Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АрхитектураБиологияГеографияДругоеИностранные языки
ИнформатикаИсторияКультураЛитератураМатематика
МедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогика
ПолитикаПравоПрограммированиеПсихологияРелигия
СоциологияСпортСтроительствоФизикаФилософия
ФинансыХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника

Федеральное агентство по образованию



Федеральное агентство по образованию

ФГВОУ ВПО “Уральский Федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина”

 

Кафедра “Автоматика и управление в технических системах”

 

Характеристические параметры биполярного транзистора

Отчет по лабораторной работе №2

по дисциплине

«Электротехника и электроника»

Вариант №10

 

 

Студенты:

Кучеренко Г.А.

Гайнуллин О.А.

 

Группа: РИ-200210

Преподаватель: Матвиенко В.А.

 

Цель работы: Исследование статистических характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение его основных малосигнальных параметров.

Ход работы

  1. Соберем схему для исследования биполярного транзистора.
  1. Определим ток базы Iб, при котором ток коллектора будет равен 10мА

I б max = 133,3мкА.

  1. Снимем входные статистические характеристики при Uкэ1=0В и Uкэ2=5В, задавая ток базы.

 

Iб, мкА

U m V

I mk A

 

460,3

-9,535

 

486,9

-1,501

   

-4,449

 

534,4

-9,391

   

-19,29

 

577,1

-49,03

 

595,2

-98,62

133,3

602,7

-131,6

 

  1. Снимем семейство выходных статистических характеристик при четырех значениях тока базы Iб=const, определяя ток коллектора.

Iб1=I б max/4=35 mk A

Uкэ V

I m A

0,1

1,01

0,2

3,063

0,5

3,211

 

3,227

 

3,259

 

3,357

 

3,519

 

3,682

I б2 =I б max/2=70 mk A

Uкэ V

I m A

0,1

1,875

0,2

5,278

0,5

5,513

 

5,541

 

5,597

 

5,764

 

6,043

 

6,322

I б3=3* I б max/4=105 mk A

Uкэ V

I m A

0,1

2,634

0,2

7,091

0,5

7,394

 

7,431

 

7,506

 

7,730

 

8,107

 

8,477

I б3==140 mk A

Uкэ V

I m A

0,1

3,318

0,2

8,663

0,5

9,023

 

9,068

 

9,159

 

9,432

 

9,887

 

10,34

 

5. Измерим коэффициент передачи β=∆Iк/∆Iб, при Uкэ=5B и Iк =1мА

Uкэ=5В

Iб=9,12 мкА

Iб ув.=9,804 мкА

Ik2=1,075м

β=0,075/0,684 *10^(-3) = ~110

  1. Измерим входное сопротивление транзистора rбэ =∆Uбэ/∆Iб

при Uкэ=5В и Iк=1 мА

Iб2=9,804 мкА

Uбэ=656,6 мВ

Uбэ2=658,6 мВ

rбэ =2 мВ/0,684 мкА=2923,98 Ом

  1. Измерим входное сопротивление транзистора rкэ =∆Uкэ/∆Iк

при Uкэ=5В и Iк=1мА

Uкэ=10В

Iк1=1,048мА

rкэ =5/0,048*10^(-3)=104166,7 Ом


Дата добавления: 2015-08-29; просмотров: 22 | Нарушение авторских прав




<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
 | Пробная версия First PDF конвертирует только 3 страницы.

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.009 сек.)