СОДЕРЖАНИЕ
|
|
1 Описание физических процессов в заданной полупроводниковой структуре..
1.1 Основные понятия и уравнения твердотельной электроники ……………….
1.2 Электронно-дырочный переход ……………………………………………......
1.3 Структура металл-полупроводник ………………………………………………
1.4 Структура металл-диэлектрик-полупроводник ………………………………
2 Расчет необходимых характеристик полупроводниковой структуры …………
2.1 Электронно-дырочный переход в кремнии ……………………………………
2.2 Переменный резистор в аттенюаторе ……………………………………………
2.3 Ток насыщения диодов ……………………………………………………………
2.4 Диффузия бора в кремний ………………………………………………………
2.5 Контакт металл-полупроводник …………………………………………………
2.6 Структура металл-диэлектрик-полупроводник ………………………………
3 Краткое описание областей применения заданной полупроводниковой
структуры в микроэлектронике и методов её формирования ……………….....
3.1 Локальная эпитаксия………………………………………………………….
3.2 Основные методы сборки интегральных микросхем………………………
3.3 Методы герметизации ИМС в корпусах различного типа…………………..
3.4 Методы контроля и испытаний интегральных микросхем………………….
3.5 Методы получения монокристаллических подложек……………………….
3.6 Технология изготовления МОП-транзистора с каналом р -типа……………
3.7 Применение метода ионной имплантации в технологии МОП-транзисторов……………………………………………………………………....
ЗАКЛЮЧЕНИЕ ……………………………………………………………………
СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМЫХ ИСТОЧНИКОВ………………………………….
ВВЕДЕНИЕ
Тема данной курсовой работы является актуальной, так как современный научно-технический прогресс неразрывно связан с расширением масштабов применения радиотехнических систем и систем телекоммуникаций. Составной частью этих систем является радиоэлектронная аппаратура, содержащая огромное количество радиокомпонентов. Полупроводниковая электроника интенсивно развивалась уже с начала 30-х годов. Ученые исследовали физические процессы в полупроводниках и влияние примесей на эти процессы. Была разработана квантовая теория полупроводников, введено понятие подвижных свободных мест кристаллической решетки полупроводника, получивших название дырок, создана теория генерации пар «электрон-дырка». В 60-х годах были созданы первые интегральные схемы. Интегральные микросхемы предназначены для реализации подавляющего большинства аппаратурных функций. Их элементы выполнены и объединены внутри или на поверхности общей подложки, электрически соединены между собой и заключены в единый корпус. Все или часть элементов создаются в едином технологическом процессе с использованием групповых методов изготовления. А в конце 70-х годов появились сверхбольшие интегральные схемы (СБИС), содержащие от 104 до 106 элементов на кристалле при размере элементов от 1 до 3 мкм [3].
Развитие радиотехники продолжается и по сегодняшний день, и будет продолжать совершенствоваться в будущем.
Элементы полупроводниковой интегральной микросхемы - диоды, транзисторы, резисторы, конденсаторы - представляют собой совокупность различных полупроводниковых структур.
К таким полупроводниковым структурам относятся: контакты металл-полупроводник, электронно-дырочные переходы, структуры металл-диэлектрик-полупроводник (МДП).
На электрофизических свойствах различных контактов основаны принципы действия подавляющего большинства ИМС.
На границе раздела между двумя различными по типу электропроводности полупроводниками или между полупроводником и металлом возникают потенциальные барьеры, что является следствием перераспределения концентрации подвижных носителей заряда между контактирующими материалами. Электрические свойства граничного слоя зависят как от значения, так и от полярности приложенного внешнего напряжения. Если граничные слои в полупроводниковых структурах обладают нелинейными вольт-амперными характеристиками, т.е. если их электрическое сопротивление при одной полярности напряжения больше, чем при другой, то такие слои называются выпрямляющими переходами.
