Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АрхитектураБиологияГеографияДругоеИностранные языки
ИнформатикаИсторияКультураЛитератураМатематика
МедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогика
ПолитикаПравоПрограммированиеПсихологияРелигия
СоциологияСпортСтроительствоФизикаФилософия
ФинансыХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника

Черняев И.В., Берёзкин А.Н., Чураев Д.В. 3 страница



 

Глава 4. Генераторы импульсов.

4.1. Прямоугольные импульсы.

Мультивибраторы.

Если в генераторе применить широкополосные и усилитель и цепь ОС (пропускают сигналы в широком диапазоне частот), получится релаксационный генератор. Процесс возбуждения колебаний в нём происходит настолько быстро, что не успевает пройти даже один цикл (период) колебаний, как усилительный элемент оказывается в режиме насыщения (т.е. в режиме ограничения). После этого устройство должно некоторое время «отдохнуть» (relax- отдыхать), чтобы возвратиться в исходное состояние, после чего процесс повторяется.

Релаксационные генераторы генерируют несинусоидальные колебания. На их основе создают генераторы импульсов прямоугольной, треугольной или какой-либо другой формы. Их используют, например, для генерирования напряжений развёртки в телевизорах, осциллографах. Частота или период колебаний в релаксационных генераторах определяются длительностью процессов зарядки-разрядки конденсаторов через резисторы. Эти процессы описываются экспоненциальными зависимостями и определяются постоянными временами RC-цепей ().

Рис.14,a.

На рис.14а приведена схема одного из видов релаксационного генератора – классического мультивибратора. По сути дела это двухкаскадный транзисторный усилитель со связью между каскадами через разделительный конденсатор С1. Конденсатор же С2 соединяет выход усилителя 2 со входом 1, образуя цепь 100% обратной связи. Поскольку каждый каскад инвертирует сигнал (меняет полярность), после двух каскадов сигнал оказывается неинвертируемым, с , а обратная связь – положительной. R1 и R4 – резисторы нагрузки каскадов, а R2 и R3 – резисторы смещения, задающие ток базы, обеспечивающий насыщение транзисторов (т.е.полное включение, когда , a , где — коэффициент усиления транзисторов по току)

Коэффициент усиления этого двухкаскадного усилителя порядка , а коэффициент ослабления ПОС . Тогда произведение , и поэтому генерируется очень много гармоник, которые сложившись, дают на коллекторах VT1 и VT2 прямоугольные импульсы, сдвинутые по фазе. Если номиналы конденсаторов и резисторов в правой и левой частях схемы одинаковы, импульсы будут одинаковой длительности. В этом случае мультивибратор называют симметричным. При разных номиналах соответствующих деталей импульсы становятся несимметричными – один полупериод короче, другой – длиннее. Мультивибратор становится несимметричным с периодом:



.

Величина коллекторных резисторов R1 и R4 должна ограничить ток до допустимой величины (с запасом), а их максимальная величина не должна приводить к потере напряжения на коллекторах от теплового тока. Потеря напряжения от теплового тока должна быть не более 10% от .

Базовые резисторы R2 и R3 должны обеспечить ключевой режим транзисторов, т. е. их величина должна быть

.

Протекание зарядного тока емкостей С1 и С2 через резисторы R1 и R4 сглаживает фронты импульсов на коллекторах. Для улучшения формы импульса, например, на VT2 достаточно резистор R4 заменить на два параллельных и между ними включить высокочастотный диод VD, как показано на рис.14а.

В классической схеме мультивибратора рис.14а хронирующие конденсаторы С1 и С2 включены между коллектором одного транзистора VT1 (или VT2) и базой другого транзистора VT2 (или VT1). При опрокидывании мультивибратора напряжение на коллекторе быстро падает до нуля, заземляя обкладку С1 (или С2). Это приводит к появлению большого отрицательного напряжения , запирающего соседний транзистор. В этот момент появляются большие напряжения между коллектором и базой и между базой и эмиттером . Эту ситуацию иллюстрируют графики, представленные на рис. 14,в. Столь большие напряжения не допускают большинство транзисторов. Чаще всего напряжения между базой и эмиттером В. Это значительно ограничивает применение в схемах мультивибраторов большинства выпускаемых промышленностью транзисторов.

