|
Тестовые вопросы и задания по дисциплине «Промышленная электроника» на 2014-2015 учебный год
Специальность: 5В071800-«Электроэнергетика»
Язык обучения - русский
Семестр -4, курс -2, группа – ЭЭ-22
Преподаватель, ответственный за разработку тестов – Филимонова Э.Н.
№ | Уровень сложности | Вопрос | Тема, раздел | Ответ А) | Ответ Б) | Ответ В) | Ответ Г) | Ответ Д) | Ответ Е) | Ответ Ж) | Ответ З) |
| Какая проводимость может быть у полупроводников |
| Электронная | Дырочная | Электронная и дырочная | Абсолютная | Относительная | Протонная | Диффузионная | Магнитная | |
| Составляющая суммарного тока p-n перехода в равновесном состоянии- это ток: |
| Дрейфовый | Диффузионный | Дрейфовый и диффузионный | Примесный | Переменный | Импульсный | Индуктивный | Емкостной | |
| По отношению концентраций примесей, p-n переходы делят на: |
| Симметричные | Несимметричные | Односторонние | Многосторонние | Одиночные | Многогранные | Ступенчатые | Плавные | |
| По резкости металлургической границы и удельному сопротивлению слоев. P-n переходы могут быть: |
| Ступенчатыми | Плавными | Ступенчатыми и плавными | Симметричными | Несимметричными | Односторонними | Многосторонними | Многогранными | |
| Суммарный ток “ ” через p-n переход в динамическом равновесии равен: |
| |||||||||
| Как изменяется концентрация основных носителей заряда при введении донорной примеси в полупроводник |
| |||||||||
| Соотношение концентрации основных носителей заряда при введении акцепторной примеси в п/п |
| |||||||||
| При через диод проходит . , . Определить сопротивление 1) 2) - дифф. сопротивление |
| 1)6 | 2)2,5 | 1)6 2)2,5 | 1) | 2) | 1) 2) | 1)2 2)5 | 1)5 2)10 | |
| При введении в чистый полупроводник примесей, можно получить проводимость: |
| Электронную и дырочную | Электронную | Дырочную | Относительную | Абсолютную | Сверхпроводимость | Ионную | Магнитную | |
| Основные конструктивные элементы выпрямительного диода |
| Анод | Катод | Анод и катод | Сток | Исток | Подложка | затвор | Управляющий электрод | |
| В каком соотношении находятся и в чистом полупроводнике |
| |||||||||
| На вид обратной ветви ВАХ диода влияют: |
| Лавинное умножение | Туннельный эффект | Изменение температуры | Электронная проводимость | Дырочная проводимость | Индуктивность | Частота | Импульсный ток | |
| Основные параметры p-n перехода: |
| прямое | обратное | Емкость “p-n” перехода | Индуктивное сопротивление | Переменный ток | Импульсное напряжение | Тепловой пробой | Туннельный пробой | |
| Емкость p-n перехода: |
| Барьерная | Диффузионная | Общая | Зарядная | Прямая | Обратная | Текущая | Пробивная | |
| Выражение общей емкости p-n перехода |
| |||||||||
| Соотношения для определения прямого сопротивления диода |
| |||||||||
| Вид пробоя “p-n” в п/п приборах |
| Туннельный | Лавинный | Тепловой | Индуктивный | Импульсный | Емкостной | Радиальный | Частотный | |
| Прибор, работающий в режиме электрического пробоя |
| Стабилитрон | Стабистор | Стабилитрон и стабистор | Выпрямительный диод
| Одно-операционный тиристор | Двух-операционный тиристор | Варикап | Динистор | |
| Диоды, применяемые в импульсных цепях |
| Меза-диоды | Диоды Шоттки | Импульсные | Лавинно-пролетные | Диоды Ганна | Варикапы | Высокочастотные | Излучающие | |
| Как влияет повышение температуры на параметры диода |
| Растет прямой ток | Растет обратный ток | Растет барьерная емкость | Прямой ток не изменяется | Обратный ток уменьшается | Уменьшается | |||
| Выражение для определения температурного потенциала электрона “ ” |
| |||||||||
| Формула для определения “ ” (контактная разность потенциалов) |
| |||||||||
| Общее выражение дифференциального сопротивления диода “ ” |
