Учебная дисциплина Электронная техника

Группа Эс-318, Эс-419

Учебная дисциплина Электронная техника

Материалы контрольного среза

Вариант 2

Блок А

1. На рисунке изображен:

1. Диод
2. Стабилитрон
3. Светодиод
4. Фотодиод
5. Варикап
6. Туннельный диод

2. На рисунке изображен:

1. Диод
2. Стабилитрон
3. Светодиод
4. Фотодиод
5. Варикап
6. Туннельный диод

3. Полупроводниками n-типа называются полупроводники, в которых основными носителями заряда являются:

1. Электроны
2. Дырки
3. Электроны и дырки
4. Ионы

4. С увеличением отрицательного смещения p-n перехода, толщина запирающего слоя:

1. Уменьшается
2. Увеличивается
3. Остается постоянной

5. При использовании диода в качестве выпрямителя используется:

1. Прямая ветвь вольтамперной характеристики
2. Обратная ветвь вольтамперной характеристики
3. Прямая и обратная ветвь вольтамперной характеристики
4. Ни одна не используется

6. Динистор имеет:

1. Один p-n переход
2. Два p-n перехода
3. Три p-n перехода
4. Четыре p-n перехода
5. Пять p-n перехода

7. Втягивание неосновных носителей заряда из области базы в область коллектора называется:

1. Эмиссией
2. Экстракцией
3. Инжекцией
4. Акцептором

8. Полевой транзистор с изолированным затвором и встроенным каналом может работать:

1. С обедненным каналом
2. С обогащенным каналом
3. Как с обедненным каналом, так и с обогащенным каналом

9. На рисунке нарисован транзистор:

1. n-p-n типа
2. p-n-p типа
3. Полевой транзистор с управляющим p-n переходом и каналом n-типа
4. Полевой транзистор с управляющим p-n переходом и каналом p-типа
5. Полевой транзистор с изолированным затвором и индуцированным каналом n-типа
6. Полевой транзистор с изолированным затвором и индуцированным каналом p-типа
7. Полевой транзистор с изолированным затвором и встроенным каналом n-типа
8. Полевой транзистор с изолированным затвором и встроенным каналом p-типа

10. На рисунке нарисован транзистор:

1. n-p-n типа
2. p-n-p типа
3. Полевой транзистор с управляющим p-n переходом и каналом n-типа
4. Полевой транзистор с управляющим p-n переходом и каналом p-типа
5. Полевой транзистор с изолированным затвором и индуцированным каналом n-типа
6. Полевой транзистор с изолированным затвором и индуцированным каналом p-типа
7. Полевой транзистор с изолированным затвором и встроенным каналом n-типа
8. Полевой транзистор с изолированным затвором и встроенным каналом p-типа

11. На рисунке нарисован транзистор:

1. n-p-n типа
2. p-n-p типа
3. Полевой транзистор с управляющим p-n переходом и каналом n-типа
4. Полевой транзистор с управляющим p-n переходом и каналом p-типа
5. Полевой транзистор с изолированным затвором и индуцированным каналом n-типа
6. Полевой транзистор с изолированным затвором и индуцированным каналом p-типа
7. Полевой транзистор с изолированным затвором и встроенным каналом n-типа
8. Полевой транзистор с изолированным затвором и встроенным каналом p-типа

12. На рисунке нарисован транзистор:

1. n-p-n типа
2. p-n-p типа
3. Полевой транзистор с управляющим p-n переходом и каналом n-типа
4. Полевой транзистор с управляющим p-n переходом и каналом p-типа
5. Полевой транзистор с изолированным затвором и индуцированным каналом n-типа
6. Полевой транзистор с изолированным затвором и индуцированным каналом p-типа
7. Полевой транзистор с изолированным затвором и встроенным каналом n-типа
8. Полевой транзистор с изолированным затвором и встроенным каналом p-типа

13. Входные характеристики биполярного транзистора с общим эмиттером устанавливают зависимость:

1. 
2. 
3. 
4. 

14. Выходные характеристики биполярного транзистора с общей базой устанавливают зависимость:

1. 
2. 
3. 
4. 

15. Является приемником оптического излучения:

1. Варикап
2. Светодиод
3. Фотодиод
4. Туннельный диод

Блок Б

1.Эмиттерным повторителем называется схема:

1.С общей базой

2.С общим эмиттером

3.С общим коллектором

2. На рисунке нарисована:

1.Параллельная обратная связь по напряжению

2.Параллельная обратная связь по току

3.Последовательная обратная связь по напряжению

4.Последовательная обратная связь по току

Дата добавления: 2015-08-28