Вопросы по курсу “ Технология электроники”

Вопросы по курсу “ Технология электроники”

1. Когда была изготовлена первая ИС

2. Что такое ИС

3. Какой процент работающего населения США создает материальный продукт в начале XXI века

4. Каким этапом развития характеризуется США начала XXI века. Какое название имеет глобальный проект устроения человечества.

5. Что такое планарная технология

6. Привести пример диапазона температур или напряжений питания работы ИС

7. Каковы важные преимущества Si перед Ge или GaAs, с точки зрения производства и использования ИС

8. Как получают чистый «электронный» кремний.

9. Растворимость какого элемента в кремнии больше в твердой фазе, чем в жидкой при температуре плавления кремния

10. Какова толщина пластины Æ100 мм

11. Что входит в состав травителя кремния

12. Что такое маршрут изготовления ИС

Химическая очистка

13. Что необходимо хорошо представлять, чтобы формировать маршрут изготовления ИС

14. Каковы основные источники загрязнений

15. Как подразделяются адсорбционные слои

16. В чем основная задача хим. очистки.

17. Каковы основные этапы хим. очистки

18. Что такое деионизованная вода

19. В чем удаляют органические загрязнения. Каковы самые сильные окислители

Термическое окисление

20. В чем проводят десорбционную очистку. Каковы самые сильные окислители

21. Что является операционным критерием хорошей очистки.

22. Что диффундирует сквозь окисел: кремний или кислород

23. Какую связь устанавливает закон Генри

24. Что представляют собой частицы окислителя, проходящего к границе раздела фаз кремний – окисел

25. Что означает утверждение о том, что процесс окисления проходит при диффузионном контроле

26. Что устанавливает модель Дила и Гроува

27. Когда справедлив параболический закон роста окисла

28. Какие элементы процесса включает в себя температурно – временная диаграмма.

29. Каким механизмом определяется экспоненциальная зависимость от температуры параболической константы окисления

30. Каким механизмом определяется экспоненциальная зависимость от температуры линейной константы окисления.

31. Почему скорость окисления во влажном кислороде больше, чем в сухом, несмотря на больший коэффициент диффузии О₂, чем H₂O в SiO₂.

32. Какую роль при окислении играют вакансии в кремнии

33. Какие основные характеристики окисла контролируются в процессе изготовления

34. С чем связаны низкие пробивные напряжения окисла

35. Каково максимальное электрическое поле пробоя окисла

36. Какова классификация зарядов в окисле

37. Где сосредоточен заряд поверхностных состояний, какова его природа

38. Где сосредоточен фиксированный заряд, какова его природа, какова его величина (см^-2)

39. Какой заряд опасен при эксплуатации ИС

40. Почему возникает заряд в окисле при воздействии радиации (гамма квантов).

41. Какими измерениями можно фиксировать наличие заряда в окисле

42. Что такое напряжение плоских зон, как оно связано с величиной заряда

43. Каким образом уменьшают подвижный заряд в окисле

44. Каким образом уменьшают заряд поверхностных состояний в окисле

45. Что такое равновесный коэффициент сегрегации

46. Что происходит с концентрацией бора в кремнии на границе раздела кремний – окисел при окислении кремния

47. Для чего необходим поднитридый окисел при проведении локального окисления кремния

48. Как образуется дефект упаковки кремния при локальном окислении

49. Как зависит длина дефекта упаковки от температуры окисления (при заданном времени окисления)

Диффузия

50. Как зависит длина дефекта упаковки от времени окисления (при заданной температуре окисления)

51. Каковы основные способы диффузии

52. Каковы основные механизмы перемещения атомов а решетке твердого тела

53. Что такое дефект по Френкелю

54. Какой механизм диффузии называют вакансионным

55. Как связана скорость перемещения атома с концентрацией вакансий

56. Какова размерность в системе СИ коэффициента диффузии

57. Какова зависимость коэффициента диффузии от температуры

58. Что определяется энергией активации

59. С увеличением энергии активации увеличивается ли коэффициент диффузии

60. Какими примесями легируют кремний для создания областей проводимости р- и n- типа

61. Какая примесь n- типа имеет более высокий коэффициент диффузии, чем остальные

62. Привести пример газов, которые используются для введения примеси в полупроводник

63. Почему стоит знак – в правой части первого закона Фика

64. Что означает коэффициент диффузии в первом законе Фика

65. Каков алгоритм решения уравнения диффузии для неограниченного изотропного тела

