НП – речовина, питома електр-на провідність котрої, леж-ить між діелект-риками та провідниками. Мають кристалі-чну решітку котра може бути моно та полі-кристалами. Матеріали для нп пристроїв –

1. НП: НП – речовина, питома електр-на провідність котрої, леж-ить між діелект-риками та провідниками. Мають кристалі-чну решітку котра може бути моно та полі-кристалами. Матеріали для нп пристроїв – моно. Атоми склад-ся з ядра довколо якого по орбітам рух. ел-ни. Ел. оберт-ся навколо самої близ-ї до ядра орбіти Э мін енергію. Зона пров-ті заборонена(ел-ни не можуть знаходитися), валентна. В НП та П більшість ел-в знаход-ся у ЗПр-ті. Ел. провідн-ті руха-ються безперервно в середені тіла переходячи з 1 атома в інший. ЕП. Забезпечують вис-оку ел-ну провідність. Влас-тивостіті НП залежать від темпер-и. Ел-на провідність НП визн-ся шириною ЗЗ-и. у ЗП елект-и стають вільними, спроможніми рухатися під дією ел-го поля між атомами речовини. Для підвищення провідності НП забруднюють дом-ішками хім. елементів. < кл ВЭ чем у НП акцепторні > донарні.	2. ВАХ pn-переходів. Різнця між кремнієм й германієм: Пн-перехід – з’єднання двох НП різного типу(п та н). Він пропускає ел. струм тільки в одну сторону. ВАХ- залежні-сть струму від напруги. Дозв-оляє не тримати в голові усі фізичні процеси в матеріалі, а опираючись на такі залежн-ості проектувати прилади. Постійна пряма напруга– напруга між анодом та катодом при протіканні максимально доступного прямого постійного току. Залежить від матері-алу приладів, для германія меньше чем кремния.
3. Види пробоїв пн-переходу Прямі та зворотні струми: Тунельний - з’являється при малій ширині пн-переходу, коли при великій зворотній напрузі ел-и проникають за бар’єр без долання самого бар’ єра. У результаті нього струм через перехід різко збільшу-ється й зворотня гілка ВАХ йде | осі струму. Лавинний- збільшення пар електрон-дірок. Тепловий - пробій характеризується сильним збільшенням струму в області переходу у результаті недостатнього тепловідводу. Зворотній струм – незначний потік неосновних носіїв заряду. Прямий струм – значний ел. струм, що спричинений потоком осн-х зарядів.	4. діоди що випрямляють, умовне позначення та основні парам-ри д-в, що випрямляють: Випр. Діод призначений для перетворення змінного ст-руту у постійний. Основні практичні параметри випря-мляючих діодів такі: Іпр max - гранично допустимий середній прямий струм; Uзвор max - гранично допустима зворотна напруга; Uпр – пост-ійна пряма напруга на діоді при номінальній величині струму; Ізвор max - зворотний струм при гранично допустимій зворотній напрузі; Тmax – гра-нично допустима температура навколишнього середовища.
5. стабілітрон: діод. Напруга на якому в області ел-го пробою слабо залежить від струму і який застосовується для стабілізації напруги. Основним його парамет-ром є напруга стабілізації, що дорівнює напрузі пробою. А також мінімаль-ний та максимальний струм стабілізації. Стабистор	6. Варікап: Діоди в котрих використовується залежність бар’єрної ємності пн-переходу від зворотної напруги. Параметри: ємність, вимірювана між виходами при заданій зворотній напрузі. оєфіцієнт перекриття по ємкості.
7. Тунельні діоди: діод, виготовлений з сильно легованого пн-переходу. Параметри: піковий струм(прямий струм у точнці максимуму вах) струм западини(прямий струм у точні мінімуму) ставлення струмів тунельного діода Iп/Iв, напруга піку, напруга западини. Використ-ться для посилення електромагн-х коливань.	8. біполярний транзистор: Діод в котрому струм в колі двох електродів керується третім. Npn та pnp,
9. схеми включення БТ та режими роботи: 1 дає найбільше посилення напруги по току, через це найрозповсюдженна, з збільшенням частоти й температури посилюючі влас-ті погіршуються. 2 незначне посилення сигналу, гарно передає високі частоти. 3 посилення по струму таке ж як з ЗЕ а по напргузі близький до 1	10-11.статичні характеристики БТ:
12. Диф-ні параметри БП транзистора: Сигнали при яких струми й напруги в БТ зв'язані лінійно дуже малі. При використанні диф-х параметрів, БТ представляється як чотириполючник це дозволяє описати властивості БТ через систему h-параметрів у виді: Значення коеф-в в рівнянні знах-ся: Вхідний опір при короткому замиканні на виході. – вихідна провіднісь при холостій роботі в вхідному ланцюзі. – коефіцієнт зворотного зв’язку при холостому ході у вхідному ланцюзі – коеф-т передачі струму по короткому замиканні на вході	13. Формальні схеми заміщення транзисторів: Для розрахунку малосигнальних параметрів використовуються схеми замі-щення: п-подібна схема, т-подібна при увімкненні КБ, т подібна при КЕ
