204ЛИ1—гибридная ИМС серии 204, порядковый номер разработки 4, логический элемент ЭВМ И, порядковый номер разработки логического элемента в данной серии 1.
До введения действующего в настоящее время ГОСТ интегральным микросхемам присваивались старые буквенно-цифровые условные обозначения типов, некоторые из которых сохранились до сих пор. Старые обозначения отличаются от новых тем, что порядковый номер разработки серии стоит не до буквенных обозначений подгруппы и вида, а после них, т. е. второй и третий элемент меняются местами. Кроме того, могут отличаться и буквенные обозначения подгрупп и видов. Например, операционный усилитель К140УД1 обозначался раньше К1УТ401, усилитель низкой частоты К122УН1В обозначался как К1УС221В, где буквы УС означали: усилитель синусоидальных колебаний.
В кинотехнике интегральные микросхемы применяются в транзисторной звуковоспроизводящей аппаратуре киноустановок для усиления электрических колебаний звуковой частоты. В усилителях большой мощности интегральные микросхемы еще не нашли применения; их используют для предварительного усиления сигнала, а также в качестве контрольных усилителей в аппаратных кинотеатров.
Контрольные вопросы
1. Какие ИМС называют аналоговыми и для чего их применяют?
2. Какие ИМС называют цифровыми (логическими) и i.u- они находят применение?
3. Что представляют собой БИС и микропроцессоры и где их используют?
4. Объясните систему обозначения ИМС.
ФУНКЦИОНАЛЬНАЯ МИКРОЭЛЕКТРОНИКА
5.5.1. Общие сведения о функциональной микроэлектронике
Одним из современных направлений микроэлектроники наряду с интегральными микросхемами является функциональная микроэлектроника. В интегральной микроэлектронике проектирование, разработка и изготовление микросхем осуществляются на основе электрических схем. При этом в одном кристалле формируются области, каждая из которых эквивалентна определенной радиодетали. Усложнение интегральной микросхемы приводит к необходимости увеличивать количество элементов и уменьшать их размеры, что не беспредельно. При большом количестве очень малых элементов возрастают паразитные связи между ними и вредные взаимовлияния, которые трудно устранить.
В функциональной микроэлектронике приборы строят на основе преобразования энергии с использованием различных физических явлений в твердом теле, например фотоэлектрических, электронно-оптических, выделения тепла при прохождении электрического тока и, наоборот, возникновения э. д. с. при нагреве. Поэтому при создании функциональных микросхем не воспроизводят все элементы электрической схемы в соответствующих участках твердого тела, а создают области с определенными свойствами, необходимыми для выполнения данной функции.
В качестве примера рассмотрим простейший функциональный блок, который выполняет функцию преобразования переменного тока в постоянный (рис. 5.12, а). Для сравнения на рис. 5.12, б приведена простейшая электрическая схема, которая при реализации с помощью электрорадиоэлементов выполняет ту же функцию выпрямителя. Рассматриваемый функциональный блок состоит из трех областей: 1 — область, обладающая активным сопротивлением и выделяющая тепло при прохождении через нее электрического тока любого рода; 2 — область, являющаяся электрическим изолятором, но проводящая тепло; 3 — термоэлектрическая область, которая под воздействием теплового потока вырабатывает э. д. с. постоянного тока. К области 1 подводится переменное напряжение, и под действием электрического тока выделяется тепло. Тепловой поток проходит из области / через теплопроводящую область 2 в термоэлектрическую область 3, которая при этом генерирует постоянный ток.
Другим примером является пьезоэлектрический кристалл, генерирующий колебания подобно резонансному контуру, содержащему катушку индуктивности, конденсатор и резистор.
По сравнению с электрической схемой количество элементов или компонентов в функциональной микросхеме гораздо меньше, а следовательно, появляется возможность значительно уменьшить размеры и стоимость устройств, а главное, резко повысить надежность схемы и устройства в целом.
Однако функциональные микросхемы не универсальны. Это специфические схемы, имеющие свои преимущества и недостатки. В основном они используются для управления электрическими сигналами, однако могут найти применение и в случаях, когда
Рис. 5.12. Функциональный блок для выпрямления переменного тока (а) и аналогичная по функции электрическая схема (б) |
входными или выходными величинами являются тепло, электромагнитное излучение, механическое смещение и т. п. В качестве материала, на базе которого создаются функциональные микросхемы, могут использоваться как полупроводники, так и сверхпроводники, диэлектрики, фотопроводящие материалы и другие.