Процессы, протекающие на поверхности полупроводника, оказывают существенное влияние на электрические параметры элементов интегральных схем. Наличие локальных поверхностных энергетических уровней вызывает образование поверхностного электрического заряда. При этом в приповерхностной области полупроводника появляется равный по значению и противоположный по знаку индуцированный заряд, т. е. появляются обогащенные, обедненные или инверсионные приповерхностные слои. Возникновением инверсионных слоев в значительной степени определяется эффект поверхностной проводимости и образование так называемых каналов.
1.1 Основные понятия и уравнения твердотельной электроники
Температурный потенциал:
где k –постоянная Больцмана (
); Т –абсолютная температура (при температуре Т=300К температурный потенциал имеет значение 
), q - заряд электрона (
).
Закон действующих масс:
где n – концентрация электронов; р –концентрация дырок; ni – концентрация носителей заряда в собственном полупроводнике.
Закон справедлив в случае термодинамического равновесия, как для собственных, так и для примесных полупроводников.
Потенциал, характеризующий уровень Ферми в полупроводнике, равен:
где 
–потенциал, соответствующий середине запрещенной зоны полупроводника; 
и 
– объемные потенциалы.
Таким образом, согласно данным выражениям, в собственных полупроводниках (n=р=ni) уровень Ферми расположен в середине запрещенной зоны, в электронных полупроводниках (n>ni) – в верхней половине, а в дырочных (р>n) – в нижней половине запрещенной зоны.
Уровень Ферми одинаков во всех частях равновесной системы, какой бы разнородной она ни была, т.е. 
.
Закон полного тока в полупроводнике n- типа:
где и dn/dx и dp/dx –градиент концентраций дырок и электронов; µp и µn – подвижности дырок и электронов соответственно; Dn и Dp –коэффициенты диффузии дырок и электронов; 
– напряженность внешнего электрического поля.
Соотношение Эйнштейна, показывающее связь между коэффициентом диффузии и подвижностью носителей зарядов полупроводнике n- и р -типа соответственно:
Время жизни неравновесных носителей заряда τn и τp равно промежутку времени, в течение которого их концентрация уменьшается в е раз.
Диффузионная длина носителей заряда соответствует расстоянию, которое они проходят за время жизни, равна:
где Ln и Lp –диффузионные длины электронов и дырок соответственно.
Уравнение Пуассона, позволяющее определить распределение потенциала в среде:
где –потенциал; x –координата; 
–объемная плотность заряда; 
–диэлектрическая проницаемость среды, для полупроводника 
, где 
–относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника, 
–электрическая постоянная (
) [1].
1.2 Электронно-дырочный переход
(1)
(2)
где 
– электропроводность полупроводников р - и n -типов; Nа и Nd –концентрация акцепторов и доноров соответственно.
Удельное сопротивление материала p -типа:
Отсюда:
(3)
Аналогично концентрация доноров
(4)
При известных значениях Nа и Nd выражение для диффузионного потенциала (контактной разности потенциалов) может быть представлено в виде:
(5)
б) Вольт-амперная характеристика идеального р-n -перехода может быть описана следующим выражением:
(6)
где I0 – ток насыщения; U – приложенное напряжение. Ток насыщения I0 определяется следующим выражением:
(7)
где А – площадь р-n -перехода.
Когда Na >>Nd, обратный ток насыщения определяется соотношением:
(8)
Зависимость тока насыщения от температуры для р-n- перехода, сформированного на кремнии, определяется выражением:
(9)
в) Дифференциальное сопротивление р-n – перехода может быть определено по формуле:
(10)
г) Определение барьерной емкости р-n - перехода. Величина удельной емкости резкого р-n - перехода в общем случае рассчитывается по формуле:
(11)
При этом толщина обедненного слоя (ширина р-n -перехода) определяется выражением:
(12)
(13)
Для линейно-плавных переходов:
(14)
где а – градиент концентрации примесей.
