1. Назовите какой вид полевого транзистора приведен на рисунке:

1. Назовите какой вид полевого транзистора приведен на рисунке:

1. Полевой транзистор с управляющим переходом с р-каналом;

2. Полевой транзистор с управляющим переходом с n-каналом;

3. Полевой транзистор с изолированным затвором обогащенного типа с р-каналом;

4. Полевой транзистор с изолированным затвором обогащенного типа с n-каналом.

2. Назовите какой вид полевого транзистора приведен на рисунке:

1. Полевой транзистор с управляющим переходом с р-каналом;

2. Полевой транзистор с управляющим переходом с n-каналом;

3. Полевой транзистор с изолированным затвором обогащенного типа с р-каналом;

4. Полевой транзистор с изолированным затвором обогащенного типа с n-каналом.

3. Назовите какой вид полевого транзистора приведен на рисунке:

1. Полевой транзистор с управляющим переходом с р-каналом;

2. Полевой транзистор с управляющим переходом с n-каналом;

3. Полевой транзистор с изолированным затвором обогащенного типа с р-каналом;

4. Полевой транзистор с изолированным затвором обогащенного типа с n-каналом.

4. Назовите какой вид полевого транзистора приведен на рисунке:

1. Полевой транзистор с изолированным затвором обогащенного типа с n-каналом (с индуцированным каналом);

2. Полевой транзистор с изолированным затвором обогащенного типа с р-каналом (с индуцированным каналом);

3. Полевой транзистор с изолированным затвором обогащенного типа с n-каналом (со встроенным каналом);

4. Полевой транзистор с изолированным затвором обогащенного типа с р-каналом (со встроенным каналом).

5. Назовите какой вид полевого транзистора приведен на рисунке:

1. Полевой транзистор с изолированным затвором обогащенного типа с р-каналом (с индуцированным каналом);

2. Полевой транзистор с изолированным затвором обогащенного типа с р-каналом (со встроенным каналом);

3. Полевой транзистор с управляющим переходом с р-каналом;

4. Полевой транзистор с изолированным затвором обогащенного типа с n-каналом (с встроенным каналом).

6. Назовите какой вид полевого транзистора приведен на рисунке:

1. Полевой транзистор с изолированным затвором обогащенного типа с р-каналом (с индуцированным каналом);

2. Полевой транзистор с изолированным затвором обогащенного типа с р-каналом (со встроенным каналом);

3. Полевой транзистор с управляющим переходом с р-каналом;

4. Полевой транзистор с изолированным затвором обогащенного типа с n-каналом (с встроенным каналом).

7. Структура какого транзистора приведена на рисунке:

1. Полевого транзистора с управляющим переходом с р-каналом;

2. МДП транзистора с индуцированным р-каналом;

3. Полевой транзистор с управляющим переходом с n-каналом;

4. МДП транзистора с индуцированным n-каналом.

8. Структура какого транзистора приведена на рисунке:

1. Полевого транзистора с управляющим переходом с р-каналом;

2. МДП транзистора с индуцированным р-каналом;

3. Полевой транзистор с управляющим переходом с n-каналом;

4. МДП транзистора с индуцированным n-каналом.

9. Структура какого транзистора приведена на рисунке:

1. Полевого транзистора с управляющим переходом с р- каналом;

2. МДП транзистора с индуцированным р-каналом;

3. Полевой транзистор с управляющим переходом с n-каналом;

4. МДП транзистора с индуцированным n-каналом.

10. Структура какого транзистора приведена на рисунке:

1. Полевого транзистора с управляющим переходом с р-каналом;

2. МДП транзистора с индуцированным р-каналом;

3. Полевой транзистор с управляющим переходом с n-каналом;

4. МДП транзистора с индуцированным n-каналом.

11. Чему равна ширина обедненной области в транзисторе с несимметричным управляющим p-n-переходом:

1. ; 2. ;

3. ; 4. .

12. Из каких условий и каким соотношением определяется напряжение отсечки (U_{си отс} ) при напряжении сток-исток (U_си) равным 0:

1. Ширина перехода (L) должна быть равна максимальной ширине канала (а): ;

2. Ширина перехода (L) должна быть равна максимальной ширине канала (а): ;

3. Ширина перехода (L) должна быть равна максимальной ширине канала (а): ;

4. Ширина перехода (L) должна быть равна максимальной ширине канала (а): .