66. Что такое «отражающая» и «связывающая»граница при диффузии

67. В чем разница процесса диффузии из постоянного источника и из источника конечной толщины, привести примеры таких процессов

68. К какой величине стремится концентрация примеси при диффузии из разных источников при значении Dt=¥

69. В каком месте образца находится максимум распределения примеси при известных процессах диффузии

70. Диффузия из какого источника приводит к гауссовому распределению примеси

71. Какими механизмами определяется процесс самодиффузии кремния

72. Каковыми механизмами определяются коэффициенты диффузии основных легирующих примесей (бор, фосфор, мышьяк) в кремнии при низкой и высокой концентрации примеси

73. Какими факторами определяется коэффициент диффузии

74. Во сколько раз может повышать коэффициент диффузии наличие ионизации примеси при диффузии

75. Какими особенностями характеризуется процесс диффузии в поликремнии

76. Какие основные параметры пластин контролируются после проведения диффузии.

77. Как определить (рассчитать)сопротивление какого-нибудь прямоугольного участка на пластине

Имплантация

78. Можно ли определить количество введенной примеси в полупроводник, а не количество носителей тока методом МСВИ

79. Каковы преимущества имплантации при легировании полупроводника

80. Какие основные аппаратные блоки включает в себя имплантор

81. Каково назначение масс-сепаратора

82. Каким образом определяется доза облучения

83. Чем определяется энергия иона

84. Кто из известных ученых изучал взаимодействие заряженных частиц с твердым телом

85. Какие различают виды энергетических потерь иона при взаимодействии его с твердым телом

86. Какое название получила теория пробегов ионов в аморфной и кристаллической мишени

87. Каким образом изменяются потери энергии при ядерном торможении с увеличением энергии падающего иона, каким – при электронном торможении

88. Какую величину имеет энергия для ионов бора, фосфора и мышьяка, где потери энергии за счет ядерного и электронного торможений совпадают

89. Как зависит величина пробега иона в твердом теле от его энергии, от внедряемой массы

90. Что обозначает значки “Rp”, “DRp”

91. Какова причина появления рассеяния ионов

92. Каким образом определить величины Rp, DRp, зная функцию распределения

93. Каковы свойства «Гауссовой» функции распределения, описывающей профиль внедренных ионов

94. Каким образом отличается реальный профиль распределения легких и тяжелых ионов от «Гауссовой»

95. Как называется распределение, описывающее реальный профиль примеси, с помощью каких центральных моментов его можно описать

96. Каковы преимущества и недостатки расчета профиля внедренной примеси с помощью метода Монте-Карло

97. Какова толщина покрытия, которая обеспечивает снижение концентрации внедряемой примеси в 10⁶ раз по отношению к максимуму распределения

98. Какое явление называют «каналирование»

99. Что такое критический угол при имплантации, какой ион более склонен к каналированию, бора или мышьяка

100. При какой энергии падающего иона возникают дефекты структуры

101. Привести пример простых дефектов

102. Какое число атомов решетки кремния необходимо сместить из положения равновесия, чтобы монокремний стал аморфным. Каким образом обнаружить «аморфность» кремния

103. Чему равна доза аморфизации при комнатной температуре для имплантации фосфором с Е=100кэВ

104. Как зависит доза аморфизации от температуры, в чем причина такого поведения

105. Каковы особенности разупорядочения решетки кремния при имплантации бором

106. Что такое изохронный отжиг

107. Привести пример значения энергии активации при отжиге простых дефектов в кремнии

108. В чем причина зачастую не полного отжига дефектов при аморфизации кремния

109. К каким эффектам в p-n переходе приводит наличие неотожженых дефектов в кремнии

110. Каковы особенности активации примеси при малых, средних и больших дозах имплантации. О каких дозах имплантации идет речь, если в качестве критерия выбрать дозу аморфизации

111. По какому механизму отжигается бор и фосфор при больших дозах имплантации

112. Куда смещается максимум профиля распределения примеси при термообработке

113. Каковы специфические дефекты ионной имплантации

Фотолитография

114. Сколько основных этапов в получении рисунка

115. Что такое МПО, шаблон

116. Какие бывают типы фоторезистов

117. Как определяется контрастность резиста и на что она влияет

118. Какие основные компоненты входят в позитивный фоторезист

119. Во что превращается нафтохинондиазид после взаимодействия с квантом света и молекулой воды

