Физические процессы в электронно-дырочном переходе

6.4.1. Идеализированный контакт «полупроводник - полупро-

^водник». Элегаронно-дырочный переход - это слой между двумя об­ластями полупроводников, одна из которых имеет проводимость Р-типа, а другая - «-типа.

о

Классификация />-и-переходов.

По характеру структуры перехода переходы делятся:

1) на резкие - со ступенчатым распределением примесей (пер_е. ходы с идеальной границей, по одну сторону которой находятся.ю. норы с постоянной концентрацией N_(l, а по другую - акцепторы с по. стоянной концентрацией Л'„);

2) плавные, в которых распределение примесных атомов огщ. сывается непрерывной функцией, а граница соответствует равенсгв\ концентраций примесных атомов N_d =.У,.

По соотношению концентраций примесей в р- и «-слоях делят­ся на: симметричные, несимметричные и односторонние.

В симметричных переходах области р и п легированы одинаково N_Jn = N_ap, В несимметричных переходах у ровни легирования различ

ны: N_dn * N_ap.

В случае резкой асимметрии, когда концентрации примесей, г следовательно, и основных носителей заряда различаются на два и более порядков, называются односторонними и обозначаютс! р⁺ - и, п⁺ - р, где индекс «+» соответствует слою с большей кон­центрацией.

Мы будем рассматривать идеализированный несимметричный р* - п -переход, в котором р_р» п_п.

В исходном состоянии р- и «-области были электронейтраль ными: заряд основных носителей в каждом полупроводниковом слое компенсируется зарядом ионов примеси и неосновных зарядов [р_р =N_a +п_р \ (п„ - Nj = р„). Считаем полу проводники сильно леги­рованными: п_м» «,, р_р0» п,.

Рассмотрим физические процессы в условиях термодинамиче­ского равновесия, т.е. при отсутствии внешних напряжений и npi температуре Т— const.

Гак как концентрация дырок в р-области много больше кониеи трация дырок в «-области, то дырки из /^-области будут диффундир" вать в «-область. При этом в р-области у границы контакта останутс! неподвижные некомпенсированные отрицательные ионы акцептора и возникает отрицательный заряд (— q - N_a).

Дырки, перейдя в «-область, рекомбинируюг с электронами. ^! результате чего концентрация электронов у 1раницы и-обласТ;

^зиьшится, и здесь «обнажатся» некомпенсированные положитель­ное ионы доноров (+ q ■ N_d).

Аналогичные рассуждения действительны для электронов, ко­торые диффундируют из «-слоя в р-слой. где они рекомбинируют с дырками ^-слоя. образуя некомпенсированные отрицательные ионы акцепторов. Поскольку в несимметричном переходе п_м «р_р(), то

перемещение электронов малосущественно, поскольку разность кон­центраций (п_и -п_р) много меньше разности [р_р - р_п), а именно этими

разностями определятся градиенты концентраций и диффузионные

Токи.

В результате вблизи границы контакта образуется область про- страяственного заряда (ОПЗ), в которой концентрация подвижных носителей заряда (электронов и дырок) понижена. Это и есть область р-я-иерехода, или обедненная область, (так как концентрация носи­телей мала), или запирающий слой (с высоким удельным сопротив­лением - на несколько порядков выше, чем в соседних нейтральных областях).

Е

р-тип

-lln

-\J

Р р ■ No' Пр

рп

Рис. 6.8. Структура р-п-переход а: а- л о контакта; б - после контакта

зирован,

Будем считать, что все примеси ионизированы, переход идеали-

т.е. пренебрегаем наличием свооодных носителей заряда в

переходе: _Рр * N_a, п„ * N,.

Существующие в обедненном слое объемные заряды некомпен- ^сированных ионов примеси образуют электрическое поле Е. которое Направлено так, что оно ограничивает диффузию носителей заряда.

Электрическое поле в /?-«-переходе образует внутреннюю кон­тактную разность нотепциалов (потенциальный барьер) Дф₀ (ме­жду р- и «-областями).

Одна часть обедненного слоя, толщиной!_0р находится ₈

р-области и содержит отрицательные ионы акцепторов. Другая часть /_0п находится в «-области и содержит положительные ионы доноров. Полная толщина обедненного слоя равна /₀ = 1,_)р + /₀„

Переход (обедненный слой) в целом электронейтрален: отрица­тельный заряд вр-области Q~ = q ■ N_a ■l_0r •S равен положительному

заряду в «-области Ql - q- N_d ■ /_0я ■ S, где S - площадь перехода. Из

/ N

равенства зарядов следует: — = —.

hp ^Nd

Для несимметричного перехода (N_a» N_d) получаем /₀„» /,,„.