Толщина обедненного слоя в этом случае находится по формуле:
(15)
д) Определение напряжения пробоя Uпр для несимметричного резкого р-п -перехода. Величина максимального значения напряженности электрического поля в р-n -переходе определяется по формуле:
При заданном значении ξm толщина обедненного слоя р-n -перехода может быть найдена W=Wn+Wp, где
Отсюда толщина обедненного слоя р-n -перехода равна:
(17)
Напряжение пробоя для резкого несимметричного перехода можно найти по формуле:
(18)
1.3 Структура металл-полупроводник
а) Скорость дрейфа носителей заряда в обедненной области полупроводника можно найти по формуле:
(19)
где ξ0 максимальное значение напряженности электрического поля в полупроводнике в области барьера Шоттки.
б) Высота барьера Шоттки:
- для структуры металл-кремний n- типа проводимости:
(20)
- для структуры металл-кремний р- типа проводимости:
(21)
в) Максимальное значение напряженности электрического поля в полупроводнике рассчитывается по формуле:
(22)
при условии U = 0, где W – толщина обедненного слоя полупроводника, U – напряжение смещения, т.е. 
.
(23)
где N - концентрация основных носителей заряда в полупроводнике.
Если υD>> υR то справедлива теория термоэлектронной эмиссии.
В том случае, когда υD<<υR определяющим является процесс диффузии.
г) Барьерная емкость контакта металл-полупроводник определяется по формуле:
(24)
где А - площадь контакта металл-полупроводник.
1.4 Структура металл-диэлектрик-полупроводник
а) Структуру металл-диэлектрик-полупроводник можно рассматривать как конденсатор. Общую дифференциальную емкость МДП-структуры можно представить как последовательное соединение емкости диэлектрика и переменной емкости пространственного заряда у поверхности полупроводника:
(25)
б) Емкость пространственного заряда Сп зависит от величины поверхностного потенциала φs и плотности заряда Qx. Для идеальной МДП-структуры, не учитывающей наличие поверхностных состояний и, предполагающей, что сопротивление диэлектрика является бесконечным, заряд можно выразить формулой:
(26)
где 
– дебаевская длина, N – концентрация основных носителей заряда в полупроводнике.
в) Зависимость между φs и U:
(27)
где UD –падение напряжения на диэлектрике; Unз – напряжение плоских зон.
Падение напряжения на диэлектрике определяется выражением:
(28)
Напряжение плоских зон определится выражением:
(29)
г) Максимальная толщина обедненного слоя в приповерхностной области МДП-структуры в режиме сильной инверсии определяется выражением:
(30)
где N=Na или Nd в зависимости от типа проводимости полупроводника:
(31)
Для МДП-транзисторов с изолированным затвором важной величиной является напряжение включения или пороговое напряжение Uпop, при котором начинается сильная инверсия:
(32)
В выражениях (31), (32) 
– объемный потенциал.
Дифференциальная емкость идеальной МДП-структуры:
(33)
где d – толщина диэлектрического слоя; εD – относительная диэлектрическая проницаемость диэлектрика [1].
2 Расчет необходимых характеристик полупроводниковой структуры
Электронно-дырочный переход сформирован в кремнии таким образом, что удельные сопротивления электронной и дырочной областей составляют величины ρni и ρpi соответственно.
Исходные данные:
Удельные сопротивления электронной области 
;
Удельные сопротивления дырочной области 
;
Прямое напряжение 
;
Температура 
;
Коэффициент диффузии для электронов кремния 
;
Коэффициент диффузии для дырок кремния 
;
Собственная концентрация носителей заряда 
;
Ширина запрещенной зоны 
.
Определить:
1) Величину контактной разности потенциалов при комнатной температуре;
2) Рассчитать и построить энергетическую диаграмму р-n -перехода в равновесном состоянии, а также при заданном значении величины прямого напряжения U, В;
3) Рассчитать и построить теоретическую вольт-амперную характеристику (рассматривается движение всех носителей заряда через р-n -переход);
4) Вычислить величину дифференциального сопротивления р-n -перехода при U; Т.
1) Для определения контактной разности потенциалов по формуле (5) необходимо найти концентрации электронов и дырок по формулам (3) и (4). Для этого сначала находим подвижности электронов и дырок из соотношения Эйнштейна и температурный потенциал:
2) Энергетическая диаграмма р-n-перехода в равновесном состоянии представлена на рисунке 1,а, а энергетическая диаграмма р-n-перехода при заданном значении величины прямого напряжения 
– на рисунке 1,б [2].