120. К какой области спектра чувствительны фоторезисты

121. Что представляет собой проявитель позитивного резиста

122. Каковы основные группы операций литографии

123. Что мешает хорошей адгезии фоторезиста к пластине

124. Зачем проводится первая сушка фоторезиста и чем ограничивается температура сушки

125. Зачем делается метка на пластине и фотошаблоне

126. Зачем проводится задубливание фоторезиста

127. В чем снимают фоторезист

128. Что представляет собой дефект в фоторезисте

129. Как зависит дефектность пленки фоторезиста от его тощины

130. Почему дефектность проекционной печати меньше чем контактной

131. Какие основные компоненты конструкции мультипликатора

132. Что такое системы с дифракционным ограничением

133. Чем определяется разрешающая способность и глубина резкости объектива

134. Что такое разрешающая способность объектива

135. Что такое модуляция излучения

136. Чем отличается рабочая разрешающая способность от расчетной

137. При каком значении функции модуляции передачи определяется рабочая разрешающая способность

138. Какие способы повышения резкости края изображения и разрешающей способности

139. Как практически определить рабочую разрешающую способность мультипликатора

140. Как определить необходимый зазор в топологии между слоями микрорисунка

141. Что представляет собой дефектность литографии

Травление

142. Каковы виды травления

143. Как отличается по своим характеристикам мокрое от сухого травления

144. Что такое селективность и анизотропность травления

145. Что необходимо предпринимать, чтобы снизить необходимую селективность травления

146. Каково соотношение ионной и нейтральной компонент в плазменных реакторах, применяемых для травления

147. Какова температура газы в плазменном разряде, используемом для травления

148. Какие виды разряда предпочтительны для использования при травлении

149. Зачем необходимо плазма при травлении

150. Каковы виды сухого травления

151. От чего зависит энергия падающих частиц в диодной системе

152. На какой электрод кладутся пластины в системах РИТ

153. Какой основной механизм травления в системах ПХТ

154. Какие элементы образуют летучие соединения кремния и алюминия при комнатной температуре

155. Что такое рекомбинация в плазме

156. Почему добавка кислорода в плазме из CF₄ при травлении кремния меняет скорость травления

157. Почему скорость травления кремния падает до нуля при увеличении концентрации водорода в плазме из CF₄

158. Каким образом повысить анизотропию процесса ПХ травления

159. Что такое загрузочный эффект

160. Какова специфическая дефектность, возникающая при ПХ травлении

161. Почему необходимо использовать индивидуальные средства защиты при проведении профилактического обслуживания установок ПХ травления

Осаждение покрытий

162. Каков общий механизм осаждения диэлектрических пленок, какая тип энергии для этого используется

163. Для чего используется поликристаллический кремний (ПКК) в микросхемах

164. Какой газ (вещество) и тип реактора используется для осаждения ПКК

165. Каковы характеристики процесса и получаемой пленки

166. Какими параметрами управляется процесс осаждения ПКК

167. Что делается с атомами, попавшими на осаждаемую поверхность при увеличении температуры пластины

168. Что представляет собой пленка ПКК в первые моменты роста

169. Что переставляет собой уже выращенная пленка ПКК

170. Как им образом изменяется размер зерен пленки при увеличении температуры осаждения, какова примерно его величина

171. Как изменяется сопротивление пленки ПКК при увеличении зерна

172. Почему нельзя сильно увеличивать температуру осаждения

173. Для чего используется стехиометрический нитрид кремния при изготовлении ИС

174. Какие вещества используются при осаждении Si₃N₄

175. Для чего контролирую коэффициент преломления пленки Si₃N₄; на что указывает его превышение от номинала (сравнить с таким же для SiO₂)

176. При какой температуре осаждают стехиометрический Si₃N₄ и Si₃N₄, использующийся для пассивирования микросхемы

177. Что происходит с пластиной кремния, на которую осаждают пленку Si₃N₄ стехиометрического состава.