т.е. несимметричный переход сосредоточен в высокоомном слое.

Слой с большей концентрацией свободных носителей заряда на­зывается эмиттером, а с меньшей - базой. Поэтому высокоомный слой сосредоточен, в основном, в базе.

Рассмотрим /^-«-переход с точки зрения зонной теории. В равновесной системе уровень Ферми должен быть единым для. всей системы, а это приводит к искривлению энергетических зон пол действием электрического поля в переходе, различию электростати­ческих потенциалов и образованию потенциального барьера

Потенциальный барьер существует для основных носителей за­ряда. движущихся к переходу. Например, электрон 1 не может про­никнуть в р-слой и выталкивается полем. Дырка I не может проник­нуть в «-слой. Перейти в противоположную область могут только те основные носители (электрон 2 и дырка 2), энергия которых доста­точна для преодоления потенциального барьера.

Для неосновных носителей (3) барьера нет, а электрическое по­ле для них является ускоряющим. Они захватываются полем и пере­носятся в противоположную область.

6.4.2. Анализ идеализированного р-п-перехода в равновесном состоянии. Высота равновесного потенциального барьера определя­ется разностью электростатических потенциалов в р- и «-слоях (рис. 6.9, б):

Дфо С⁶'⁴'

J

Pc, io?„

<v.

V.

<P f_p~

. + E

<Pcp-

<Pfp

+3

-- >

Рис. 6.9. Зонная диаграмма /?-и-перехода: а до конгакта; 6 после контакта

Определим значения электростатических потенциалов, восполь­зовавшись формулой (4.12. а). Запишем выражения для электроста­тических потенциалов ф_У:ри <?,,„ через концентрации электронов в и- и р-слоях:

Ф*«= Ф/. - Ф_Г * In — - ФЕр = ф> " Ф₇- • In -^р-■ (6.5)

п, п,

Подставив (6.5) в (6.4), получим:

ДФ₀=Ф-,-_ф/.-1п^= ф_г1п-'-⁰-. (6.6, а)

^п, ^п, ^п_Рь

п-ооласть

р-обиасть

Если записать электростатические потенциалы через конценгра- ¹*^ии Дырок в п- и р-слоях (формула 4.12, б), то получим:

•^лФо =Фг -In- — • (6.6.6)

PnO

Вывод: равновесная высота потенциального барьера определя­ется отношением концентраций однотипных носителей заряда по обе стороны перехода.

п²

Подставим в формулу (6.6, б) значение р_п0 = —■ из (4.9)

«„о

Лф₀ =<р_л-1п--¹— — = ф₇ - In-(6.6. si

К «Г

где Рр(, ~ N_a, п,,₀ * jV,, Л\,, N_d - эффективные концентрации приме­сей, которые полиостью ионизированы при рабочей температуре. Воспользуемся формулой (4.8), подставив се в (6.6. «):

Дф₀ = ф_; • «^ХР(— ")] = Д<Р, -ф₇ • In

Л_СЛ'_Г Ф_Г

Н.-Ъ

f,_r,. \ Ay-' Лу Kr^J

(6.7.6,

q ■ Дф₀ = АЕ, - кТ ■ In

Высота потенциального (энергетического) барьера для невыро­жденных полупроводников увеличивается с увеличением ширины за­прещенной зоны и концентрации примесей, и уменьшается с ростом температуры.

Контактную разность потенциалов можно определить как раз­ность работ выхода электронов в /;- и «-слоях, что эквивалентно раз­ности уровней Ферми в изолированных друг от друга р- и «-областям, (при едином отсчете энергии): Дф₀ = ф_/п -ф^.

С увеличением температуры уровни Ферми в изолированны* полупроводников смещаются к середине запрещенной зоны, и раз- ность между ними уменьшается. При увеличении концентрации при­месей, уровни Ферми удаляются от середины запрещенной зоны, и и' разность увеличивается.