5.5.2. Направления функциональной микроэлектроники
Оптоэлектроника основана на использовании различных оптических явлений, т. е. свойств твердых тел, вызванных световым потоком. Световой поток электрически нейтрален, не создает электрических контактов и гальванических связей, обладает односторонней направленностью и очень высокой несущей частотой, позволяет пропускать много каналов обработки информации.
Акустоэлектроника основана на явлениях, возникающих при взаимодействии потока электронов с акустическими волнами в твердом теле. На этой основе можно осуществлять генерацию и усиление акустических волн с помощью потока электронов, скорость которых значительно превышает звуковую. В акустоэлек- тронике используются механические резонансные эффекты, пьезоэлектрический эффект и др. Акустоэлектроника занимается преобразованием электрических сигналов в акустические и акустических в электрические.
Прибор, основанный на электромеханическом резонансе, называют резонистором. Он представляет собой полевой транзистор с затвором, часть которого нависает над каналом. Сигнал подается на электрод, расположенный на изоляторе под нависающим концом затвора, а на затвор подается постоянное смещение. При совпадении частоты сигнала с частотой резонанса свободного конца затвора последний вибрирует под действием электрического поля между затвором и сигнальным электродом. Механические колебания, генерируемые при этом, могут иметь частоту от 1 кГц до 1 МГц.
На пьезоэлектрическом эффекте, который заключается в изменении размеров образца материала под действием электрического поля, основана работа кварцевых генераторов и фильтров, а также ультразвуковых линий задержки. Пьезоэлектрические преобразователи возбуждают с помощью электрических сигналов акустические волны и осуществляют обратное преобразование акустических волн в электрический сигнал.
Магнитоэлектроника основана на использовании свойств слабых ферромагнетиков и магнитных полупроводников, которые имеют малую намагниченность насыщения и позволяют управлять движением намагниченных микроминиатюрных областей в трех измерениях. Используется для хранения, обработки и перемещения больших объемов информации, причем для хранения информации не требуется питания, а при ее перемещении выделяется очень небольшая мощность рассеяния.
Квантовая микроэлектроника основана на явлениях, которые возникают при изменении структуры тел на молекулярном уровне при их конденсации. Это сопровождается изменением оптических, электрических и магнитных свойств твердых тел и жидких кристаллов при высокой чувствительности к внешним воздействиям, что используют для управления и преобразования потоков информации в различных функциональных устройствах.
Биоэлектроника, одно из направлений бионики, использует явления живой природы на молекулярном уровне. Она исследует принципы хранения и обработки информации в живых организмах для создания сверхсложных систем обработки информации, подобных по своим функциональным возможностям человеческому мозгу. Биоэлектроника изучает нервную систему животных и человека для совершенствования микроэлектронных устройств и разработки для них новых элементов. Использование явлений живой природы в микроэлектронике — это перспективное направление, которое таит в себе огромные возможности.
Диэлектрическая электроника использует свойства тонких пленок диэлектриков, возникающие при контакте их с тонкими пленками металла. При этом из металла в диэлектрик эмитти- руются электроны, которыми обогащается приконтактный слой диэлектрика. Они распространяются во всем объеме тонкой диэлектрической пленки благодаря очень малой ее толщине и определяют проводящие свойства диэлектрической пленки. Если между двумя пленочными металлическими электродами с разными значениями работы выхода расположить тонкую пленку диэлектрика толщиной в единицы микрометра, то электроны будут переходить из металла с меньшей работой выхода в диэлектрик, заполнять всю его толщину и под действием приложенного внешнего напряжения создавать ток в диэлектрике. На этом основан принцип действия диэлектрических диодов и транзисторов, характеристики которых аналогичны соответствующим характеристикам электровакуумных диодов и триодов.
Хемотроника (ионика) изучает физико-химические и электрохимические процессы, протекающие в жидкостях. В электрохимических приборах жидкость служит электролитом, используются ионные процессы. На основе электрохимических явлений созданы приборы, выполняющие функции выпрямителей, усилителей и ряда других преобразователей сигнала, а также управляемые сопротивления и запоминающие устройства.
