Структура и содержание syllabus (для выдачи на руки студентам)

Приложение 2

СТРУКТУРА И СОДЕРЖАНИЕ SYLLABUS (для выдачи на руки студентам)

Казахско-Американский Университет SYLLABUS
__Электроника и схемотехника аналоговых устройств1_ (название дисциплины) ____2_____ кредитов часов: лекционных___15______практических___15_______ лабораторных __________ студийных_____________ Время__________ аудитория____________	___ФПН РЭиТ (11)-С,С^*___ (факультет, группа) office hours: время______ ауд.___ ___3___семестр ______2012-2013___________ (учебный год)
_ассистент проф., магистр_Ендибаева Г.А._______ (должность, ученая степень, Ф.И.О. преподавателя)

Модуль I

Содержание лекционных занятий

Л1. Физические явления при контакте твердых тел.

Физика полупроводников. Полупроводниковые материалы. Электронно-дырочный переход. Вольтамперная характеристика.

Л2. Полупроводниковые диоды.

Общие сведения. Выпрямительные и высококачественные диоды. Стабилитроны. Импульсные диоды. Диод Шотки.

Л3-4. Биполярные транзисторы

Свойства структуры с двумя p-n-переходами. Прицип действия (усиления) и схемы включения транзистора. Классификация транзисторов и краткие сведения о технологии их изготовления. Статические характеристики, h-параметры. Работа транзистора на высоких на высоких частотах и в импульсном режиме

Л5-6. Полевые транзисторы.

Типы полевых транзисторов, их особенности. Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом. Схемы включения. Статические характристики и параметры.

Л7. МДП – транзисторы.

Устройство и принцип действия транзисторов с индуцированным и со встроенными каналами. Статические характеристики и параметры МДП – транзисторов. Комплементарные пары МДП-транзисторов.

Л8. Тиристоры.

Тиристор, как управляемый полупроводниковый прибор с несколькими p-n-переходами. Вольтамперная характеристика тиристора и статические параметры приборы.

Содержание практических занятий

П1. Исследование p-n перехода при прямом включении. Получение практических навыков при подключении внешнего источника питания. ВАХ. – 1 час

П2. Исследование p-n перехода при обратном включении. Получения практических навыков при подключении внешнего источника питания. ВАХ. – 1 час

П3. Исследование выпрямительных диодов. Схема включения, основные параметры, ВАХ. Получения практических навыков при расчете и построении ВАХ и работе со справочной литературой. – 1 час

П4. Исследование стабилитронов. Схема включения, основные параметры, ВАХ. Получения практических навыков при расчете и построении ВАХ и работе со справочной литературой– 1 час

П5. Исследование туннельных диодов. Схема включения, основные параметры, ВАХ. Получения практических навыков при расчете и построении ВАХ и работе со справочной литературой– 1 час

П6. Исследование варикапа. Схема включения, основные параметры, ВАХ. Получения практических навыков при расчете и построении ВАХ и работе со справочной литературой– 1 час

П7. Составление схем БТ, с указанием направления токов. Принцип работы БТ. – 1 час

Модуль2

Содержание лекционных занятий

Л9. Оптоэлектронные полупроводниковые приборы.

Оптические излучения в полупроводниковых структурах. Светоизлучатели.Светодиоды, характеристики, параметры. Полупроводниковые лазеры.

Л10. Фотоприемники.

Параметры и характеристики фотоприемников. Фотодиод. Оптопары. Параметры и характеристики.Индикаторы.

Л11-12. Микроэлектроника, интегральные схемы (ИС).

Классификация ИС: полупроводниковые, пленочные, гибридные, совмещенные. Технологические основы микроэлектроники. Изоляция элементов.Транзисторы интегральных схем. Многоэмиттерный транзистор, транзистор с барьером Шоттки. МДП-транзисторы. Полупроводниковые резисторы, конденсаторы.

Л13-14. Логические и линейные интегральные схемы.

Транзисторная логика. Схемы с инжекционным питанием. Логические элементы на МДП-транзисторах. Параметры и характеристики логических элементов. Полупроводниковые интегральные схемы памяти. Линейные интегральные схемы. Дифференциальные каскады операционных усилителей.

Л15. Перспективы развития электроники.

Транзисторы ИГБТ

Содержание практических занятий

П8. Расчет h - параметров по входным ВАХ БТ. Расчет ведется графоаналитическим методом с расчётом входного сопротивления и h_12. – 1 час

П9-10. Расчет h - параметров по выходным ВАХ БТ. Расчет ведется графоаналитическим методом с расчётом выходного сопротивления и коэффициента усиления по току. – 2 часа

П11-12. Расчет параметров ПТ. Расчет ведется графоаналитическим методом. – 2 часа

П13. Сравнительный анализ схем включения на БТ и ПТ. Достоинства и недостатки. – 1 час

П14. Определение характеристик п.п.ИМС – 1 час.

График и содержание СРС и СРСП

недели	Номер заня тий по syllabus	СРС	втомчисле СРСП
Тема и вид задания	Срок выдачи и приема задания (нед)	Тема и вид задания	Срок выдачи и приема задания (нед)
Модуль 1
	П1	Расчет основных параметров полупроводникового материала.			Физические явления при контакте твердых тел. (доклад)
	П2	Расчет параметров полупроводниковых диодов			Полупроводниковые диоды. (доклад)
3-4	П3	Расчет параметров биполярного транзистора.			Биполярные транзисторы (доклад)
5-6	П4	Расчет параметров полевого транзистора.			Полевые транзисторы (доклад)
Модуль II
9-10	П5	Расчет режимов тиристоров или туннельных диодов.			Тиристоры. (доклад)
10-11	П6	Расчет переходных процессов при переключении диодов.			Полевые транзисторы (доклад)
11-12	П7	Определение параметров моделей полупроводниковых приборов.			Тиристоры. Оптоэлектронные полупроводниковые приборы. Фотоприемники. (доклад)
12-14	П8	Расчет элементов диференциальных каскадов, операционных усилителей			Логические и линейные интегральные схемы. (доклад)

Список основной литературы:

1. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники: Учебное пособие для вузов. – 2-е издание, перераб. и доп. – М.: Лаборатория Базовых Знаний, 2004 - 488 с.

2. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. Учебник для вузов 5-е издание. – СПб: «Лань», 2001. – 480с.

3. Бериков А.Б., Ордабаев Б.О. Полупроводниковые приборы. – Алматы: АЭИ, 1992 – 136с.

Список дополнительной литературы:

1. Ефимов И.Е., Козырь И.Я. Основы микроэлектроники. – 2- е издание, перераб. и доп. – М.: Высщая школа., 1983. – 384 с.

2. Кузовкин В.А. Электроника: учебник для вузов. – М.: Логос, 2005. – 328 с.

3. Бобровников А.В. Эдектроника. Учебник для ВУЗов. Издательство: Питер, 2004 г. – 560с.

Дата добавления: 2015-09-30