Для преодоления этой трудности предлагается коллекторное сопротивление RК выполнять из двух последовательно включённых резисторов RK1 и RK11. Принципиальная схема мультивибратора принимает вид, представленный на рис. 14, б. Величина резистора RK1 подобрана так, чтобы на нём падало бы напряжение В. Остальная часть напряжения тогда будет падать на RK11. Благодаря этому приёму при отпирании транзистора на базу соседнего подаётся напряжение, не превышающее допустимое В, а вместо будет равняться .

Пренебрегая потерями напряжения на р-n переходах, можно получить упрощённую формулу для длительности импульса и периода колебаний .

Итак, напряжение на базе запертого транзистора изменяется от до . Импульс на коллекторе существует тогда, когда на базе напряжение отрицательно (рис.__). Длительность этого импульса зависит от постоянной времени или

.

Мультивибратор опрокидывается, когда становится равным 0, то есть когда

.

Отсюда получаем, что

, или

.

Соответственно, так как период колебаний мультивибратора складывается из суммы двух импульсов и , то

.

 

Мультивибраторы на операционных усилителях.

На рис. 15, а и 15, б показаны схемы простейших мультивибраторов на основе ОУ. В варианте а) положительная обратная связь (ПОС) осуществляется через делитель R3, R4, а отрицательная обратная связь (ООС) — через интегрирующую цепочку R1, R2 и C. Будем считать, что уровни ограничения выходного напряжения равны по модулю, коэффициент ПОС имеет величину . Длительность импульса выходного напряжения равна длительности перезаряда конденсатора от до (или наоборот). Тогда период колебаний равен

.

 


Рис.15.

Если на схеме (рис. 15, а) подключить диод VD, то при положительном импульсе будет зашунтирован резистор R2, и конденсатор C будет перезаряжаться быстрее, и импульс станет короче. При смене полярности подключения VD укоротится отрицательный импульс.

На рис. 15, б приведена схема мультивибратора, где хронирующий конденсатор C включён в цепь ООС, образуя с резисторами R3 и R4 дифференцирующую цепочку. В момент смены полярности выходного напряжения возникает скачок напряжения в , который через делитель создаёт на неинвертирующем входе импульс с амплитудой , спадающий по экспоненте с постоянной времени . Прямоугольный выходной импульс заканчивается, когда экспонента на неинвертирующем входе пересекает уровень напряжения .

Период колебаний равен

.

При определении величин и нужно учитывать допустимый выходной ток ОУ. Это означает, что выходной ток ОУ должен быть меньше допустимого, который определяется по справочникам.

 

Блокинг—генератор

Блокинг-генератор представляет собой однокаскадный релаксационный генератор кратковременных импульсов с сильной положительной обратной связью, создаваемой через импульсный трансформатор. Вырабатываемые блокинг-генератором импульсы имеют большую крутизну фронта и среза и по форме близки к прямоугольным. Этот генератор применяется для получения мощных прямоугольных импульсов малой длительности с большим периодом повторения . Отношение называется скважностью импульсов и для блокинг-генераторов может составлять от десятков единиц до нескольких тысяч. Транзистор, на котором собран блокинг-генератор, открывается только на время генерирования импульса, а в остальное время закрыт. Поэтому при большой скважности время, в течение которого транзистор открыт, много меньше времени, в течение которого он закрыт. Тепловой режим транзистора зависит от средней мощности, рассеиваемой на коллекторе. Благодаря большой скважности в блокинг-генераторе можно получить очень большую мощность во время импульсов малой и средней длительности.

