4 Выбор и анализ элементной базы

4 Выбор и анализ элементной базы

В разрабатываемой конструкции будет использоваться элементная база, эксплуатационные и конструктивные параметры которой приведены в таблице 1, внешний вид и основные электрические параметры приведены на рисунке 1.

Таблица 1 Эксплуатационные и конструктивные параметры элементной базы

Наименование элемента	Количество	Конструктивные параметры	Эксплуатационные параметры
Масса, г	Установочная площадь, мм^2	Интенсивность отказов, λ0* 10^-6 1/ч	Диапазон температур, °С	Относительная влажность, %	Механические нагрузки
Ускорение,g	Перегрузка,g	Частота, Гц
Диод 1N4007	4	0,4			-55..155
Конденсатор С1	2	1,0	68,89	0,90	-40..105	93	25	2
Конденсатор С2,3,4	2	1,0	43,56	0,90	-40..105	93	25	2
Конденсатор С5,6,7	1	1,0	18,49	0,90	-40..105	93	25	2
Микросхема К176ИЕ5	1	2,0	82,62	0,01	-10..70	93	25	2
Микросхема NE555P	1	1,0	249,60	3,00	-65..150	93	25	2
Резистор С2-1	1	1,0	116.64	0,01	-65..150	93	25	2
Резистор С1-4	14	0,3	2,50	0,50	-50..125	93	25	2
Резистор СП5-20В	2	0,5	2,5	2,00	-60..125	93	25	2	1-5000
Транзистор КТ315	2
Светодиод АЛ307	2
Оптосимистор МОС3022	1
Симистор ТС-106	1
Стабилитрон 1N4742A	1
Стабилитрон 1N754	1

Uобр.max (постоянное)	1000V
Uобр.max (импульсное, повтор.)	1000V
Uобр.max (действующее)	700VAC
Iпрям.max (при t=+50°C)	1A*
Iпрям.имп.max (8,3mS)	30A
Uпрям. (не более)	1,1V
Iобр. (при t=+25°C, не более)	5µA
C (ёмкость перехода)	15pF
Диапазон температур	-55..+150°C
Вес	0,4g
Тип корпуса	DO-41
Аналог **	КД243Ж

Диод1N4007

R1: R_ном = 300кОм;

R3: R_ном = 100кОм;

R5: R_ном = 15кОм;

R7: R_ном = 360Ом;

R8: R_ном = 2кОм;

R9,R10: R_ном = 1кОм;

R11,R12,R13: R_ном = 820Ом;

R14: R_ном = 420кОм;

R15: R_ном = 30кОм;

R16: R_ном = 10кОм;

R17: R_ном = 1кОм;

Р_рас = 0,125Вт;

U_max = 250В;

Резистор С1-4

R4,R6: R_ном = 10кОм;

Р_рас = 2 Вт;

U_max = 250В;

Резистор СП5-20В

Наимен.	тип	Uкбо(и),В	Uкэо(и), В	Iкmax(и), мА	Pкmax(т), Вт	h21э	Iкбо, мкА	fгр., МГц
КТ315	n-p-n				0.15	30-120	0.5	250

Транзистор КТ315

Микросхема NE555P

Напряжение питания	5..10В
Выходное напряжение "0"	<0,3В
Выходное напряжение "1"	>8,2В
Входной ток "0/1"	<0,5мкА
Ток потребления (статический, Uпит=5В)	5мкА
Типовое время задержки	300нС
Диапазон температур	0..+70°C
Зарубежный аналог	CD4033E

Микросхема К176ИЕ5

Светодиод АЛ307

Оптосимистор МОС3022

Симистор ТС106

Мощность рассеяния,Вт	0.128
Минимальное напряжение стабилизации,В
Номинальное напряжение стабилизации,В
Максимальное напряжение стабилизации,В
Рабочая температура,С	-60…125
при токе I ст,мА
Температурный коэффициент напряжения стабилизации аUст.,%/С	0.1
Временная нестабильность напряжения стабилизации dUст.,В	1.3
Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА
Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА

Стабилитрон 1N4742A

Номинальное напряжение стабилизации - 6,2 В	Ток стабилизации стабилитрона - 10 мА
Температурный коэффициент напряжения стабилизации стабилитрона - ±0,06 %/С	Временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона ±1,5 мкс
Дифференциальное сопротивление стабилитрона 35 (10) Ом	Минимально допустимый ток стабилизации стабилитрона 3 мА
Максимально допустимый ток стабилизации стабилитрона 22 мА	Прямая рассеивая мощность 0,15 Вт

Стабилитрон КС162

Конденсатор К50-35

Конденсатор К73-17

Дата добавления: 2015-08-28