Для состояния равновесия величина искривления границ зон:
При наличии прямого напряжения:
Ec |
EF |
EV |
|
|
EF |
Ec |
EV |
|
|
а) б)
Рисунок 1– Энергетическая диаграмма р-n -перехода
(а – в равновесном состоянии; б – при наличии прямого напряжения)
3) Вольт-амперная характеристика идеального р-n -перехода может быть описана выражением (6). Для этого рассчитаем сначала ток насыщения по (9):
Таблица 1 – Таблица вольт-амперной характеристики р-n -перехода
U, B | I, A |
-1 |
|
-0,5 |
|
-0,1 |
|
0,1 |
|
0,5 |
|
| |
|
Рисунок 2 – Вольт-амперная характеристика р-n- перехода
4) Величину дифференциального сопротивления р-n- перехода можно рассчитать по формуле (10):
2.2 Переменный резистор в аттенюаторе
p-n- переход используется в качестве переменного резистора в аттенюаторе, схема которого показана на рисунке 3.
Рисунок 3 – Аттенюатор.
Исходные данные:
Сопротивление 
;
Ток 
;
Концентрация носителей 
;
Обратное напряжение смещения 
.
1)
2) Вычислите и постройте зависимость ослабления сигнала по напряжению в децибелах [20 lg(Uвых/Uвх)] от величины тока I. Ток насыщения можно взять равным I0 = 1мкА.
3) Вычислите емкость и толщину обедненного слоя при обратном напряжении смещения U обр, если изменение плотности заряда по обе стороны резкого p-n-перехода представляет собой ступенчатую функцию, т. е. Na>Nd.
Принять εs=16, А=10-6 м2.
Решение:
1) Дифференциальное сопротивление диода как функция Ii изменяется в пределах:
2) Зависимость ослабления сигнала по напряжению от величины тока I рассмотрим в виде таблицы 2 и графика (рисунок.4).
Таблица 2 – Зависимость ослабления сигнала по напряжению от тока
I,мА | 0,50 | 1,0 | 1,50 | 2,0 | 2,50 | 3,0 | 3,50 | 4,0 | 4,50 | 5,0 |
20lg(Uвых/Uвх) | 3,9 | 9,9 | 13,4 | 15,9 | 17,8 | 19,4 | 20,8 | 21,9 | 22,9 | 23,9 |
I, мА |
Рисунок 4 – График зависимости ослабления сигнала
по напряжению от величины тока
3) Находим величину барьерной емкости по формуле (11), а толщину обедненного слоя по формуле (12). Для начала найдем φ0 по формуле (5):
По формуле (13):
EF |
Ec |
EV |
|
|
|
Рисунок 5 – Энергетическая диаграмма р-n- перехода
при наличии обратного напряжения.
2.3 Ток насыщения диодов
Исходные данные:
Величина максимального электрического поля в переходе 
;
Разность температур 
;
Концентрация носителей .
1) Определить во сколько раз увеличивается обратный ток насыщения р-n-перехода, если температура увеличивается:
- от 
до 
для германиевого диода;
- от 
до 
для кремниевого диода.
p-n-переход изготовлен из легированного германия с концентрацией акцепторной и донорной примесей соответственно Na и Nd.
2) Определите толщину обедненного слоя, если при обратном смещении величина максимального электрического поля в переходе равна ξm.
3) Рассчитать и построить энергетическую диаграмму р-n-перехода в равновесном состоянии, а также при напряжении, соответствующем величине ξm.
1) Используя формулу (9) составим отношение токов:
Для германиевого диода
Для кремниевого диода
Следовательно, обратный ток насыщения р-n- перехода увеличивается в 2,66 и 1,36 раза для германиевого и кремниевого диода соответственно.