Блокинг-генераторы могут быть собраны на транзисторах, включённых по схеме с общим эмиттером (ОЭ) или по схеме с общей базой (ОБ). Схему с ОЭ применяют чаще, так как она позволяет получить лучшую форму генерируемых импульсов (меньшую длительность фронта),хотя схема с ОБ более стабильна по отношению к изменению параметров транзистора. Длительность импульсов в блокинг-генераторе может определяться либо временем заряда конденсатора в цепи базы транзистора (конденсаторное формирование), либо временем выхода в насыщение ферромагнитного сердечника трансформатора (трансформаторное формирование). На практике наибольшее распространение получило конденсаторное формирование длительности импульса .

На рис.16 показана принципиальная схема блокинг-генератора с ОЭ и конденсаторным формированием, а на рис.17 – эпюры напряжений и токов в различных точках блокинг-генератора. Блокинг-генератор представляет собой однокаскадный усилитель на транзисторе VT c обмоткой w1 трансформатора Тр в коллекторной цепи. Усилитель охвачен сильной положительной обратной связью с помощью обмотки w2, которая включена в цепь базы. В ряде случаев выходные импульсы могут сниматься с дополнительной обмотки w3, если требуется изменить величину выходного напряжения или его полярность.

Рис.16.

Рис.17

Постоянная времени определяет длительность импульсов , а произведение — длительность паузы между ними .

Проектирование схемы начинается с изучения параметров транзисторов (с использованием справочников):

, — допустимые напряжения на коллекторе и базе;

— допустимый импульс тока коллектора;

— коэффициент усиления по току;

— максимальная рабочая частота транзистора.

Предполагается, что заданы , , напряжение на резисторе R4 и величина сопротивления этого резистора . Напряжение питания с учётом возможных перенапряжений целесообразно выбрать в пределах . Полезно также против справочной уменьшить амплитуду импульсов коллекторного тока. Коллекторный ток складывается из трёх составляющих: тока намагничивания трансформатора ; тока нагрузки , пересчитанный через коэффициент трансформации , и тока базы , заряжающего конденсатор С1 и удерживающего транзистор VT в насыщенном, т.е. в проводящем состоянии (этот ток обычно пренебрежимо мал).

Для первоначальной оценки можно принять, что амплитуда тока намагничивания составляет одну треть допустимого коллекторного тока (). По току намагничивания можно оценить индуктивность намагничивания . Для этого вспомним, что , в первом приближении, можно считать , тогда , или

.

Достаточно часто схему блокинг-генератора выполняют без нагрузочной обмотки w3. В этом случае следует выбрать равным, примерно, на уровне .

Для импульсного трансформатора выбираем ферритовый сердечник тороидальной формы. Индуктивность намагничивания коллекторной обмотки равна , тогда число витков ,

где — относительная магнитная проницаемость (для феррита =(400÷4000); для альсифера – 60); — площадь поперечного сечения сердечника; — длина средней силовой линии сердечника; — число витков коллекторной обмотки.

Из практики известно, что сердечник не будет насыщаться, если приращение индукции не превосходит 0,3 Т ( Т).

, тогда Т,

где — потокосцепление.

В противном случае следует заменить сердечник на другой, имеющий бо'льшую площадь поперечного сечения или магнитную проницаемость .

Рассмотрим формирование длительности импульса . Импульс начинается в момент отпирания транзистора VT при появлении на его базе небольшого положительного напряжения в результате зарядки конденсатора С1 от источника Еk. Перезарядка происходит по цепи «Ek-R1-C1», В результате верхняя обкладка конденсатора С1 приобретает положительный заряд. Транзистор VT остаётся включённым благодаря положительной обратной связи между обмотками w1–w2 током базы , который заряжает конденсатор С1, по контуру «С1-w2-R2-переход база-эмиттер транзистора VT».

Импульс заканчивается, когда С1 оказывается практически заряженным и ток базы становится близким к нулю и не может больше удерживать транзистор VT во включенном (насыщенном) состоянии.

 

Рис.18.

 

Выбор параметров базовой цепи проще всего выполнить графо-аналитическим способом, пояснения которого приведены на рис.18. Здесь показано каким должен быть ток базы для удержания транзистора VT в проводящем состоянии и график зарядного тока конденсатора С1, фактически отпирающий VT при . В момент времени зависимости пересекаются, и импульс заканчивается, т.к. ток базы мал для насыщения VT, и начинается обратный блокинг-процесс. Оказывается, что это происходит при при некотором значении тока базы отключения . Положим, что начальный ток включения, в среднем, определяется соотношением , так как . Отсюда имеем

.

