1.Обобщенные БПТ и УПТ (общие)

1.Обобщенные БПТ и УПТ (общие)

1.1Малосигнальные

z-параметры

(ΔU<<Up ΔI<<Ip) 1

y- параметры 2

(для УПТ)

h-параметры 3

ближе к реальным схемам по усл измерений

1.2

Формальные экв схема на базе параметров

Z12i2 – напряжение обратной связи

Z21i1 - напряжение прямого перехода

y12U2-ток обратной связи

y21U1-ток прямой передачи

h12U2-напряжение обратной связи

h21i1-передача по току

N-идеальный источник напряжения

идеальный источник тока

Физические эквиваленты

Одномерная физ. Теор модель (ОТМ) 1,2,3M. Гумеля – Пуня(для учета знаков)

Для БПТ 1.3.3 другие (для составных и комплектующих)

Схемотехнические модели бином тр–ре

Эберса –Молла 1954

Точные формулы для физического моделирования

Инженерные формулы для схемотехнических расчетов

Iэ = Ik + Iб

Ik/Iэ=

Ik=

Ik= (Ik+Iб)+Iko=>

Ik- Ik= Iб+Iko

Ik(1- )= Iб+Iko

Ik=

Сообщение приблизительно справедливы для всех режимов работы.

<1

Насыщения, активного прямого и активного инвертного

при этом насыщении →K3 Идеальный Тр-р точка

отсечка→XX Тр-р развыв

В активные режима есть rб, rэ rк и реальные объемные заряды, те ёмкости Сбэ и Сбк Учитываются в других моделях.

Гуммеля-Пуна

Ист.тока Iэк

1-я пара диодов отображает

2-я пара диодов отображает

заряд Qб в базе из-за

высокого уровня инжекции

Параметры модель

Для сост-я мат. Модели контр типа транзистора

I отб ток колл-ра 10^-12A(ток насыщения)

B –который усилил тока базы в параллельном вкл.

Rб, Rк, Rэ –сопротивление б, к, э соответствие.

- напряжение Эрли по наклону Iк=f(Uкэ) при больших Uкэ

Схема измерения

Vб и Vк-источник питания

A, V- амперметр и вольтметр.

Расчет сопротивлений

в областях малых токов

областях больших

токов и напряжений

по Iб=f(Uбэ)

ß=max

Дата добавления: 2015-08-29