| |||||||||
| Высокочастотные диоды применяют в: |
| Детекторах высокочастотных сигналов | Преобразователях частоты | Модуляторах | Низкочастотных схемах | Выпрямителях больших токов | Логарифмирующих установках | Схемах усиления сигналов | Качестве управляемой емкости | |
| Магнитодиоды используют для: |
| Измерения магнитных полей | Бесконтактных коммутаторов электрических сигналов | Измерения СВЧ мощности | Схем с импульсными режимами работы | Стабилизации напряжений | Стабилизации токов | Для усиления сигналов | Управления величиной барьерной емкости | |
| ИК-светодиоды используют в: |
| Системах автоматического контроля | Датчиках | Схемах подсветки | Бесколлекторных двигателях постоянного тока | Магнитодефектоскопии | Модуляторах | Импульсных схемах | Схемах выпрямления | |
| Типовые схемы включения биполярного транзистора |
| ОБ | ОК | ОЭ | ОС | ИС | ОЗ | СЭ | ЗИ | |
| Соотношение между коэффициентами передачи “ ” и “ ” для схемы “ОЭ” транзистора |
|
| ||||||||
| Соотношение между коэффициентами “ ” и “ ” для схемы “ОБ” транзистора |
| |||||||||
| Соотношения для коэффициентов усиления схемы “ОЭ” |
| |||||||||
| Соотношения для коэффициентов усиления схемы “ОБ” |
| |||||||||
| Соотношения для коэффициентов усиления схемы “ОК” |
| |||||||||
| Основные ВАХ биполярного транзистора |
| Входные | Выходные | Выходные и входные | Фазовые | Частотные | Алгебраические | Амплитудные | Импульсные | |
| Вторичные параметры транзистора |
| |||||||||
| Основные режимы работы биполярного транзистора |
| Активный | Насыщения | Отсечки | Импульсный | Выпрямительный | Стабилизирующий | Цифровой | Индуктивный | |
| Основные структурные области биполярного транзистора |
| Эмиттер | Коллектор | База | Анод | Катод | Управляющий электрод | Выводы | Подложка | |
| Основные структурные элементы полевого транзистора |
| Исток | Сток | Затвор | Анод | Катод | Управляющий электрод | База | Выводы | |
| Типовые схемы включения полевого транзистора |
| ОИ | ОС | ОЗ | ОЭ | ОК | ОБ | ОУ | УЭ | |
| Какие соотношения напряжений справедливы в основных режимах работы биполярного транзистора для эмиттерного и коллекторного переходов |
| “Э” “K” | “Э” “K” | “Э” “K” | ||||||
| Что может усиливать биполярный транзистор по схеме “ОЭ” с нагрузкой |
| Ток | Напряжение | Мощность | Частоту | Пульсации | Коэффициент сглаживания | Скважность | ШИМ | |
| Основные параметры полевого транзистора при усилении напряжения |
| Крутизна стокозатворной характеристики | Внутреннее дифференциальное сопротивление | Коэффициент усиления | Индуктивное сопротивление | Активное сопротивление | Положительная обратная связь | Отрицательная обратная связь | Инверсные характеристики | |
| Дифференциальные емкости полевого транзистора |
| Входная | Выходная | проходная | Положительная | Отрицательная | Комбинированная | Обратная | Прямая | |
| Формула для вычисления основных параметров полевого транзистора в схемах усиления напряжения |
| |||||||||
| Условные обозначения дифференциальных емкостей полевого транзистора |
| |||||||||
| Типы полевых транзисторов, отличающихся друг от друга принципом действия |
| С управляющим “p-n” переходом | МДП- или МОП типа со встроенным каналом | С индуцированным каналом | С “n” переходом | С “p” переходом | МДП без встроенного канала | МОП без встроенного канала | С комбинированным каналом | |
| Основные показатели усилителей электрических сигналов |
| Коэффициент усиления | Входное сопротивление | Выходное сопротивление и полоса пропускания | Коэффициенты структурных конструкций | “p-n” переходы | МОП- структуры | Индуктивные сопротивления | Стабилизирующие элементы | |
| Характеристики усилителей |