Управляемое сопротивление выполняет функции переменного резистора, не имеющего движущихся контактов. Управляемое сопротивление представляет собой резистивный электрод из инертного металла, например платины, от концов которого сделаны два вывода. Между этими выводами электрод имеет определенное омическое сопротивление. Управление его величиной осуществляется с помощью второго электрода из меди, имеющего свой вывод. Оба электрода помещены в герметический корпус, пространство между ними заполнено электролитом, содержащим соединения меди. При подаче постоянного напряжения, когда резистивный электрод является катодом, а управляющий — анодом, происходит электролиз, в результате которого медь из электролита осаждается на резистивном электроде, уменьшая его сопротивление, а управляющий электрод частично растворяется в электролите. Если изменить полярность управляющего напряжения, то слой меди на резистивном электроде (аноде) начнет растворяться, а на управляющем (катоде) осаждаться. В результате этого сечение резистивного электрода уменьшится, а его сопротивление возрастет. После прекращения подачи управляющего сигнала сопротивление остается неизменным, таким, как оно было в момент выключения сигнала, т. е. «запоминается» прибором надолго.
Созданы также электрохимические твердотельные приборы, называемые ионисторами. Они имеют большую емкость (более 50 Ф), долго сохраняют заряд и могут быть использованы в качестве низковольтного источника питания в микроэлектронной аппаратуре, а также в качестве запоминающего устройства.
Функциональные микросхемы могут быть основаны и на других явлениях и физических процессах в твердом теле.
Одной из важных самостоятельных областей функциональной микроэлектроники является оптоэлектроника. В оптоэлектронных устройствах осуществляется преобразование электрических сигналов в оптические и наоборот; световой луч при этом выполняет такие же функции управления, преобразования и связи, как электрический сигнал в электрических цепях. Преимущества оптоэлектронных устройств объясняются тем, что их элементы связаны оптически, но изолированы друг от друга электрически. В то время как электроны являются заряженными частицами и взаимодействуют с электрическими и магнитными полями, частицы светового луча — фотоны — электрически нейтральны, не взаимодействуют друг с другом, не смешиваются и не рассеиваются. При этом исключаются паразитные связи между выходом и входом, легко согласовать высокоомные и низкоомные цепи, а также высокочастотные и низкочастотные, высоковольтные и низковольтные цепи, получить идеальную изоляцию.
Недостатком оптических систем является то, что оптический сигнал нельзя использовать для непосредственного преобразования его в механическую энергию, чтобы привести в движение реле, двигатели и другие механизмы. Для осуществления различных функций в оптоэлектронике обычно объединяют оптические и электрические системы. Различают два направления оптоэлектроники: оптическое и электронно-оптическое.
Оптическим направлением оптоэлектроники является лазерное направление, использующее эффекты взаимодействия твердого тела с электромагнитным излучением, голографию, фотохимию.
Электронно-оптическое направление использует электролюминесценцию, т. е. излучение света под действием электрического тока, и фотоэлектрические свойства элементов, преобразующих световую энергию в электрическую. Это применяется в микроэлектронике для создания функциональных оптоэлектронных микросхем, которые по сравнению с интегральными микросхемами позволяют значительно уменьшить паразитные связи между элементами внутри микросхемы и между микросхемами, а также повысить плотность информации, быстродействие, помехозащищенность и надежность устройств.
Методами оптоэлектроники могут быть созданы следующие устройства: преобразователи электрических сигналов — ключи, переключатели, усилители, генераторы, логические схемы и элементы памяти ЭВМ; преобразователи оптических сигналов — твердотельные электронно-оптические и электроннолучевые приборы, например усилители света и изображения, передающие и воспроизводящие экраны; устройства отображения информации — цифровые табло, индикаторные экраны и др.
Главным структурным элементом или компонентом оптоэлектроники является оптрон, основу которого составляет оптронная пара — фотоизлучатель и фотоприемник. Фотоизлучателем в принципе может быть любой управляемый источник света, световой поток или яркость которого однозначно зависит от электрического сигнала, поступающего на его вход. Фотоизлучатели должны удовлетворять требованиям миниатюрности, малой потребляемой мощности, высокой эффективности и надежности, долговечности, механической прочности и технологичности. Наибольшее распространение в качестве фотоизлучателей в оптронах нашли светодиоды, относящиеся к электролюминесцентным источникам света. В качестве фотоприемников используют полупроводниковые приборы, преобразующие световое излучение в электрические сигналы: фоторезисторы, фотодиоды, фототранзисторы и фототиристоры.