178. Какова конформность пленки SiO₂, осаждаемой при атмосферном давлении при температуре ~ 500°С и при использовании в качестве реагентов моносилана с кислородом. Какова причина получения особенного рельефа. Можно ли улучшить конформность повышением температуры в данном процессе

179. Как будет изменяться конформность покрытия при реакции моносилана с кислородом при уменьшении давления

180. Какие реагенты используют для улучшения конформности покрытия. Каковы при этом температура осаждения, и какую она играет роль в улучшении конформности

181. Какие вещества используют для легирования окислов при осаждении

182. С како целью используются легированные фосфором пленки SiO₂

183. Каков наихудший угол покрытия, на который можно легко осадить металл без утоньшений

184. Какое стекло имеет значительно более низкую температуру оправления, чем ФСС при меньшем содержании фосфора в пленке

185. Какова основная причина появления пылевидных включений в осаждаемую пленку SiO₂

Металлизация

186. Какие вещества, используемые при осаждении диэлектрических покрытий не вредны для человека

187. Какие качественные требования предъявляются к металлизации

188. Чем достигается хорошая адгезия Al к SiO₂

189. Каков механизм образования омического контакта Ме – полупроводник

190. При каких условиях проходит процесс термического испарения Al, каковы требования к длине свободного пробега атомов в реакторе напыления

191. Какие существуют способы ослабления эффекта затенения при напылении металла

192. На каком расстоянии друг от друга располагаются зародыши растущей пленки; как это расстояние изменяется при увеличении температуры подложки

193. Как изменяется размер зерен растущей пленки при увеличении температуры напыления и при увеличении скорости напыления

194. Какие существуют виды напыления

195. Каковы недостатки метода напыления с использованием резистивного нагрева

196. Каковы недостатки метода напыления с использованием электронно-лучевого испарения

197. Каковы достоинства метода магнетронного распыления

198. С какой целью проводят операцию «вжигание алюминия»

199. Каков механизм «прокола» p-n перехода при мелких его глубинах

200. Какими способами можно предотвратить прокол p-n перехода

201. Что представляет собой электромиграция, к какому типу дефектов она приводит

202. Как изменяется среднее время наработки на отказ при увеличении плотности тока в шине и при увеличении температуры эксплуатации

203. Какова допустимая плотность тока в шине Al для правильно разработанной конструкции

204. Для чего необходима планаризация поверхности при формировании металлической разводки

205. Какие разработаны способы планаризации поверхности

206. Одинакова ли толщина межуровневой изоляции между узкими и широким шинами первого уровня металла в методе планаризации жидким стеклом

207. Какой метод планаризации используется при изготовлении микропроцессора «Pentium»

208. Какова специфическая дефектность металлизации

Эпитаксия

209. Что означает термин «эпитаксия»

210. Привести пример гетероэпитаксии

211. С кокой целью делают эпитаксию

212. Какие материалы используют для эпитаксии

213. Как зависит скорость роста эпитаксиальной пленки от температуры процесса

214. В каком режиме осаждения пленок проводят промышленные процессы и почему

215. Какое движение газового потока по реактору, в котором расположены пластины кремния, необходимо обеспечить при проведении процесса эпитаксии

216. Что представляет собой потенциальную яму на поверхности кремния

217. Что представляет собой состояние пресыщения

218. Сколько ростовых ступеней необходимо для образования монокристалла на всей поверхности подложки

219. Каким практическим путем добиваются роста монокристалла

220. Какова природа автолегирования

221. На какую величину происходит смещение рисунка скрытого слоя при выращивании эпитаксиальной пленки определенной толщины

222. Какова причина появления областей скольжения на пластине с выращенной эпитаксиальной пленкой

223. Каковы виды известных дефектов эпитаксии

224. Как изменяется дефектность пленки с увеличением температуры эпитаксии

225. Каковы стадии процесса эпитаксии

226. Каковы известные промышленные методы эпитаксии

Элементарные статистические методы управления качеством

227. С какой целью технологическая линия по изготовлению интегральных схем изолируется от внешней среды

228. Какое количество неблагоприятных факторов классифицировано. К какому эффекту приводит их присутствие в технологическом процессе.

229. Какого типа факторы влияют на воспроизводимость процесса. Привести примеры

230. Что подразумевается под статистическим управлением качества продукции

231. Какие признаки могут служить мерой качества продукции

232. Какому закону распределения подчиняются количественные и качественные признаки

233. Какие оценки существуют для определения воспроизводимости продукции по количественному и качественному признаку

234. Каковы этапы управления качеством продукции

235. Что представляет собой контрольная карта Шухарта

236. О чем свидетельствует выход точки на контрольной карте за границы регулирования

237. Каким образом из карты типа определить СКО генеральной совокупности

238. Rакие особенности поведения точек на контрольной карте указывают большую вероятность расстройки процесса

239. Как называются рассчитываемые параметры в относительных единицах, по которым можно судить о состоянии технологического процесса

240. Что представляет собой техническая политика в области качества, называемая политикой “шесть сигма”

241. Как называются семь простых методов управления качеством

Дата добавления: 2015-10-21