Резистор R2 определяется током и напряжением на базе транзистора , и тогда . При выборе величины сопротивления R2 следует учитывать, что транзистор VT имеет конечное входное сопротивление от 20 до 100 Ом в зависимости от мощности VT. Поэтому при определении величины , рассматривая процессы в цепи «C1 – w2 –R2 –входное сопротивление транзистора VT», следует уменьшить на эти самые (20÷100) Ом.

Длительность импульса зависит от многих факторов, в том числе и от индуктивности намагничивания , тока нагрузки , коэффициента усиления , постоянной времени . Если ток нагрузки , то возрастает.

При быстром запирании VT ток в индуктивности обрывается, создавая значительный импульс напряжения самоиндукции. Это перенапряжение способно пробить транзистор. Для предотвращения этого применяется шунтирующая цепочка «VD-R3», которая ограничивает перенапряжения до величины , допустимой для транзистора. Уменьшить до нуля нельзя, так как постоянная времени спада тока в диоде VD, равная , становится больше периода повторения импульсов , диод VD шунтирует обмотку w1, и генерация срывается. Поэтому необходимо обеспечить, чтобы .

Период повторения импульсов определяется постоянной времени перезаряда ёмкости С1 от до 0 через R1 от источника +Еk (Смотри графики на рис.17). У большинства транзисторов допустимое , поэтому коэффициент трансформации лежит в пределах . В процессе перезаряда ёмкости С1 имеем:

.

В рассматриваемый момент времени напряжение на ёмкости оказывается равным нулю: ,

отсюда , или . Тогда

.

Блокинг-генератор потребляет от источника +Ek ток в виде коротких импульсов с большой крутизной. Такие импульсы могут создавать импульсные помехи соседним электронным блокам. Для их устранения блокинг-генератор целесообразно зашунтировать малоиндуктивным конденсатором С2 (ёмкостной фильтр) так, чтобы снижение ∆Ek не превышало бы 1% от Ek. Считая, для простоты, импульс тока прямоугольным длительностью , заряд и спад напряжения на С2 равен , тогда .

Если для оценки положить А, с и В, то В и тогда мкФ.

Крутизна фронтов импульса, в основном определяется быстродействием транзистора, а это связано с наибольшей частотой генерации импульсов.

 

4.2. Генератор пилообразных импульсов.

Генераторы линейно изменяющегося (пилообразного) напряжения (ГЛИН) применяются для развёртки электронного луча в электроннолучевых трубках телевизионных, осциллографических и радиолокационных устройствах, а также в схемах сравнения для задержки импульсов во времени и т.п.

ГЛИН могут работать в режиме самовозбуждения и в ждущем режиме. В ждущем режиме период повторения пилообразного напряжения определяется запускающими импульсами. Режим самовозбуждения применяют, например, для получения непрерывной развёртки в осциллографах, а ждущий режим – для получения ждущей развёртки.

Напряжением пилообразной формы называется напряжение, которое в течение определённого времени, растает или убывает пропорционально времени (линейно), а затем быстро возвращается к исходному уровню. Пилообразное напряжение может быть линейно нарастающим или линейно падающим. Оно характеризуется длительностью прямого или рабочего хода в течение которого напряжение изменяется линейно; длительностью обратного хода , в течение которого напряжение обычно изменяется по экспоненте, и амплитудой .

Ниже мы ограничимся рассмотрением случая генерации убывающего по времени пилообразного напряжения. Принцип получения такого напряжения заключается в медленном разряде конденсатора через большое сопротивление во время прямого хода и в быстром его заряде через малое сопротивлении во время обратного хода. В упрощённом виде это показано на рис.19


Дата добавления: 2015-09-29; просмотров: 35 | Нарушение авторских прав







mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.02 сек.)







<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>