотодиод - аналогичен обычному полупроводниковому диоду, отличие состоит в том, что его корпус снабжен дополнительной линзой, создающей внешний световой поток, направленный, как правило, перпендикулярно плоскости p-n -перехода.

Фоторезистор - полупроводниковый прибор, электрическое сопротивление которого изменяется в зависимости от интенсивности и спектрального состава внешнего излучения.

Фототранзистор – аналогичен по структуре биполярному транзистору. Световой поток воздействует перпендикулярно плоскости эмиттерного p-n- перехода, генерируя в базе пары носителей заряда.

Широкополосные усилители - устройства с диапазоном усиливаемых частот от десятков - сотен герц до сотен мегагерц.

Электроника - это область науки, техники и производства, охватывающая исследование и разработку электронных средств и принципов их использования.

Эмиттерный и истоковый повторители - каскады, охваченные 100% последовательной ООС. Поэтому основные свойства этих каскадов достаточно близки, а существующие отличия обусловлены несовпадением характеристик используемых транзисторов.

Дата добавления: 2015-09-29