| Амплитудная | Амплитудно-частотная | Фазо-частотная | Внешняя | Внутренняя | Структурная | прямая | Обратная | |
| Обратные связи в схемах усилителей |
| “ОС” по напряжению | “ОС” по току | “ОС” последовательные и параллельные по напряжению и токам | Только “ОС” последовательные по току | Только “ОС” параллельные по напряжению | Всегда “ПОС” | Всегда “ООС” | Всегда общая “ОС” | |
| Влияние ООС на работу усилителя |
| Увеличивается входное сопротивление при последовательной “ООС” | Входная проводимость увеличивается при параллельной “ООС” | Увеличивает полосу пропускания частоты | Уменьшает входное сопротивление | Уменьшается входная проводимость | Уменьшает полосу пропускания частот | Увеличивает усилие по напряжению | Не дает точной регулировки напряжения | |
| Причины дрейфа нуля в дифференциальном усилителе постоянного тока |
| Нестабильность напряжений питания | Временная нестабильность транзисторов и резисторов | Температурная нестабильность транзисторов и резисторов | Полная несимметрия усилительного каскада | Положительные обратные связи | Синфазное напряжение | Температурная стабильность | Стабильные параметры транзисторов | |
| Связи между каскадами или нагрузкой усилителей |
| Емкостная | Трансформаторная | Гальваническая | Частотная | Пульсирующая | Многогранная | Магнитная | Общая | |
| Классы работы транзисторов в усилителях “RC” |
| A; | B; C; | D; | AC; CC; | AD; | BC; CE; | E; | H; | |
| Основные параметры операционных усилителей |
| Выходной ток | Напряжение смещения | Коэффициент усиления по напряжению | Амплитудный коэффициент | Напряженность магнитного поля | Скорость убывания выходного сигнала | Переменные токи входных шин | Фазное напряжение | |
| В операционных усилителях существует дрейф: |
| Температурный напряжения смещения | Температурный разности потенциалов | Температурный входных токов смещения | Сопротивления обратной связи | Индуктивный по напряжению | Емкостный по напряжению | Температурно-частотный | Электронный основных носителей | |
| По совокупности параметров и назначению операционные усилители могут быть: |
| Универсальные | Быстродействующие | Многоканальные | Одно-полупериодные выпрямительные | Двух-полупериодные выпрямительные | Тиристорные | Трехфазные выпрямительные | Стабилизирующие | |
| Основные схемы включения операционных усилителей |
| Инвертирующая | Неинвертирующая | Дифференциальная | Тиристорная | Транзисторная | Выпрямительная | Стабилизирующая | С общим истоком | |
| Активные фильтры по виду их амплитудно-частотных характеристик |
| Низких частот | Верхних частот | Полосовые | Нулевых частот | Неполосовые | Нережекторные | Сглаживающие индуктивно- емкостные LC LC | Сглаживающие резистивно- емкостные RC RC | |
| Факторы, влияющие на выходное напряжение операционного усилителя |
| Синфазное напряжение | Входные токи | Напряжение питания | Выходные токи | Индуктивное сопротивление | Емкостное сопротивление | Стабилизирующее напряжение излучение | Световой поток | |
| Операционный усилитель предназначен для усиления: |
| Постоянных сигналов | Переменных сигналов | Постоянных и переменных сигналов | Только пульсирующего напряжения | Магнитного поля | Фототока | Индикации дрейфа нуля | Пульсации тока | |
| Разновидности индикаторов |
| ППИ | ГРИ | ЖКИ | Фоторезистор | Фотодиод | Фототиристор | Фототранзистор | Тиристор | |
| По конструктивно-технологическим признакам, интегральные схемы разделяются: |
| Полупроводниковые | Гибридные | Пленочные | Слоистые | Металлические | Структурные | Инерционные | Волокнистые | |
| Преимущества передачи информации в виде импульсов |