При подборе фотоизлучателя и фотоприемника в оптрон- ную пару необходимо согласовать их спектральные характеристики.
Между фотоизлучателем и фотоприемником должна быть среда, которая играет роль световода. К материалу световода предъявляются определенные требования: он должен быть прозрачен в рабочей области, обладать большим коэффициентом преломления, высокой плотностью прилегания к материалам источника и приемника света и иметь с этими материалами одинаковый температурный коэффициент расширения. Большой коэффициент преломления необходим для уменьшения потерь света при отражении от границы светодиода и световода. Материалы с большим коэффициентом преломления называют иммерсионными. В качестве световодов большое распространение получили иммерсионные стекла — свинцовые и селеновые, а также волоконная оптика — тонкие нити стекла или пластмассы (волокна). Светопроводящие волокна покрывают светоизолирующими материалами и соединяют в многожильные световые кабели, проводящие свет подобно тому, как многожильные металлические кабели проводят электрический ток. С помощью волоконной оптики можно получить большое количество каналов для передачи оптической информации. Волокна световода можно изгибать и скручивать, причем каждое волокно все равно будет передавать свой оптический сигнал, например определенный элемент изображения.
В микроэлектронике используют только те оптронные пары, которые можно изготовить методами интегральной технологии, совместимыми с технологией изготовления соответствующих интегральных микросхем.
Оптроном называют оптоэлектронный полупроводниковый прибор, содержащий источник и приемник светового излучения, которые объединены конструктивно и имеют оптическую (фотонную) или электрическую внутреннюю связь (рис. 5.13). Оптрон имеет вход и выход. Цепи входа и выхода называют внешними связями, в отличие от связи между источником и приемником света внутри оптрона.
Рис. 5.13. Структурные схемы оптронов: а — с внутренней фотонной связью; б — с внутренней электрической связью; / — фотоизлучатель; 2 — фотоприемник, 3 — световод, 4— усилитель электрического сигнала |
В зависимости от вида внутренней, а следовательно, и внешних связей различают два типа оптронов: первый, основной, тип — с фотонной внутренней связью — имеет электрические внешние связи; второй — с электрической внутренней связью — имеет фотонные внешние связи.
Рассмотрим принцип действия этих оптронов.
В оптроне с внутренней фотонной связью (рис. 5.13, а) на вход подается электрический сигнал; под действием этого сигнала в фотоизлучателе, например светодиоде, проходит ток, возбуждающий свечение; световой поток по световоду попадает на фотоприемник, например фотодиод, в результате чего в его цепи проходит ток. Изменение напряжения на входе или входного тока светодиода вызывает изменение яркости его свечения или светового потока, а это в свою очередь вызывает изменение тока и напряжения на выходе фотоприемника, т. е. появляется электрический сигнал на выходе. В этом случае в оптроне происходит преобразование вида: электрический сигнал — оптический сигнал — электрический сигнал. Такой оптрон может служить для усиления электрических сигналов. Поскольку внутренней электрической связи в нем нет, получается идеальная гальваническая развязка выходной и входной цепей и односторонняя направленность сигнала.
К параметрам оптрона с внутренней фотонной связью относятся максимально допустимый входной ток, максимально допустимое входное напряжение, сопротивление изоляции, проходная емкость, выходные параметры фотоприемника.
Сопротивление изоляции оптрона очень велико; оно может достигать 1012—1014 Ом. Проходная емкость очень мала: порядка 1(Г2 пФ.
Оптрон с внутренней электрической и внешними фотонными связями (рис. 5.13, б) осуществляет преобразование вида: оптический сигнал — электрический сигнал — оптический сигнал. Входным сигналом является световой поток, который поступает на фотоприемник, например фотодиод. Изменения светового потока вызывают изменение тока в выходной цепи фотоприемника, а следовательно, и во входной цепи фотоизлучателя. Световой поток фотоизлучателя, например светодиода, изменяется с изменением проходящего через него тока. Между фотоприемником и фотоизлучателем обычно включается усилитель электрических сигналов, для того чтобы через источник света проходил больший ток. Это увеличивает яркость свечения. Рассмотренный тип оптрона может служить усилителем оптических сигналов и преобразователем частоты этих сигналов; например, сигналов инфракрасного или рентгеновского излучения — в сигналы видимого спектра.
