Таблиця 3.6. Основні параметри польових транзисторів *

Таблиця 3.6. Основні параметри польових транзисторів *

Термін	Символьне позначення	Визначення
Укр.	Англ.
Початковий струм стоку (Drain current for )			Струм стоку при затвором та витоком рівній нулю і при напрузі на стоці, рівній чи більшій за напругу насичення
Струм стоку (Drain current)			Струм, що протікає в колі стік-витік при напрузі стік-витік більшій чи рівній напрузі насичення та при заданій напругі затвор-витік
Струм затвора (Gate current)			–
Струм витікання затвора (Gate leakage current)			Струм затвора при заданій напрузі між затвором та всіма іншими виводами транзистора, замкнутими між собою
Напруга відсічки (Gate-source cut-off voltage)			Напруга між затвором і витоком польового транзистора з керуючим p-n-переходом або з ізольованим затвором, що працює в режимі збіднення, при якому струм стоку досягає встановленого мінімального значення
Напруга стік-витік (Drain-source (d.c.) voltage)			–
Напруга затвор-витік (Gate-source (d.c.) voltage)			–
Напруга затвор-стік (Gate-drain (d.c.) voltage)			–
Напруга пробою затвора (Gate-source breakdown voltage)			Напруга пробою затвор-витік при замкнених виводах стоку та витоку
Напруга пробою затвор-стік (Gate-drain breakdown voltage)			–
Модуль повної провідності прямої передачі (Modulus of the short-circuit forward transfer admittance)			–

* ГОСТ 19095-73

Таблиця 3.7. Основні динамічні параметри польових транзисторів *

Термін	Символьне позначення	Визначення
Укр.	Англ.
Вхідна ємність (Input capacitance)			Ємність між затвором та витоком при короткому замиканні за змінним струмом на виході в схемі зі спільним витоком
Прохідна ємність (Reverce transfer capacitance)			Ємність між затвором та стоком при короткому замиканні за змінним струмом на вході в схемі зі спільним витоком
Вихідна ємність (Output capacitance)			Ємність між стоком і витоком при короткому замиканні за змінним струмом на вході в схемі зі спільним витоком
Коефіцієнт шуму (Noise figure)			Відношення повної потужності шумів на виході польового транзистора до тієї її частини, яка викликана тепловими шумами опору джерела сигналу
Допустима потужність розсіюваної енергії (Allowable power dissipation)			–
Температура переходу (Junction temperature)	–		–
Температура зберігання (Storage temperature)	–		–
Крутизна характеристики (Forward transconductance)			Відношення зміни струму стоку до зміни напруги на затворі при короткому замиканні за змінним струмом на виході транзистора в схемі зі спільним витоком
Час затримки вмикання (Turn-on delay time)			Інтервал часу між моментом, коли передній фронт вхідного імпульсу, що вмикає польовий транзистор, сягає 10% від амплітудного значення та моментом, коли передній фронт вихідного імпульсу сягає 10% від амплітудного значення
Час наростання струму стоку (Rise time)			Інтервал часу між моментами, коли при вмиканні польового транзистора передній фронт вихідного імпульсу сягає значень в 10% та 90% від амплітудного значеннями
Час затримки вимикання (Turn-off delay time)			Інтервал часу між моментом, коли задній фронт (зріз) вхідного імпульсу, що вмикає польовий транзистор, сягає 90% від амплітудного значення та моментом, коли задній фронт вихідного імпульсу сягає 90% від амплітудного значення
Час спадання струму стоку (Fall time)			Інтервал часу між моментами, коли при вимиканні польового транзистора задній фронт (зріз) вихідного імпульсу сягає значень в 90% та 10% від амплітудного значеннями

* ГОСТ 19095-73

Таблиця 3.8. Додаткові параметри МДН-транзисторів *

Термін	Символьне позначення	Визначення
Укр.	Англ.
Порогова напруга (Gate-source threshold voltage)			Напруга між затвором і витоком польового транзистора з ізольованим затвором, що працює в режимі збагачення, при якому струм стоку досягає встановленого мінімального значення
Максимально допустима напруга затвор-підкладка (Maximum gate-substrate voltage)			–
Максимально допустима напруга витік-підкладка (Maximum source-substrate voltage)			­
Максимально допустима напруга cтік-підкладка (Maximum drain-substrate voltage)			–
Струм підкладки(Substrate current)			–

* ГОСТ 19095-73

Таблиця 3.9. Параметри серійно випускаємих МДН-транзисторів

Параметр	Символ
Напруга відсічки (Gate-source cut-off voltage)
Порогова напруга (Gate-source threshold voltage)
Максимальна напруга стік-витік (Drain-source (d.c.) voltage)
Напруга затвор-стік (Gate-drain (d.c.) voltage)
Напруга затвор-витік (Gate-source (d.c.) voltage)
Струм стоку (Drain current)
Допустима потужність розсіюваної енергії (Allowable power dissipation)
Струм витікання затвора (Gate leakage current)
Крутизна характеристики (Forward transconductance)
Вхідна ємність (Input capacitance)
Прохідна ємність (Reverce transfer capacitance)
Вихідна ємність (Output capacitance)
Початковий струм стоку (Drain current for )

Таблиця 3.10. Параметри серійно випускаємих потужних МДН-транзисторів

Параметр	Символ
Порогова напруга (Gate-source threshold voltage)
Максимальна напруга стік-витік (Drain-source (d.c.) voltage)
Напруга затвор-витік (Gate-source (d.c.) voltage)
Струм стоку (Drain current)
Допустима потужність розсіюваної енергії (Allowable power dissipation)
Струм витікання затвора (Gate leakage current)
Вхідна ємність (Input capacitance)
Прохідна ємність (Reverce transfer capacitance)
Вихідна ємність (Output capacitance)
Час затримки вмикання (Turn-on delay time)
Час наростання струму стоку (Rise time)
Час затримки вимикання (Turn-off delay time)
Час спадання струму стоку (Fall time)
Постійний струм витоку (Continuous Source Current)
Імпульсний струм витоку (Pulsed-Source Current)
Пряма напруга діода (Diode Forward Voltage)
Час зворотного відновлення діода (Reverse Recovery Time)
Заряд зворотного відновлення діода (Reverse Recovery Charge)

Дата добавления: 2015-09-30