| Меньше мощность, потребляемая от источника питания | Разгружаются каналы связи | Повышается надежность электронных устройств | Повышается мощность, потребляемая от источника питания | Загружаются каналы связи | Передача непрерывного сигнала | Передача только случайных сигналов | Передача только цифровых сигналов | |
| Способы передачи непрерывного сигнала в виде прямоугольных импульсов |
| АИМ | ШИМ | ЧИМ | СИУ | СИМ | ФШС | МАД | АИТ | |
| Возможные формы импульсных сигналов |
| Прямоугольные | Экспоненциальные | Пилообразные | Синусоидальные | Прямолинейные | Диодные | Транзисторные | Логические | |
| Основные параметры импульса |
| Амплитуда | Длительность (по времени) | Длительность паузы | Мгновенное значение | Емкостное сопротивление | Индуктивность | Насыщение | Обратная связь | |
| Выражение для скважности импульса |
| |||||||||
| Выражение для определения частоты повторения импульсов “f” |
| |||||||||
| Импульсные схемы на операционных усилителях |
| Компараторы | Мультивибраторы | Одновибраторы | Сумматоры | Логарифмические усилители | Выпрямители | Повторители | Преобразователи напряжение-ток | |
| По количеству фаз выпрямители могут быть: |
| Однофазные | Трехфазные | Многофазные | Только однофазные | Только трехфазные | Только многофазные | Частотные | Стабилизирующие | |
| Выпрямители подразделяются по мощности: |
| Малой | Средней | Большой | Индуктивной | Емкостной | Трехфазные | Комбинированные | Частотные | |
| Выпрямители большой мощности применяют в: |
| Электроприводе постоянного тока | Системах возбуждения электрических машин | При передаче электроэнергии постоянным током на дальние расстояния | В случае непосредственного питания электронной аппаратуры | Стабилизаторах постоянного напряжения | Усилителях постоянного тока | Инверторах | Умножителях напряжения | |
| Основные схемы однофазных выпрямителей |
| Мостовая двухполупериодная | Нулевая двухполупериодная | Однополупериодная | Комбинированная | Только мостовая | Трехфазная | Трехфазная мостовая | Трехфазная комбинированная | |
| Типы сглаживающих фильтров |
| LC | RC | LCLC | LU | LI | LZ | RI | RU | |
| Вентильные преобразователи с повышенным коэффициентом мощности |
| Однофазный выпрямитель с нулевым вентилем | Двухмостовой несимметричный | Четырехмостовой несимметричный | Однофазный выпрямитель однополупериодный | Однофазный двухполупериодный без нулевого диода | Двухмостовой симметричный | Преобразователи частоты | Инверторы | |
| Разновидности тиристоров по способу управления |
| Динистор | Тиристор | Симистор | Транзистор | Светодиод | Фотодиод | С изолированным затвором IGBIT | С индуцированным каналом | |
| Динамические параметры тиристора |
| max при включении | max для прямого напряжения | Время включения | Состояние высокой проводимости | Состояние низкой проводимости | Максимально допустимое импульсное напряжение | Повторяющееся импульсное напряжение | Не повторяющееся импульсное максимальное напряжение | |
| Специальные защитные цепи для тиристора |
| Последовательно с нагрузкой и тиристором включают линейный реактор | Последовательно включают насыщающийся реактор | Параллельно тиристору включают RC цепь | Последовательно включают диод | Последовательно включают C | Параллельно включают только R | Последовательно включают RLC | Параллельно включают RL-цепь | |
| Виды полевых транзисторов |
| С управляющим “p-n” переходом | С изолированным затвором | Со встроенным и индуцированным каналом | Только с “p-n” переходом | Без затвора | С неизолированным затвором | Без подложки | С RLC каналом | |
| На тиристорах реализованы устройства: |
| Счетчики импульсов | Мультивибраторы | Триггеры | Тахогенераторы | Неуправляемые выпрямители | Схемы умножителей на выпрямительных диодах | Усилители постоянного тока | Каскады с общим истоком | |