Оптрон может быть изготовлен из дискретных элементов — бескорпусных светодиода и фотодиода, помещенных в о'бщий герметичный металлический корпус. Такой оптрон внутри заливают специальным стеклом, служащим световодом; корпус имеет четыре наружных вывода — два входных и два выходных. Структура такого оптрона показана на рис. 5.14, а. Условное графическое обозначение оптронов с фотонными связями при использовании разных типов фотоприемников показано на рис. 5.14,6.
В микроэлектронике оптроны изготовляют в едином технологическом процессе методом интегральной технологии одновременно с другими элементами микросхемы оптоэлектронного изделия. Структура оптрона, применяемого в оптоэлектронных ИМС, приведена на рис. 5.14, в. Фотоприемник формируется по планарно-диффузионной технологии на основе кремния /г-типа, в котором создается слой p-типа. Полученная структура с р-п переходом представляет собой фотодиод. На него наносится иммерсионная среда, например селеновое стекло, являющееся световодом. На этом слое формируется р-п переход светодиода на основе арсенида галлия GaAs л-типа с диффузионным слоем p-типа. На каждом слое создаются омические контакты для присоединения внешних выводов.
Для интегральных оптоэлектронных схем создают световоды в виде диэлектрических тонкопленочных микроволноводов оптического диапазона: на прозрачную подложку методами микроэлектроники (вакуумного напыления или эпитаксиального наращивания) наносят тонкий слой светопроводящего диэлектрического или полупроводникового материала, который имеет коэффициент преломления более высокиий, чем подложка. Этот световод — полоска пленки толщиной 0,5 мкм и длиной 1-г-З мкм — удерживает световой луч в своих пределах благодаря полному внутреннему отражению на границе с подложкой. Таким методом с помощью маски на подложку можно наносить световоды любой конфигурации и создавать сложные оптические схемы с
Вход
Рис. 5.14. Оптроны: а — структура оптрона на дискретных бескор- пусных светодиоде (/) и фотодиоде (2); б — условное графическое обозначение оптронов: резисторного, диодного, транзисторного и тиристорного (3, 4, 5, 6); в — структура интегрального микроэлектронного оптрона; 7 — фотоизлучатель; 8 — светодиод; 9 — фотоприемник; 10 — омические контакты для выводов |
разветвляющимися микроволноводами. Этим занимается интегральная оптика.
Мы рассмотрели простейшие оптроны, в которых источником света является светодиод, а фотоприемником служит фотодиод. Такой диодный оптрон имеет большое сопротивление между цепями входа и выхода и используется в качестве ключа. Его выходное сопротивление при отсутствии светового потока, когда фотодиод закрыт, составляет 102—104 МОм, т. е. цепь оказывается разомкнутой, а при наличии светового потока, в открытом состоянии, сопротивление уменьшается в миллионы раз (до 102—Ю4Ом). Быстродействие диодного оптрона позволяет производить переключения тока с частотой 106—107 Гц.
Транзисторные оптроны содержат в качестве фотоприемника фототранзистор, который имеет большую чувствительность, чем фотодиод. Поэтому транзисторные оптроны более экономичны. По сравнению с диодными оптронами их быстродействие меньше: максимальная частота переключений до 10 Гц.
В тиристорных оптронах в качестве фотоприемника используют фототиристор, в результате чего увеличивается допустимый импульс выходного тока: более 5 А при входном токе менее 10 мА. Эти оптроны могут быть использованы для управления мощными цепями сильноточных устройств.
Рассмотренные три вида оптронов применяются в основном в качестве быстродействующих ключей и работают в ключевом режиме, т. е. могут находиться в двух крайних состояниях — открытом и закрытом.
При автоматическом управлении различными цепями для бесконтактных регулировок используют резисторные оптроны, в которых фотоприемником служит фоторезистор. Их быстродействие невелико, но более широк диапазон величин входных сигналов и меньше темновой ток.