2) Толщину обедненного слоя находим с помощью формулы (17):
3) Энергетическая диаграмма р-n - перехода в равновесном состоянии совпадает с энергетической диаграммой из задачи №1 (рисунок 1.а), при этом:
Для состояния равновесия величина искривления границ зон:
EF |
Ec |
EV |
|
|
|
Рисунок 6 – Энергетическая диаграмма
р-n- перехода в состоянии равновесия
p-n- переход формируется путем диффузии бора в кремний n–типа.
Исходные данные:
Удельное сопротивление 
;
Концентрация бора на поверхности равна 
;
Известно, что на глубине 
от поверхности концентрация бора уменьшается в е раз;
Площадь поперечного сечения р-n- перехода 
;
Обратное смещение 
;
Прямое напряжение 
;
Величина максимального электрического поля переход 
.
Определить:
1) Концентрацию основных и неосновных носителей заряда;
2) Ширину р-n- перехода;
3) Барьерную емкость р-n- перехода;
4) Ток диода при прямом напряжении Uпр, В;
5) Напряжение пробоя, предполагая, что он наступает при напряженности поля ξm, В/м;
Решение:
1) Концентрация основных носителей заряда (в данном случае электронов) рассчитывается по формуле (4):
Концентрацию дырок находим по формуле (3):
2) Так как по формуле (18):
Следовательно, ширину р-n- перехода находим по формуле:
3) Барьерную емкость р-n- перехода находим по формуле (14):
4) Ток диода при прямом напряжении находим по формуле (6), где ток насыщения найден в задании №1.
А
5) Напряжение пробоя находим по формуле (18):
4) Энергетическая диаграмма р-n- перехода при наличии обратного напряжения:
|
|
|
EF |
EV |
Ec |
Рисунок 7–Энергетическая диаграмма р-n- перехода
при наличии обратного напряжения
2.5 Контакт металл-полупроводник
Контакт металл-полупроводник. Рассчитать и построить ВАХ контакта металл-полупроводник на основе кремния с концентрацией примеси, равной N, при заданной температуре Т.
Исходные данные:
Температура 
;
Концентрация примеси 
;
Работа выхода электронов из металла(W) 
;
Напряжение смещения 
.
.
При этом необходимо определить:
1) Контактную разность потенциалов и высоту барьера Шоттки;
2) Толщину обедненного слоя полупроводника W в равновесном состоянии;
3) Величину диффузионной и дрейфовой составляющей скорости электронов при протекании тока через контакт металл-полупроводник, на основе чего выбрать выражение для расчета ВАХ;
5) Оценить вероятность туннелирования электронов с энергией Е, сквозь барьер при заданном прямом напряжении смещения Uсм. Площадь контакта металл-полупроводник считать 
.
Решение:
1) Контактная разность потенциалов найдена в задании №2: 
. Высоту барьера Шоттки находим по формуле (20):
2) Толщину обедненного слоя полупроводника находим по формуле (23):
3) Дрейфовую составляющую скорости электронов найдем по формуле: 
, где Е находится из следующего соотношения:
Коэффициенты диффузии найдем по формулам:
, где 
– диффузионная составляющая тока, а 
– дрейфовая составляющая.
4) Барьерную емкость контакта металл-полупроводник при обратном напряжении смещения находим по формуле (24):
5) Туннельный пробой возникает, когда напряженность электрического поля в обедненном слое возрастает настолько (
), что появляется туннельный эффект – переход электронов сквозь потенциальный барьер без изменения энергии. Туннельный эффект наблюдается в узких переходах (порядка 
), то есть в переходах с довольно высокой концентрацией примеси (более 
) [2]. В данном случае вероятность туннелирования очень высокая, так как переход очень узкий 
и высокая концентрация примеси .
Рассчитаем некоторые данные, необходимые для построения энергетической диаграммы контакта металл-полупроводник, представленной на рисунке 8.
|
|
|
Рисунок 8 – Энергетическая диаграмма контакта металл-полупроводник
2.6 Структура металл-диэлектрик-полупроводник
Структура металл-диэлектрик-полупроводник.
Исходные данные:
Тип затвора p +;
Толщина окисла 
;
Температура 
;
Концентрации примесей 
.
