Инерционность транзистора, обусловленная процессами накопления и рекомбинации заряда в базе при коммутации ключа, называется внутренней, а инерционность транзистора, вызванная наличием барьерных

Инерционность транзистора, обусловленная процессами накопления и рекомбинации заряда в базе при коммутации ключа, называется внутренней, а инерционность транзистора, вызванная наличием барьерных емкостей переходов, называется внешней.
Схемы ключей с повышенным быстродействием.
Как следует из рассмотренного выше, быстродействие ключа можно увеличить, переключив его током базы, временная диаграмма которого представляет на рис. 5,а. В момент t1 для ускорения процесса ключ включается большим током I_Б1, затем в момент времени t2 ток уменьшается до значения I'_Б1, т. е. транзистор выводится на границу режима насыщения для уменьшения длительности рассасывания. В момент t3 транзистор запирается большим базовым током I_Б2.

Ключ с форсирующей (ускоряющей) емкостью. Форму тока, близкую к оптимальной, можно получить, шунтировав резистор R конденсатором (рис. 5,б). При появлении входного напряжения в момент t1 транзистор начинает открываться. Базовый ток транзистора в первый момент замыкается через конденсатор, так как последний представляет собой малое сопротивление, близкое к короткому замыканию для скачка тока. Вследствие этого в момент t1 базовый ток имеет большое значение:

I_Б1 =(U_вх - U_бэ) / R_u,

где R_u - внутреннее сопротивление источника сигнала (например, выходное сопротивление предыдущего ключа);

обычно R_u >> R.

Рисунок 1

Этот ток быстро заряжает барьерные емкости и накапливает заряд в базе транзистора. Благодаря большому току уменьшаются длительности задержки и фронта. По мере заряда конденсатора ток базы уменьшается до значения I'_Б1 = U_вх / R,

определяемого сопротивлением R, которое выбирается из условия насыщения. Благодаря этому к моменту окончания входного импульса в базе накапливается сравнительно небольшой избыточный заряд.
В момент t3 окончания входного сигнала конденсатор С разряжается через базу транзистора, создавая большой запирающий ток базы

I_Б2 = U_c / R_u.
Этот ток ускоряет процессы рассасывания и выключения транзистора.
Емкость С не должна быть слишком малой, иначе длительность всплесков токов будет меньше, чем длительность процессов переключения, которую они уменьшают. При этом процесс переключения будет протекать в основном при сравнительно малых токах базы, т. е. не будет ускоряться.
Нельзя выбирать ускоряющий конденсатор и слишком большой емкости, поскольку в этом случае: во-первых, ток базы не успеет уменьшиться до уровня I_Б2 к концу входного импульса и в базе накопится весьма большой избыточный заряд; во-вторых, конденсатор не будет успевать заряжаться до уровня входного импульса к моменту его окончания, процессы рассасывания и включения будут протекать медленнее.

Министерство образования и науки Самарской области

ГБОУ СПО Самарский приборостроительный техникум

Дневное отделение

Специальность 200108

Радиоэлектронные приборные устройства

Реферат по дисциплине импульсной технике

на тему:

ключи с форсирующей емкостью

Выполнила: студент гр. Р-41 Пахомов А.В.

Руководитель: Шаталин С.В.

Самара

2013 г.

Список литературы

1. РГР по информационно-измерительной технике 10вариант

(http://gendocs.ru/v11582/%D1%80%D0%B3%D1%80_%D0%BF%D0%BE_%D0%B8%D0%BD%D1%84%D0%BE%D1%80%D0%BC%D0%B0%D1%86%D0%B8%D0%BE%D0%BD%D0%BD%D0%BE-%D0%B8%D0%B7%D0%BC%D0%B5%D1%80%D0%B8%D1%82%D0%B5%D0%BB%D1%8C%D0%BD%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D0%B5%D1%85%D0%BD%D0%B8%D0%BA%D0%B5_10_%D0%B2%D0%B0%D1%80%D0%B8%D0%B0%D0%BD%D1%82)

Дата добавления: 2015-10-21