Определим ширину потенциального барьера в равновесном со­стоянии, применив уравнение Пуассона (4.16):

dE(x) ₌ с1\(х) ₌ _Х(х) dx dx² г_йъ_п

Для ступенчатого идеализированного р-«-перехода плотное!-' зарядов: Х_р = -q • N_a, X„=+q- N_d. 86

J

Подставим эти значения в уравнение Пуассона и проинтегриро- I для каждой из двух частей перехода, получим:

=. + /) при х<0

е,,е

(6.10)

Е_п(х) = -?-^(1_п-х\ при х>0

Напряженность электрического поля Е в пределах перехода из­меняется по ломаной линии с максимумом в точке х=0, вне перехода Е равна нулю:

Интегрируя (6.10), получим выражение для потенциала ф(х), при этом уровень отсчета, который можно выбрать произвольно, будем рассматривать относительно электростатического потенциала ц>_Е для каждой области.

Фр(*)"* Ф/'р:— ~{x + l_pf, при X < 0

2е₀Е

(6.11)

и ■ N

ф.(*)-ф/й,=-г ~(jf-^)². при *>0

2е_йе

Функция ф(х) состоит из двух параболических участков, так как она получена интегрированием кусочно-линейной функции Е(х) и имеет точку перегиба при х=0.

Используя ^lf- =, /₀ = /_У/; +1₀„, (6.12)

О р ^Л«/

и приравняв ф_/,(0) - ф„(0), при х=0. получим зависимость между ши­риной перехода и высотой потенциального барьера:

Г 1 ₊_1 ^

\ я

_ |2е„е-Лф₍

h

(6.13)

Для несимметричного перехода (N_u» N_d) получаем

_ 2 е ₍, е -Аф₀ о -, / т: —> (6-14)

где N_d - концентрация примесей в высокоомном слое. Толщина пе- Рехода уменьшается с увеличением концентрации примесей.

6.4.3. Электронно-дырочный переход в неравновесном со- ^сп*оянии. Если к р-и-переходу подключить внешний источник

на­
пряжения (ЭДС) Ц то равновесное состояние нарушается и в цещ₍потечет ток.

Поскольку удельное сопротивление обедненного слоя на не­сколько порядков больше удельного сопротивления нейтральных об­ластей, то внешнее напряжение практически полностью прикладыва­ется к обедненному слою, а значит, изменение высоты потенциально­го барьера равно значению приложенного напряжения:

Л<р = Дф„ — U (6.17)

Если «плюс» источника питания подключен к р-обласги, а «ми­нус» к «-области, то внешнее поле направлено навстречу внутренне­му полю перехода, потенциальный барьер понижается. Такое напря­жение называется прямым (U> 0).

si

Если «минус» источника питания подключен к р-области. а «плюс» к «-области, то внешнее поле складывается с внутренним по­лем перехода, потенциальный барьер повышается. Такое напряжение называется обратным (U < 0).

	р	_		il
			t

прямое

-в:

Обратное Рис. 6.J0 Прямое и обратное включение перехода

(6.181

Вместе с высотой потенциального барьера изменяется его тол­щина (подставим 6.17 в 6.14):

__,Г2е₀е-(Аф₀ - U) _,⁽(Д_Фо - U)

t _ I _/₀ -,

V

\ Я ■ ' "v дф«

Переход сужается при прямом напряжении (U > 0), и расширя­ется при обратном напряжении (U < 0),

Уменьшение толщины перехода при прямом напряжении проис­ходит ввиду смещения основных носителей заряда в сторону обед­ненного слоя. Проникая в обедненный слой, они компенсируют часть его объемного заряда, что приводит к уменьшению толщины потен­циального барьера.

При обратном напряжении происходит смещение основных но­сителей от перехода под действием электрического поля за время-

Ц^зкое к т_£. При этом обнажаются дополнительные ионы примесей у границ перехода, что приводит к росту толщины обедненного слоя.

Дырки, переходящие в «-область, и электроны, переходящие в ^^убласть, являются для этих областей неосновными.

Зонные диаграммы />-«-перехода в неравновесном состоянии приведены на рис. 6.11.

Уровни Ферми располагаются в р- и «-областях на различных высотах, а разность между ними равна внешнему напряжению U.

При прямом смещении (U > 0) напряженность внутреннего поля перехода уменьшается, условие равновесия диффузионных и дрейфо­вых токов нарушается: диффузия дырок из /^-области и электронов из я-области преобладают над их дрейфовым движением. Вследствие диффузии увеличивается концентрация неосновных носителей в ней­тральных областях, граничащих с переходом. Этот процесс называет­ся ивжекцией неосновных, носителей заряда.

и>в

п-обл.

р-ои.I.