1) В МДП-транзисторе с кремниевым затвором рассчитать и построить зависимость порогового напряжения как функции концентрации доноров Nd в подложке из кремния p -типа проводимости. Диэлектрик – SiO2. Считать МДП-структуру идеальной.
2) Основываясь на данных расчета, построить энергетическую диаграмму
МДП-структуры в режиме сильной инверсии при Ndi, см-3.
3) Рассчитать величину дифференциальной емкости МДП-структуры в данном транзисторе в режимах сильной инверсии и обогащения.
1) Рассчитать зависимость порогового напряжения как функции концентрации доноров N d можно по формуле (32). Для этого сначала найдем разность работ выхода электрона из металла и полупроводника jМП :
Напряжение плоских зон определим по формуле (29):
Зависимость порогового напряжения как функции концентрации доноров Nd покажем с помощью таблицы 3 и графика (рисунок 9).
Рисунок 9 –Зависимость порогового напряжения от концентрации доноров
Таблица 3 –Зависимость порогового напряжения от концентрации доноров
Nd,см-3 | 1013 | 1014 | 1015 | 1016 | 1017 |
Uпор, В | 190,55 | 194,98 | 208,99 | 253,3 | 393,42 |
2)
4,3 эВ |
EF |
Ec |
EV |
1,124 эВ |
0,8 эВ |
П |
60 нм |
Д |
|
М |
EF |
EF |
4,1 эВ |
М |
Д |
Рисунок 10 – Энергетическая диаграмма
МДП-структуры в режиме сильной инверсии
3) Величину дифференциальной емкости МДП-структуры можно рассчитать по формуле (33). Для этого посчитаем максимальную толщину обедненного слоя в приповерхностной области МДП-структуры по формуле (30):
3 Краткое описание областей применения заданной полупроводниковой структуры в микроэлектронике и методов ее формирования
Микроэлектроника – современное направление электроники, включающее исследование, конструирование и производство ИМС и РЭА на их основе.
Различные полупроводниковые структуры (р-n- переход, контакт металл-полупроводник, МДП) составляют основу полупроводниковых интегральных микросхем. Такие ИМС представляют собой функциональные устройства, изготовленные в кристалле полупроводника и содержащие соединенные между собой активные и пассивные элементы (транзисторы, диоды, резисторы и конденсаторы). Для изготовления полупроводниковых ИМС используются такие технологические процессы, как окисление полупроводника, диффузия, ионное внедрение примесей в полупроводник, эпитаксиальное наращивание, вакуумное напыление и др. [1].
Наиболее подробно рассмотрим следующие вопросы: локальная эпитаксия,
основные методы сборки интегральных микросхем, методы герметизации ИМС в корпусах различного типа, методы контроля и испытаний интегральных микросхем, методы получения монокристаллических подложек, технология изготовления МОП-транзистора с каналом р -типа, применение метода ионной имплантации в технологии МОП-транзисторов.
3.1 Локальная эпитаксия
Локальная эпитаксия – процесс наращивания монокристаллических слоев на монокристаллических подложках.
Методы эпитаксии:
1) Эпитаксиальные слои наращивают термовакуумным напылением в условиях сверхвысокого вакуума при давлении 1,33(10-7-10-8) Па. От испарителей пар вещества распространяется прямолинейно, так как столкновение атомов отсутствует. Испарение ведут из тиглей, которые нагревают лазерным лучом или прямым пропусканием электронного потока;
2)
3.2 Основные методы сборки интегральных микросхем
Сборка компонентов состоит в подаче их к месту установки, ориентации выводов относительно монтажных отверстий или контактных площадок, сопряжение со сборочными элементами и фиксация в требуемом положении.
Ручная сборка применяется, где в год выпускается 15-20тысяч схем партиями по 100 штук. На ручную сборку компоненты целесообразно подавать формованными и уложенными технологической кассетой по номиналу. Достоинством является возможность постоянного визуального контроля.
При механизированной сборке применяют монтажный стол (пантограф), на котором укрепляют несколько схем и магазин с компонентами.
На автоматических станках ЭРЭ устанавливаются в определенную позицию с высокой прочностью и скоростью. Такая сборка применяется в массовом и крупносерийном производстве [4].