Более сложные оптроны могут содержать помимо фотоизлучателя и фотоприемника электронный усилитель на выходе фотоприемника, причем все эти элементы формируются методами микроэлектроники на одной кремниевой подложке и заключаются в корпус.
Система обозначения оптронов в качестве первого элемента содержит букву, определяющую материал светодиода; например, А — арсенид галлия и другие соединения галлия, К — карбид кремния и другие его соединения; второй элемент — буква О — оптрон; третий элемент — буква, определяющая тип оптрона по виду фотоприемника: Р — резисторный, Д — диодный, Т — транзисторный, У — тиристорный; четвертый и пятый элементы такие же, как для светодиодов. Например, АОДЮ1 —диодный оптрон светодиод — фотодиод на основе арсенида галлия, малой мощности, порядковый номер 01.
Контрольные вопросы
1. Назовите основные направления функциональной микроэлектроники.
2. Какие функции выполняют оптоэлектронные устройства и в чем их преимущества перед электронными устройствами?
3. Что представляет собой оптронная пара?
4. Какие бывают типы оптронов в зависимости от вида внутренней и внешних связей оптронной пары? Нарисуйте их структурные с*емы.
Вайсбурд Ф. И., Панаев Г. А., Савельев Б. Н. Электронные приборы и усилители. М.: Радио и связь, 1987.
Гусев В. Г., Гусев Ю. М. Электроника. М.: Высшая школа, 1982.
Джакония В. Е. и др. Телевидение. М.: Радио и связь, 1986.
Ефимов И. Е., Козырь И. Я. Основы микроэлектроники. М.: Высшая школа, 1983.
Жеребцов И. П. Основы электроники.М.: Энергоатомиздат, 1985.
Забродин Ю. С. Промышленная электроника. М.: Высшая школа, 1982.
Криштафович А. К. Промышленная электроника. М.: Высшая школа, 1984.
Криштафович А. К-, Трифонок В. В. Основы промышленной электроники. М.: Высшая школа, 1985.
Овечкин Ю. А. Полупроводниковые приборы. М.: Высшая школа, 1979.
Сапаров В. Е., Максимов Н. А. Система стандартов в электросвязи и радиоэлектронике. М.: Радио и связь, 1985.
Харченко В. М. Основы электроники. М.: Энергоиздат, 1982.
Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам. Под общ. ред. Горюнова Н. Н. Изд. 5-е М.: Энергия, 1979.
От авторов 3 Введение 5
Раздел 1. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ 11
Глава 1.1. Электропроводность полупроводников 11
Глава 1.2. Электронно-дырочный переход 24
Глава 1.3. Полупроводниковые диоды 37
Глава 1.4. Биполярные транзисторы 52
Глава 1.5. Полевые транзисторы 73
Глава 1.6. Тиристоры 85
Глава 1.7. Однопереходные транзисторы 98
Раздел 2. ЭЛЕКТРОННЫЕ ЛАМПЫ 106
Глава 2.1. Электронная эмиссия 106
Глава 2.2. Триод 110
Глава 2.3. Многоэлектродные лампы 123
Раздел 3. ЭЛЕКТРОННО-ОПТИЧЕСКИЕ И ФОТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ 136
Глава 3.1. Электроннолучевые трубки 136 Глава 3.2. Электровакуумные фотоэлектронные приборы 159 Глава 3.3. Полупроводниковые фотоэлектронные приборы 170 Глава 3.4. Светоизлучающие диоды 185
Раздел 4. ГАЗОРАЗРЯДНЫЕ ПРИБОРЫ 193
Глава 4.1. Электрический разряд в газе 193 Глава 4.2. Приборы тлеющего разряда 199
Раздел 5. ОСНОВЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ 203
Глава 5.1. Миниатюризация и микроминиатюризация электронных устройств 203 Глава 5.2. Интегральные микросхемы 206 Глава 5.3. Элементы интегральных микросхем 212 Глава 5.4. Виды интегральных микросхем 222 Глава 5.5. Функциональная микроэлектроника 229
[1] Один электрон-вольт (1 эВ)—это энергия, которую приобретает электрон, пройдя в электрическом поле разность потенциалов в 1 В.
Дата добавления: 2015-10-21; просмотров: 40 | Нарушение авторских прав
| <== предыдущая лекция | | | следующая лекция ==> |