_______ У.Дф Афо ' Ф W ---------- _г щ-

Ф*

Рис. 6.11. Зонные диаграммы перехода н неравновесном состоянии

при прямом смещении

Определим концентрацию избыточных неосновных носителей '■ряда: Ап_р в р-области и Др_п в «-области у границ перехода.

* Считаем, что концентрация избыточных носителей мала по ЧЧрвению с равновесной концентрацией основных носителей Щфр_рц в соответствующих областях.

Тогда можно использовать формулу {6.6, а), заменив в ней п_р0

= П_ро + Ап_р, а Аф₀ на Дф = Дф₍₁ - U.

«„о/ / и

•иО

■■ фу 111

Дф₀ - U - _Фг • In

__ Ли.

V/

v / V;

- Дм,

.Ч¹' _ | -__ Р.

Ди 1 + — . "/>«У

In —^— In V

= фу

Пр»

{ и

-1

Дм

^lpi>

(6.19;.

\

(6.20;

При прямом напряжении (U>0) в каждом из слоев появляюга избыточные носители, т.е. происходит инжекция неосновных носи­телей заряда.

N..

- /V

(6.2 И

N.

'«о

Разделим (6.20) на (6.19) и воспользуемся (4.9) п ■ р = и,²:

2 \

4Р„_АЮ_[- „ _ ^П1

«_го I, "«о />. Для несимметричных переходов (N_a»Д^) получаем Д/?„» Д«_г, т.е. концентрация дырок, инжектированных из сильноле­гированной р~ -области (из эмиттера) в слаболегированную и-обласн (в базу) значительно больше концентрации электронов, инжектиро­ванных в противоположном направлении.

В несимметричных переходах инжекция имеет односторонний характер из низкоомного слоя в высокоомный или из эмиггера в базу Коэффициент инжекции - отношение тока носителей, инжек­тируемых в базу к полному току через переход. Для р⁺ -п-перехода:

= Р„о

1 1

(б.г

Для несимметричных переходов у 1.

Уровень инжекции - отношение концентрации инжектирован- _—дх в базу неосновных носителей к равновесной концентрации основ- __носителей заряда в базе.

(6.23)

Quot;«о J

При 5 «1 - низкий уровень инжекции; S > 1 - высокий уровень янжекции.

При обратном напряжении U < 0 напряженность электриче­ского поля Е возрастает и в переходе преобладает дрейфовое движе­ние носителей над диффузионным (рис. 6.12).

\ Дф₀

п-обл.

Дырки «-области и электроны /^-области вследствие теплового хаотического движения могут пересечь границу перехода, где они попадают в ускоряющее поле, переносящее их в соседнюю область.

При U<0 толщина перехода (6.18) возрастает

р-обл. U<0

Д<ро

Дер-

Ф,-

ф U<0

фк-

Рис. 6.12. Зонные диаграммы перехода в неравновесном состоянии при обратном смещении

В результате у границ перехода уменьшается концентрация не­основных носителей по сравнению с равновесным состоянием. Это ^Яйление называется экстракцией неосновных носителей заряда. Вы­ражения (6.19), (6.20) справедливы и для экстракции. Из них следует, что при U<0 Ап < 0, Ар_п <0, что соответствует уменьшению концен-

6=

~ Л',

^тР^аЧИи неосновных носителей по сравнению с равновесным состоя­щем.

6.4.4. Математически» модель (ВАХ) идеализированного электронно-дырочного перехода. Идеализированный ^-«-переход представляет собой упрошенную модель реального р-п перехода. _s которой приняты следующие допущения:

1) ширина перехода настолько мала, что в обедненном слое от­сутствуют процессы генерации, рекомбинации и рассеяния носителей заряда; таким образом, токи носителей одного знака (электронный ток или дырочный ток) на обеих границах одинаковы;

2) вне обедненного слоя нет электрического поля, здесь носите­ли движутся только вследствие диффузии;

3) концентрация дырок, инжектированных в базу невелика, т.е. выполняется условие низкого уровня инжекции;

4) сопротивления нейтральных областей в сравнении с сопро­тивлением обедненного слоя считаются пренебрежимо малыми:

5) обратные напряжения не превышают величины напряжения пробоя;

6) толщины нейтральных областей много больше диффузионной длины неосновных носителей заряда в этих областях: w» L ^;

7) в модели идеализированного р-п-перехода предполагается, что изменение концентрации неосновных носителей заряда в облас­тях за границами перехода при небольшом прямом напряжении не нарушает электронейтральности этих областей. Это объясняется бы­строй (за время диэлектрической релаксации т_й) нейтрализацией за­ряда инжектированных неосновных носителей заряда основными но­сителями, поступающими из внешней цепи. (В реальных переходах инжекция дырок в базу нарушает ее электронейтральность и вызыва­ет приток электронов из внешней цепи. Эти электроны за время ди­электрической релаксации х_г распределяются таким образом, чтобь: компенсировать электрическое поле дырок, т.е. накапливаются в той же области, что и дырки).