3.3 Методы герметизации ИМС в корпусах различного типа
Корпусная герметизация элементов, содержащих интегральные схемы, и полупроводниковые элементы применяет следующие методы сварки: электроконтактная, электролучевая, лазерная и холодная. При этом стремятся исключить воздействие нагрева на ЭРЭ (кристаллы, переходы) и достигают малой длительности сварки.
Заливка – это процесс заполнения лаками или компаундами свободного пространства между изделием и специальной съемной формой, которую отделяют от изделия.
Капсулирование применяется для герметизации бескорпусных компонентов РЭА [4].
Испытание – неотъемлемая часть ТП изготовления РПУ. По их результатам судят об эксплуатационной надежности изделия.
Изделия, изготавливаемые серийно, подвергаются следующим видам испытаний:
1. Приемосдаточные испытания. Им подвергаются при приеме готовых изделий на соответствие требованиям ТУ, установленному образцу и КД.
2. Периодические испытания. Их проводят периодически в квартал, полугодие, год. Они выполняются для изделий, которые находятся на хранении и подтверждают качество изделий.
3. Типовые испытания – это испытания, проводимые после внесения изменения в конструкцию или технологию изготовления.
4. Специальные испытания – это испытания на надежность, воздействие солнечной радиации и радиоактивных излучений.
Методы контроля микросхем:
1. Визуальный контроль заключается в наружном осмотре;
2. Геометрический контроль сводится к определению геометрических размеров изделий;
3. Специальный контроль – контроль в соответствии с разработанной программой;
4. Электрический контроль состоит из замеров токов, напряжений и параметров в соответствии с ТУ;
5. Механический контроль осуществляют путем приложения статических и динамических нагрузок с целью проверки прочности соединений, креплений, а так же для контроля качества материала [4].
3.5 Методы получения монокристаллических подложек
Наиболее распространенный способ получения монокристаллов полупровод-
Для выращивания монокристаллов полупроводниковых материалов также широко используют методы направленной и зонной кристаллизации расплава в контейнере. В случае разлагающихся соединений для получения монокристаллов требуемого стехиометрического состава процесс проводят в запаянных кварцевых ампулах, поддерживая равновесное давление паров летучего компонента над расплавом; часто для этого требуются камеры высокого давления, в которых поддерживается противодавление инертного газа. При получении монокристаллов необходимой кристаллографической ориентации используют ориентированные соответствующим образом монокристаллические затравки.
Для выращивания монокристаллов полупроводниковых материалов, обладающих подходящим сочетанием плотности и поверхностного натяжения
расплава, используют метод бестигельной зонной плавки. Наибольшее распространение этот метод получил в технологии получения монокристаллов Si, имеющего сравнительно невысокую плотность и достаточно большое поверхностное натяжение расплава. Отсутствие контакта расплава со стенками контейнера позволяет получать этим методом наиболее чистые монокристаллы. Обычно процесс выращивания монокристалла совмещают с предварительной дополнительной очисткой полупроводниковых материалов зонной плавкой.
Для получения монокристаллов ряда тугоплавких разлагающихся полупро
реакций). В случае если при выращивании монокристаллов не удается получить соединение требуемого стехиометрического состава, кристаллы разрезают на пластины, которые подвергают дополнительному отжигу в парах недостающего компонента. Наиболее часто этот прием используют в технологии получения монокристаллов узкозонных соединений типа AIIBVI и AIVBVI, где собственные точечные дефекты сильно влияют на концентрацию и подвижность носителей тока, то есть проявляют высокую электрическую активность (PbTe). При этом удается снизить концентрацию носителей заряда в кристаллах на несколько порядков. Для выращивания профилированных монокристаллов полупроводниковые материалы (ленты, прутки, трубы и т. д.) используют метод Степанова.