| Импульсные диоды применяют: |
| Как коммутирующие элементы | Для детектирования высокочастотных сигналов | В быстродействующих импульсных цепях | В схемах усилителей “ОЭ” | В схемах усилителей “ОК” | В схемах усилителей “ОБ” | В фильтрах низких частот | Для детектирования низкочастотных сигналов | |
| Виды стабилизаторов постоянного напряжения |
| Параметрические последовательные | Параметрические параллельные | Компенсационные | Однотрансформаторный | Двухтрансформаторный | Феррорезонансные напряжения | Феррорезонансные тока | Импульсные | |
| Основные составляющие параметрического стабилизатора напряжения |
| Стабилитрон | Балластное сопротивление | Нагрузка | Индуктивность | Емкость | Диод | Операционный усилитель | Тиристор | |
| Важнейшие параметры стабилизатора постоянного напряжения |
| |||||||||
| Для компенсационного стабилизатора характерны элементы: |
| Источник опорного напряжения | Сравнивающий и усилительный | Регулирующий | Тиристоры | Трансформатор | Светодиод | Фотосопротивление | Оптрон | |
| Основные составляющие схемы импульсного стабилизатора последовательного: |
| Транзисторы в ключевом режиме | Выпрямительный диод | “LC” фильтр | Транзистор в режиме насыщения | Варикап | Варактор | Переменные резисторы | Трансформатор тока | |
| Виды умножителей постоянного напряжения |
| Удвоители неуправляемые | Утроители неуправляемые | Учетверители неуправляемые | Усилитель двойного напряжения | Комбинированные с транзистором | Управляемые удвоители | Управляемые утроители | Управляемые учетверители | |
| Структурные составляющие блок-схемы вторичного источника питания без преобразователя частоты |
| Входной трансформатор f=50Гц и выпрямитель | Сглаживающий фильтр | Стабилизатор | Усилитель постоянного тока | Тиристоры | Инвертор | Конвертор | Активный фильтр | |
| Структурные составляющие блок-схемы вторичного источника питания с преобразователем частоты |
| Выпрямитель 1; | Сглаживающие фильтры 1; 2; | Конвертор | Входной трансформатор f=50Гц | Регулятор напряжения | Регулятор тока | Реверсивный преобразователь постоянного напряжения | Импульсный преобразователь | |
| Элементы конвертора в структуре вторичного источника питания с преобразованием частоты |
| Инвертор | Трансформатор | Выпрямитель 2. | Стабилитрон | Стабистор | Варактор | Усилитель с RC связью | Регуляторы тока и напряжения | |
| Области применения тиристорных регуляторов переменного напряжения: |
| Электропривод | Электротермические установки | Взрывоопасные и агрессивные среды | Теплоэлектрогенераторы постоянного тока | Цифровые информационные установки | Солнечные батареи | Топливные элементы на основе химических реакций | Аккумуляторные устройства | |
| Для регулирования переменного напряжения с помощью регулятора используют способы: |
| Фазовый | Ступенчатый | Широтно-импульсный | Частотно-импульсный | Амплитудно-импульсный | Токовый | Асинхронный | Синхронный | |
| Фазовое регулирование регулятора переменного тока возможно с углом управления “ ” |
| Опережающим | Отстающим | Опережающим и отстающим | Равным нулю | |||||
| При ступенчатом регулировании переменного напряжения схема регулирования имеет комплектующие: |
| Трансформатор с несколькими вторичными обмотками | Два комплекта симисторов | Нагрузку, подключенную к одному из выводов вторичной обмотки трансформатора | Трансформатор с одной вторичной обмоткой | Один комплект симисторов | Нагрузку, подключенную ко вторичной обмотке непосредственно | Конденсаторы | Транзисторы | |
| Средняя мощность, отдаваемая в нагрузку при широтно-импульсном регулировании переменного напряжения регулятора |
| |||||||||
