Для заданного типа биполярного транзистора по известным Ek, Rk, IБ0 рассчитать h- параметры транзистора (h11, h12, h21, h22 ). Объяснить полученные численные значения h-параметров (смотрите задание

Для заданного типа биполярного транзистора по известным E_k, R_k, I_Б0 рассчитать h- параметры транзистора (h_11, h_12, h_21, h₂₂ ). Объяснить полученные численные значения h-параметров (смотрите задание по своему варианту в таблице).

Таблица.

Номер варианта	Тип транзистора
31-1	КТ 835А
32-2	КТ 827А
33-3	КТ 826А
34-4	КТ 825А
35-5	КТ 818А
36-6	КТ 812А
37-7	КТ 809А
38-8	КТ 808А
39-9	КТ 807А
40-10	КТ 806А
41-11	КТ 805АМ
42-12	КТ 803А
43-13	КТ 801А
44-14	КТ 646А
45-15	КТ 635Б
46-16	КТ 610А
47-17	КТ 608А
48-18	КТ 605А

Методические рекомендации к задаче №2

Согласно заданного типа биполярного транзистора из справочника [2] переносим в контрольную работу входные (I_Б=f(U_БЭ)) и выходные (I_к=f(U_KЭ)) статические вольт-амперные характеристики биполярного транзистора

см. рис.2.1(а,б)

По двум точкам на выходных характеристиках строим нагрузочную прямую: первая точка – по оси Х(U_KЭ) – соответствует заданному значению напряжения источника в цепи коллектора Е_к; вторая точка – по оси У(I_к) рассчитывается по формуле:

I_k=E_k/R_k, где R_k – задано.

На пересечении нагрузочной прямой и выходной характеристики, построенной при заданном токе базы для точки О I_БО, находим точку О (например: I_Б4 = I_БО). Определяем I_КО, U_KЭО см.рис.2.2

Находим точку О на входной характеристике. Из трех графиков выбираем тот, который построен при U_KЭ приблизительно равном U_KЭО, (по рис. 2.2). Например: U_KЭ2 ≈ U_KЭО, значит второй график будет рабочим. На оси У откладываем значение заданного I_БО, проводим горизонтальную линию до пересечения с рабочим графиком. Обозначаем точку О (см.рис.2.3), находим U_БЭО по оси Х.

Рассчитываем параметр h₁₁ – это входное сопротивление биполярного транзистора. Точка 11 находится на рабочем графике на входной характеристике и определяется током базы I_Б, имеющем значение меньше I_БО (например по рис.2.2 это I_Б3) см.рис.2.4:

h₁₁=ΔU_БЭ/ΔI_Б= (U_БЭО - U_БЭ11)/(I_БО- I_Б11); [Ом]

Рассчитываем параметр h₁₂ – это коэффициент обратной связи по напряжению. Точка 12 лежит на входной характеристике, построенной при, например, U_КЭ1, см.рис.2.5.:

h₁₂=ΔU_БЭ/ΔU_КЭ= (U_БЭО - U_БЭ12)/(U_КЭ2 – U_КЭ1)<<1

Рассчитываем параметр h₂₁ – это коэффициент усиления по току. Точка 21 находится на выходной характеристике, построенной, например, при токе базы ΔI_Б3, см.рис.2.6:

h₂₁=ΔI_K/ΔI_Б= (I_KО – I_K21)/(I_БО – I_Б3)>1

Рассчитываем параметр h₂₂ – это выходная проводимость биполярного транзистора. Точка 22 находится на выходной характеристике, построенной при заданном I_БО, см.рис.2.7:

h₂₂=ΔI_K/ΔU_КЭ= (I_K22 – I_K0)/(E_K – U_КЭО);[Cм] <<1

рис. 2.5

рис. 2.6

рис. 2.7

Дата добавления: 2015-08-29