Широко распространено получение полупроводниковых материалов в виде монокристаллических пленок на разного рода монокристаллических подложках. Такие пленки называют эпитаксиальными, а процессы их получения — эпитаксиальным наращиванием. Если эпитаксиальная пленка наращивается на подложку того же вещества, то получаемые структуры называют гомоэпитаксиальными; при наращивании на подложку из другого материала — гетероэпитаксиальными. Возможности получения тонких и сверхтонких однослойных и многослойных структур разнообразной геометрии с широкой вариацией состава и электрофизических свойств по толщине и поверхности наращиваемого слоя, с резкими границами
р-n-переходов и гетеропереходов обусловливают широкое использование методов эпитаксиального наращивания в микроэлектронике и интегральной оптике, в практике создания больших и быстродействующих интегральных схем, а также оптоэлектронных приборов.
Для получения эпитаксиальных структур полупроводниковых материалов используют методы жидкостной, газофазной и молекулярно-пучковой эпитаксии. Методом жидкостной эпитаксии получают гомо- и гетероэпитаксиальные структуры на основе соединений типа AIIIBV, AIIBVI, AIVBVI и их твёрдых расплавов. В качестве растворителя обычно используют расплав нелетучего компонента соответ
режиме программируемого снижения температуры, либо из предварительно переохлажденного расплава. Этим методом можно воспроизводимо получать многослойные структуры с толщинами отдельных слоев до ~ 0,1 мкм при толщинах переходных слоев на гетерограницах порядка десятков нм.
3.6 Технология изготовления МОП-транзистора с каналом р -типа
Базовая структура МОП-транзистора, предложенная еще в 1960 году, остается практически неизменной и по сей день. На гладкой поверхности подложки из полупроводника кремния (Si) формируется тонкий слой оксида кремния (SiO2), на который осаждается металл (или другой хорошо проводящий ток материал). Такая трехслойная структура и дала название транзистору – металл-оксид-полупроводник (МОП). И она не сильно отличается от той, которая присутствует в современных микросхемах. Сначала в тонком поверхностном слое подложки из монокристалла кремния формируются две неперекрывающиеся области с повышенной электропроводностью (малым сопротивлением электрическому току) – так называемые исток и сток. Промежуток между ними называется каналом, и это – наиболее важная часть транзистора, поскольку именно через нее протекает рабочий ток транзистора. Сверху на канал наносится тончайший слой оксида кремния (или другого диэлектрика), при этом области стока и истока оставляются открытыми. На заключительном этапе на оксид напыляется хорошо проводящий металл,
который называется затвором (а оксид под ним - соответственно подзатворным диэлектриком).
3.7 Применение метода ионной имплантации в технологии МОП-транзисторов
Ионная имплантация — способ введения атомов примесей в поверхностный
пучком ионов c высокой энергией (10—2000 КэВ).
Высокая степень отработанности технологических процессов ионной имплантации позволяет существенно улучшить параметры полупроводниковых
приборов, их воспроизводимость, выход годных и снизить стоимость выпускаемых изделий, а также создать новые типы приборов, получение которых затруднено или невозможно без применения ионной имплантации. Наиболее широко используют имплантацию для введения легирующих примесей. Применение имплантации в диапазонах энергий 30—300 кэВ позволяет создать различные типы дискретных полупроводниковых приборов и ИМС: биполярные транзисторы и ИМС, СВЧ-транзисторы, полевые МОП-транзисторы, лавинно-пролетные диоды, варикапы со сверхрезкой зависимостью емкости от напряжения, фотоприемники и др. Дальнейшие перспективы развития приборов и ИМС связаны с субмикронной технологией формирования структур с размерами элементов менее 1 мкм на базе электронной и рентгеновской литографии, которая также невозможна без использования ионной имплантации. Рассмотрим основные направления использования ионной имплантации в полупроводниково
Дата добавления: 2015-11-04; просмотров: 33 | Нарушение авторских прав
| <== предыдущая лекция | | | следующая лекция ==> |
| Вариант №2 судно «Жаде» second-hand направление Б, период | | | Курсовая работа на тему Переходные процессы в линейных электрических цепях выполнен студентом группы СРБ-31 Дологвым Максимом Олеговичем под руководством Пудовкина Анатолия Петровича в |