Рассмотрим физические процессы при прямом напряжении на р-я-Переходс (рис. 6.13).

На рис. 6.13, а показано движение основных носителей заряда- создающих прямой ток. Перемещение этих носителей чере' р-я-переход приводит к инжекции избыточных неосновных носи­телей заряда, которые затем движутся от границ перехода в ней­тральных областях вследствие диффузии, вызванной градиентов концентрации.

Л«_;,(х) Ар„(х)

	i	L i
р ^п			К
	\ J		ч >

Рис. 6.ГЗ. Прямое смешение* перехода: _а - движение постелей через переход; о распределение избыточных концентраций

Стационарное распределение избыточных неосновных носите­лей в нейтральных областях An_f,(x) и Apjx) определяется из урав­нения диффузии (5.! 8):

п ^{1,1 Р}" ^Р" ~~ ^р"^п =0

п т "У ^ '

dx^l х_р

d²

:0.

Р,, Рп - Рп О

С учетом /„ = ■ D_p ■ х _р, получим: —-- —^!

Граничные условия для решения уравнения:

1) на границах перехода при х - 0 концентрации носителей оп­ределяются по формулам (6.19), (6.20);

2) в глубине нейтральных областей они стремятся к нулю вслед­ствие рекомбинации.

Заменим под знаком дифференциала Р_п на Ар_п, так как

(6.24)

- const, Ар_п - р„- р_гЛ.

dx² С-

Подставив 1раничные условия, получим решение уравнения эффузии для и'.» I:

(и \ (и \

(6.25, а) (6.25, 6)

/

е⁹' -1

Ап_р(х) = Ап_г(0) е — п

рп

_ефг _i

(6.25,«)

Для w_B < L: Лр„(х) = р„₀

/

Графики распределения избыточных концентраций приведены на рис. 6.13, где выбраны направления отсчета координат от соот­ветствующей границы перехода.

dp dx

■е

Определим плотность диффузионного тока, протекающего че­рез переход. Для этого продифференцируем (по х) выражения (6.25. а и 6.25, (5) согласно формуле (5.6):

I" ^JP*t>⁼-⁽l-^Di

Знак «минус», так как ось х направлена от «-» ЭДС к «+» ЭДС. а ток течет от «плюса» к «минусу», т.е. является положительным.

---- t ------ _е -

При.V = 0 получим:

ро

<?г

. (6.26)

. -W0)

J = J_p(+0) + J„(-0)-

Полная плотность тока через переход равна сумме плотностей тока дырок и тока электронов в любом сечении структуры:

\	(^0^N		г
<	-1	=л
	V.)		\ /

Я°рРпО _| 4^Dnⁿpb

-п /

(6.27)

где

^D_PP„ о ^Dn"

J₀=g

Z„

Умножив уравнение (6.27) на площадь перехода S. получим вольт-амперную характеристику идеализированною /;-я-пере.\ода:

/ = /„

(и ^

<?»' -], (6.281

Dp-Pno _х ^D>,-n_po l' L

где /₀ - q ■ S ■

- тепловой ток перехода. (6-29¹

Он называется ток потому, что имеет тепловое происхождение сильно зависит от температуры и равен нулю при Т= О К.

Ток /₀ называется также обратным током насыщения, так как при обратном напряжении U\ > Зф, величина тока равна (-/₀) и не

•зависит от напряжения.

формулу (6.29) с учет ом L =JP_p -т (5.20) можно записать:

рО

I_a = qS

(6.30)

Lp-PnO ^Ln «

■ + —

а с учетом (4.9), формула (6.29) примет вид:

/>0

(6.3 Г)

/ • V I)

!₀-qSn;

Тепловой ток обусловлен термогенерацией неосновных носи­телей в нейтральных областях, прилегающих к переходу.

При обратном включении р-«-перехода внешнее поле и внут­реннее совпадают по направлению. При этом происходит экстракция неосновных носителей из прилегающих к переходу областей. Экс­тракция приводит к уменьшению граничной концентрации неоснов­ных носителей около перехода и появлению градиента концентрации (рис. 6.14, е).