| Виды преобразователей постоянного напряжения в постоянное |
| Понижающий широтно-импульсный | Повышающий широтно-импульсный | Повышающий широтно-импульсный с инверсией | Понижающий широтно-импульсный с инверсией | Нереверсивный | Стабилизирующий | Автономный инвертор напряжения | Реверсивный переменного напряжения | |
| Типы автономных инверторов: |
| Тока | Напряжения | Резонансный | Реверсивный | Низкочастотный | Интегральный | Дифференцирующий | Синхронный | |
| Виды преобразователей частоты: |
| С промежуточным звеном постоянного тока | Непосредственный с естественной коммутацией | Непосредственный с искусственной коммутацией | С промежуточным звеном переменного тока | Преобразующие трехфазное напряжение в трехфазное | Преобразующие однофазное напряжение в однофазное напряжение | Преобразующие переменное напряжение в постоянное | Постоянное напряжение преобразует в переменное | |
| Преобразователи частоты- преобразуют: |
| Переменное напряжение одной частоты в переменное напряжение другой частоты | Трехфазное напряжение в однофазное | Однофазное в трехфазное | Импульсное напряжение в постоянное | Постоянное напряжение в импульсное | Постоянное напряжение в переменное | Переменное напряжение в постоянное | Постоянное напряжение в постоянное | |
| Транзисторы силовых полупроводниковых ключей |
| Биполярный силовой транзистор “BPT” | IGBT- биполярный транзистор с изолированным затвором | Полевой (статический индукционный) SIT | Выпрямительный силовой диод | Двухоперационные тиристоры | Биполярный транзистор только с “p-n-p” структурой | МДП- полевой транзистор с каналом “n” типа | Полевой транзистор МДП типа с каналом “p” | |
| Схемы модулей IGBT содержат элементы: |
| Транзистор с инверсным диодом | Однофазный полумост | Прерыватели | Тиристор | Стабистор | Резисторы | Конденсаторы | Индуктивные элементы | |
| Элементы схемы интеллектуального модуля однофазного полумоста IGBT: |
| Драйверы | Защитные элементы по току и напряжению | Защитные по температуре и системы диагностирования | Только одна система диагностирования | Только защита по току | Только защита по напряжению и температуре | Один драйвер | Три драйвера | |
| Преимущества силовых ключей на МОП транзисторах |
| Малое потребление мощности в цепи управления | Высокое быстродействие | Возможно параллельное включение нескольких транзисторов | Большое потребление мощности в цепи управления | Возможно снижение быстродействия | Нет эффекта самовыравнивания токов | Положительный “ТКС”- температурный коэффициент сопротивления
| Отрицательный “ТКС” | |
| Особенности SIT транзистора |
| внутреннее мало | Стокозатворная характеристика имеет линейные участки | Работает в ключевом режиме | внутреннее велико | Стокозатворная характеристика не имеет линейных участков | Быстродействие большое | Выходная мощность велика | Используется на высокой частоте коммутации | |
| Наиболее мощные силовые ключи на тиристорах |
| SCR | GTO | GCT | IGBT | BPT | МОП | МДП | БТ; ПТ. (Биполярный и полевой транзисторы) | |
| Виды схем управляемых выпрямителей: |
| Однофазная со средней точкой | Однофазная мостовая | Трехфазные нулевые и мостовые | Однофазная на выпрямительных диодах | Однофазная на полевых транзисторах | Многофазная на биполярных транзисторах | Трехфазная мостовая на выпрямительных диодах | Трехфазная нулевая на выпрямительных диодах | |
| В схеме нулевого управляемого однофазного выпрямителя, основные элементы: |
| Трансформатор,вто- ричная обмотка трансформатора со средней точкой | Два тиристора | 1)схема управления импульсная 2)нагрузка | Вторичная обмотка трансформа- тора без Дата добавления: 2015-08-29; просмотров: 31 | Нарушение авторских прав
|