Читайте также:
|
|
Теоретичні відомості
Внутрішній фотоефект – це викликані електромагнітним випромінюванням переходи електронів всередині напівпровідника або діелектрика із зв’язаних станів у вільні без емісії назовні. Додаткова провідність напівпровідника або діелектрика зумовлена опроміненням, називається фотопровідністю.
Фоторезистор – це чистий напівпровідник, опір якого залежить від освітленості. Для виготовлення цих пристроїв використовують такі хімічні сполуки як PbS (сульфід свинцю), CdS (сульфід кадмію), PbSe (селенід свинцю) та інші.
|
|
Вентильний фотоефект є різновидом внутрішнього фотоефекта і полягає у виникненні фото-е.р.с. при освітленні контакту двох різних напівпровідників або напівпровідника і металу. Фотоелемент – це напівпровідниковий пристрій з електронно-дірковим переходом, що перетворює енергію випромінювання в електричну енергію. Умовна позначка фотоелемента зображена на рис.4.
До вентильних фотоелементів відносять фотоелементи з германію, кремнію (силіцію), селену, купроксні, сірково-срібні та інші. Фотоелементи широко використовуються для створення сонячних батарей.
В даній лабораторній роботі досліджується селеновий фотоелемент із чутливістю 200 мкА/лм, встановлений на панелі з двома виходами. На цій панелі вказана полярність фотоелемента (рис.2).
УВАГА! При виконанні роботи дотримуйтесь полярності підключення фотоелемента!
Освітленість Е поверхні фоторезистора або фотоелемента, як відомо з фотометрії, обернено пропорційна квадрату відстані r від джерела світла до цієї поверхні. У даній лабораторній роботі освітленість Е при r =25 cм приймаємо умовно за 1, потім збільшуємо r послідовно у 2,3,4 рази. Тоді Е1=1; Е2= 1/ (2)2= 1/4; Е3= 1/ (3)2= 1/9; і. т.д.
Дата добавления: 2015-11-26; просмотров: 114 | Нарушение авторских прав