Неосновные носители, возникшие в результате термогенерации в нейтральных областях, под действием градиента диффундируют к переходу, захватываются его полем и переносятся в соседнюю об­ласть.

гО	о
р		> <		п

l.p Ic Ln

	Р		> «		п
—

о и?.

Р"

/\ ptw

Рис. 6.14. Электронно-дырочный переход при обратном смешении: а - при напряжении U\; б- при напряжении U₂ > U,; «- распределение граничным концентраций

За время жизни до р-и-перехода могут продиффундирова_Т[] только те носители, которые генерируются в р- и «-слоях на расстоя- нии меньшем или равном диффузионной длине (L_p,L_n). Остальные

носители, не успев дойти до перехода, рекомбинируют в объеме. Это справедлино для любых обратных напряжений, поэтому тепловой ток, начиная с очень малых значений обратного напряжения, не буд_е(изменяться при изменении напряжения. Этот неизменный ток назы­вается также обратным током насыщения.

Тепловой ток /₀ резко уменьшается при увеличении ширину запрещенной зоны (см. 6.31 и 4.8). Тепловой ток в кремниевых тюл\. проводниках в десять тысяч раз меньше, чем в германиевых.

п N_cN_y - ⁼~Тт--- ^е и„_п N,,

Температурная зависимость тока /„определяется изменением концентрации неосновных носителей заряда:

неосновных ^кТ, Зависимость Т₀(Т) характеризует темпера-

«0

тура удвоения А Г, равная приращению температуры, вызывающей удвоение тока:

ЦТ + АТ) 1о(Т)

к-Т²- In 2 ~"АЕ,,

, где Т₀ - средняя температура рабоче­

= 2: AT

го диапазона.

Вольтамперная характеристика идеализированного перехода (6.28) в относительных единицах приведена на рис. 6.15.

40 30. 20_ 10_

I I I-

Ф/

Рис. 6.15. Волы-ампсриая характеристика (ВАХ) идеализированного электронно-дырочного перехода

Одной из особенностей ВАХ р-н-перехода является очень кру- (экспонснта) прямая ветвь, поэтому часто в качестве аргумента гея ток, а напряжение рассматривается как функция:

■ + 1

(6.32)

U = ф, • In

v/o

/'		t
	Се	I.S7 1 1
		1 1
		1
	/	i l
	/	i
	Л	/ н--- н ►
	0,2 0,4

MBJ

Рис. 6.16 Вольт-амперная характеристика Si и Ge /)-/(-переходов

Вентильные свойства перехода тем лучше, чем меньше обрат­ный ток насыщения /₀ (при заданном обратном напряжении), и чем меньше прямое напряжение (при заданном прямом токе). Но эти тре­бования противоречивы (см. (6.32.). Изменение тока /„, какими бы оно не вызывалось, сопровождается изменением прямого напряжения в противоположном направлении. Это хорошо видно при рассмотре­нии Si и Ge р-и-переходов (рис. 6.16).

Характеристические сопротивления идеализированного р-п- перехода. Электронно-дырочный переход, как нелинейный элемент характеризуется дифференциальным сопротивлением и сопротивле­нием переменному току.

Дифференциальное сопротивление определяется из (6.32):

' (II I + I₀ I и для прямой ветви равно примерно 25 Ом.

При увеличении прямого тока сопротивление г_)игр уменьшается,

при увеличении обратного напряжения p^r,_l6p| > Зф,, г_1Ш(р -»

Дифференциальное сопротивление р-н-перехода используется ■ОД* расчетов на малом переменном сигнале. Пусть на р-я-переход по­лется напряжение U(t) = U₌ + u_msmo>t, где U₌- постоянное напряже­
ние, определяющее положение рабочей точки на ВАХ. Тогда полнь^ ток через переход: /(?) = К + i,„(l) -

Постоянный ток определяется из (6.28), а малый перем^ц.

• / ч ^Um(⁽)

ный ток: /,„(t)-^-¹.

F

биф

Для малого низкочастотного сигнала ^-«-переход представ, ляет собой резистор, сопротивление которого зависит от режима, г.? от положения рабочей точки на ВАХ.

I I

Сопротивление постоянному току (статическое) определяете! из (6.32, 6.28):

/

+ 11; К» -—(_г \ (б.34с

v4 j

е* -1

ч

Дата добавления: 2015-11-26