14. підсилювальний каскад Каскад в електр-ці складова частина посилювача. Реальний однокаск-адний посилювач. Каскад посилює си-гнал як по струму так і по напрузі, 1-го такого каскаду не завжди досить на потрібне посилення через що у підсилювачі об’єднують декілька каскадів, що збільшує посил-я. Rk Re Rb1 Rb2 забезпечують режим роботи схеми по постійному струмі. Конденсатори 1 та 2 ділять перемінну та постійну складові. Се видаляє від-ємний зворотній зв’язок по змінному струму. Рн вхідний опір наступного посилюючого каскаду, Ек- джерело живлення постійного струму.	15 ПТ з керуючим пн-переходом: канал имеет 2 вывода сток исток. Эти выводы подключают к участку цепи, где нужно переме-нное сопротивление. Третий вывод транзи-ра является управляющим затвор. На него подае-тся сигнал который изменяет сопротивление канала. ПТ боятся стат. Електричества.
16. ПТ с изолированым затвором(встр-й канал, индукцированый): С изолированым з-м ПТ, затвор которого отделен в от канала слоем диэлек-трика. Когда на затвор попадают потенцал больше чем на подложке то напряженность поля будет направлена в сторону подложки и все те немногочисленные электроны что есть в п-полупроводнике будут примагничиваться к затвору. Через некоторое время образуется тонкий слой электронов, который создает мостик между стоком и истоком и выступает в качестве канала.ВСТРОЕНЫМ КАНАЛОМ- принцип тот же но изначально уже присутствует тонкий канал для того чтобы можно было что-нибудь проводить и без подачи потенциала на З. ПТ боятся стат. Ел-ва.	17. Схеми включення ПТ: с общим истоком(ОИ) ОС и ОЗ: Каскад с ОИ дает очень большое усиление тока и мощности. ОЗ не дает усиления по току, усиление по мощности в ней меньше чем в схеме с ОИ. Каскад ОЗ обладает низким воходным сопротивлением, в связи с чем он имеет ограниченное практическое применение в усилительной технике.
18. статические характеристики ПТ: с управляющим пн переходом: Встроеным каналом: Индуцированным каналом:	19. диф-е параметры ПТ: Для пт в отличии от БТ используют систему уравнений с у-параметрами. Токи в этой системе считают ф-ми напряжений I1 = f(U1, U2); I2 = f(U1, U2) Тогда выражения для полных диф-ов токов стока и затвора можно представить в виде тут, частные производные можна рассматривать как диф-ные параметры транзистора: Входная проводимость, проводимость обратной передачи, проводимость прямой передачи, выходная проводимость.
20. структура та види теристорів: Це на пристрійз чотирьма та більше слоями та три й більше пн-переходів. Класифікуються в залежності від кількості виводів: тиристор з 2ма виводами(анод та катод) з чотирьма(тетройдні), він включається при любій полярності напруги), динистор(диодный тир-ор, містить 3 ел-но-діркові переходи(емітерні та колекторні)) триодні тиристори – 3 ел-но діркові переходи та 3 виводи – анод кактот й управляючий електрод. сімістор(симетричний тиристор) – навідміну від звиччайних тиристорів, проводить струм анод-катод при протіканні струу по управлінському електроду як у прямому так й зворотньому напрямі.у результаті ВАХ сим-чна фототиристори(спеціальний теристор у корпусі котрого передбачено вікно в яке при потрапля-нні світла тиристор переходить в відкритий стан)	21. ВАХ тріодного тиристора:

22. Підсилювальний каскад та його елементи: Каскад в електр-ці складова частина посилювача. Реальний однокаск-адний посилювач. Каскад посилює си-гнал як по струму так і по напрузі, 1-го так-ого каскаду не завжди досить на потрібне посилення через що у підсилюва-чі об’єднують декілька каскадів, що збільшує посил-я. Rk Re Rb1 Rb2 забе-зпечують режим роботи схеми по постійному струмі. Конденсатори 1 та 2 ділять перемінну та постійну складові. Се видаляє від-ємний зворотній зв’-язок по змінному струму. Рн вхідний опір наступного посилюючого каска-ду, Ек- джерело живлення постійного струму.

6-7 електричне коло діода чуа. Мемристори, мемристивність: Мемристор –устройство способное хранить много бит информации на еденицу прибора. пристрій котрий як й опір заважає проходженню струму. ВАХ діода чуа. Мемристивность – мера изменения сопротивления на еденицу переме-щенного заряда. Уравнение цепи имеет вид:

Дата добавления: 2015-08-29