13. Из каких условий и каким соотношением определяется напряжение насыщения (U_{си нас}) полевого транзистора с управляющим переходом:

1. Ширина перехода (L) у стока должна быть равна максимальной ширине канала (а): ;

2. Ширина перехода (L) у стока должна быть равна максимальной ширине канала (а): ;

3. Ширина перехода (L) у стока должна быть равна максимальной ширине канала (а): ;

4. Ширина перехода (L) у стока должна быть больше максимальной ширине канала (а): .

14. Какая характеристика и какого транзистора приведена на рисунке:

1. Стоко-затворная характеристика полевого транзистора с управляющим переходом и р-каналом;

2. Стоко-затворная характеристика полевого транзистора с управляющим переходом и n-каналом;

3. Стоко-затворная характеристика МДП транзистора с n-каналом;

4. Стоко-затворная характеристика МДП транзистора с р-каналом.

15. Какая характеристика и какого транзистора приведена на рисунке:

1. Стоко-затворная характеристика полевого транзистора с управляющим переходом и р-каналом;

2. Стоко-затворная характеристика полевого транзистора с управляющим переходом и n-каналом;

3. Стоко-затворная характеристика МДП транзистора с n-каналом;

4. Стоко-затворная характеристика МДП транзистора с р-каналом.

16. Какая характеристика и какого транзистора приведена на рисунке:

1. Стоко-затворная характеристика полевого транзистора с управляющим переходом и р-каналом;

2. Стоко-затворная характеристика полевого транзистора с управляющим переходом и n-каналом;

3. Стоко-затворная характеристика МДП транзистора с n-каналом;

4. Стоко-затворная характеристика МДП транзистора с р-каналом.

17. Какая характеристика и какого транзистора приведена на рисунке:

1. Стоко-затворная характеристика полевого транзистора с управляющим переходом и р-каналом;

2. Стоко-затворная характеристика полевого транзистора с управляющим переходом и n-каналом;

3. Стоко-затворная характеристика МДП транзистора с n-каналом;

4. Стоко-затворная характеристика МДП транзистора с р-каналом.

18. Какая характеристика и какого транзистора приведена на рисунке? Какой режим работы реализован на участке 1-2 и 2-3:

1. Выходная характеристика полевого транзистора. На участке 1-2 реализован омический режим, а на участке 2-3 - насыщения;

2. Выходная характеристика биполярного транзистора. На участке 1-2 реализован режим насыщения, а на участке 2-3 – активный нормальный режим;

3. Выходная характеристика полевого транзистора. На участке 1-2 реализован режим насыщения, а на участке 2-3 – активный нормальный режим;

4. Выходная характеристика биполярного транзистора. На участке 1-2 реализован омический режим, а на участке 2-3 – режим отсечки.

19. Почему у полевого транзистора в режиме усиления сигналов входное сопротивление выше, чем у биполярного транзистора?

1. Т.к. входной сигнал у биполярного транзистора подается на прямосмещенный р-n-переход, а у полевого - на обратносмещенный р-n-переход, либо на непроводящую МДП структуру;

2. Т.к. входной сигнал в биполярном транзисторе подается на обратносмещенный р-n-переход, а у полевого - на прямосмещенный р-n-переход или на хорошо проводящую МДП структуру;

3. Т.к. входной сигнал у полевого транзистора подается на прямосмещенный р-n-переход или на хорошо проводящую МДП структуру, а у биполярного транзистора на прямосмещенный р-n-переход;

4. Т.к. входной сигнал в биполярном транзисторе подается на обратносмещенный р-n-переход, а у полевого - на обратносмещенный р-n-переход или слабопроводящую МДП структуру.

20. Каким соотношением определяется выходная характеристика полевого транзистора с управляющим переходом:

1. , где σ – проводимость канала, пропорциональная напряжению на затворе;

2. , где σ – проводимость канала, обратнопропорциональная напряжению на затворе;

3. , где σ – проводимость канала, не зависящая от напряжения на затворе.

Дата добавления: 2015-08-29